Politechnika Śląska
Wydział AEiI
Laboratorium
z Elektroniki
Tranzystory bipolarne.
Grupa 5., sekcja 1.
Bartłomiej Kobierzyński
Rafał Morawski
Połączenie normalne tranzystora.
Układ pomiarowy:
Otrzymane dane.
|
Ic=1mA dla 5V |
I c = 5 mA 5v |
I c = 20 mA 5v |
|||
U CE [V] |
U BE [V] |
I C [mA] |
U BE [V] |
I C [mA] |
UBE[V] |
IC [mA] |
0,1 |
0,59 |
0,15 |
0,645 |
0,13 |
0,666 |
3,9 |
0,2 |
0,627 |
0,55 |
0,666 |
0,48 |
0,703 |
12 |
0,3 |
0,633 |
0,91 |
0,68 |
0,87 |
0,726 |
16,09 |
0,4 |
0,642 |
1,01 |
0,685 |
0,99 |
0,726 |
17,32 |
0,5 |
0,642 |
1,02 |
0,685 |
1 |
0,726 |
17,67 |
0,6 |
0,642 |
1,025 |
0,685 |
1,01 |
0,726 |
17,78 |
0,7 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,01 |
0,726 |
17,87 |
0,8 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,01 |
0,726 |
17,93 |
0,9 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,01 |
0,726 |
18 |
1 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,01 |
0,726 |
18,5 |
2 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,02 |
0,726 |
18,5 |
3 |
0,642 |
1,03 |
0,685 |
1,02 |
0,726 |
18,8 |
4 |
0,642 |
1,04 |
0,685 |
1,04 |
0,726 |
19,2 |
5 |
0,642 |
1,04 |
0,685 |
1,03 |
0,726 |
20 |
6 |
0,642 |
1,05 |
0,685 |
1,04 |
0,726 |
20,8 |
7 |
0,642 |
1,06 |
0,685 |
1,05 |
0,726 |
21,3 |
8 |
0,642 |
1,06 |
0,685 |
1,06 |
0,726 |
21,9 |
9 |
0,642 |
1,07 |
0,685 |
1,07 |
0,726 |
22 |
|
U CE = 2 V |
U CE = 5 V |
||
I B [A] |
U BE [V] |
I C [mA] |
U BE [V] |
I C [mA] |
1,43 |
0,54 |
0,076 |
0,54 |
0,0788 |
4,47 |
0,614 |
0,37 |
0,609 |
0,385 |
9,54 |
0,64 |
1,04 |
0,641 |
1,07 |
19,78 |
0,67 |
2,6 |
0,666 |
2,75 |
50,43 |
0,704 |
8,43 |
0,691 |
8,82 |
101,42 |
0,723 |
18,7 |
0,695 |
20,25 |
204 |
0,746 |
39,8 |
0,706 |
45,45 |
Parametry hybrydowe :
Parametry hybrydowe :
h11 = 2000
h12 = 0
h21 = 317
h22 = 5 * 10-5
Parametry hybrydowe :
h11 = 2000
h12 = 0
h21 = 331
h22 = 4 * 10-5
Ze względu na rażący błąd pomiarowy jednej z charakterystyk
(Ic=5mA dla 5V) nie została uwzględniona na wykresie.
Wnioski.
Badanym przez nas elementem półprzewodnikowym był tranzystor o oznaczeniu BC 107, który jest przykładem tranzystora bipolarnego typu npn.
Zauważyliśmy, ze do momentu nasycenia tranzystor zachowuje się jak dioda, co widać na jednej z charakterystyk (Ic od Uce).
Badany przez nas tranzystor miał impedancje wejściową równą 2000 Ω oraz wzmocnienie około 320.
Ze względu na brak czasu nie wykonaliśmy pomiarów dla inwersyjnego obszaru pracy więc charakterystykę 4ćwiartkową opracowaliśmy teoretycznie.
Otrzymane przez nas charakterystyki (poza wcześniej wymienioną) nie odbiegają kształtem w sposób znaczący od charakterystyk, które oczekiwaliśmy uzyskać, dlatego też mamy podstawy sadzić, że nasze pomiary nie są obarczone zbyt dużym błędem.