Politechnika Śląska

Wydział AEiI

Laboratorium

z Elektroniki

Tranzystory unipolarne.

Grupa 5., sekcja 1.

Rafał Morawski

Bartłomiej Kobierzyński

Tranzystor BF 245.

Układ pomiarowy.

Charakterystyka Przejściowa

Napięcie odcięcia U_OFF=-3,585

UGS [V]	ID2 [mA]	ID5 [mA]
-3,585	0	0
-3,072	0,217	0,243
-2,56	0,948	1,031
-2,045	2,01	2,995
-1,85	2,461	2,697
-1,644	2,96	3,38
-1,531	3,247	3,64
-1,439	3,474	3,392
-1,233	3,991	4,504
-1,016	4,544	5,123
-0,822	5,005	5,483
-0,617	5,464	5,75
-0,505	5,724	6
-0,41	5,854	5,945
-0,206	6,155	6,133
0,003	6,314	6,18
0,014	6,307	6,16
0,101	6,335	6,15
0,198	6,403	6,165
0,249	6,427	6,16
0,299	6,43	6,225

I_DSS ≈ 6,314 [mA] dla napięcia U_D = 2 V

I_DSS ≈ 6,18 [mA] dla napięcia U_D = 5 V

Transkonduktancja.

g_m = 2,77 *10^-3 [S] dla U_DS = 2 V w punkcie (U_GS = -2,045 V, I_D = 2,01 [mA])

g_m = 1,55 *10^-3 [S] dla U_DS = 5 V w punkcie (U_GS = -2,045V, I_D = 2,995 [mA])

Charakterystyka Wyjściowa

Ze względu na niedoskonałość przyrządu pomiarowego (duży skok) zostały przyjęte następujące wartości :

U_off+ = -3,072

U_1/2off+ = -1,645

UDS.	ID uoff+t	ID 1/2 Uoff	ID 0
0,1	0,064	0,292	0,544
0,3	0,14	0,82	1,548
0,5	0,16	1,289	2,45
0,7	0,183	1,688	3,16
0,9	0,192	2,031	3,57
1	0,196	2,176	3,732
1,5	0,208	2,655	4,3
2	0,217	2,903	4,29
2,5	0,223	2,998	4,62
3	0,228	3,075	4,51
3,5	0,233	3,091	4,74
4	0,237	3,136	4,58
4,5	0,24	3,13	4,78
5	0,243	3,17	4,73
5,5	0,245	3,157	4,79
6	0,247	3,19	4,77
6,5	0,25	3,182	4,8
7	0,252	3,215	4,79
7,5	0,254	3,2	4,8
8	0,256	3,223	4,78

Tranzystor SMY 50.

Układ pomiarowy.

Dane pomiarowe.

UGS	ID(UDS=-2,UB=0)	ID(UDS=-5,UB=0)	ID(UDS=-2,UB=5)	ID(UDS=-5,UB=5)
-3,541	-0,03	-0,04	0	0
-4,075	-0,28	-0,35	0	0
-4,585	-0,76	-0,95	-0,04	-0,12
-5,09	-1,45	-1,88	-0,34	-0,6
-6,125	-3,15	-3,99	-1,66	-2,35
-7,166	-4,85	-6,77	-3,42	-4,91
-8,2	-6,37	-9,87	-5,07	-8,03

Wnioski.

W tranzystorze polowym o prądzie w kanale pomiędzy drenem, a źródłem decydują nośniki tylko jednego znaku - nośniki większościowe w objętości kanału. Uzasadnia to również określanie tego typu tranzystora unipolarnego - w odróżnieniu od tranzystora bipolarnego, w którym istotny jest ruch obydwu rodzajów nośników - to znaczy dziur i elektronów.

Większość wykresów jest zgodna z naszymi oczekiwaniami. W przypadku tranzystora SMY 50 daje się zauważyć, że przyłożenie napięcia do podłoża zmienia ilość nośników prądu w kanale (kanał indukowany)

Jak zmienialiśmy napięcie U_GS, lub U_DS. (zwiększaliśmy wartość prądu płynącego przez opornik) to zauważyliśmy, ze dla wyższego napięcia, gdzie teoretycznie powinien płynąć większy prąd w rzeczywistości płynął mniejszy niż się tego spodziewaliśmy - zapewne jest to powodowane tym, ze źródło prądowe było nieidealne.

Charakterystyki, które otrzymaliśmy są zbliżone do charakterystyk tranzystorów bipolarnych.

V

V

mA

---