Klasa	Nazwisko i Imię	Nr w dzienniku	TECHNIKUM ŁĄCZNOŚCI K R A K Ó W
3 Ti		25	Pracownia Elektroniczna
Nr ćwiczenia	Temat ćwiczenia	Data	Ocena	Podpis
5	Badanie parametrów tranzystora bipolarnego.	26.09 2 0 0 0

1. Zapoznać się z danymi katalogowymi badanych tranzystorów.

2. Wykonać pomiar nieznanego tranzystora za pomocą miernika cyfrowego posiadającego pomiar napięcia złącza półprzewodnikowego i parametru h21

3. Badanie wykonać dla :

• Dla tranzystora germanowego

• Dla tranzystora krzemowego

Napisać (narysować) algorytm ww. pomiaru

4. Wyznaczyć charakterystykę B=f(T) w zakresie od 20 do 70 wykorzystując miernik cyfrowy z pomiarem parametru h21 oraz źródło prądowe jako układ do regulacji temperatury pracy tranzystora.

5. Narysować schematy układów pomiarowych.

6. Wyniki pomiarów zestawić w tabelach.

7. Na podstawie wyników wykreślić ch-ki.

8. Podać własne wnioski.

9. Podać spis użytych przyrządów.

Badanie i rozpoznanie tranzystorów:

Jeżeli badamy nieznany tranzystor miernikiem cyfrowym z pomiarem parametru h21 to musimy najpierw ustalić rozmieszczenie jego „nóżek” i w tym celu próbujemy różnych ustawień tranzystora w złączu miernika. W momencie, kiedy na wyświetlaczu ukaże się największe wzmocnienie (h21) otrzymujemy poprawny opis rozmieszczenia wyprowadzeń dla bazy, emitera i kolektora. Podczas ustawiania tranzystora w złączu miernika przełączamy również pokrętło aby stwierdzić czy tranzystor jest typu NPN czy PNP .

Po dokonaniu ww. zabiegów musimy jeszcze ustalić czy nasz tranzystor jest wykonany z krzemu czy też może z germanu i w tym celu mierzymy napięcie progowe złącza i tak, jeżeli otrzymany wynik wynosi ok. 0,3V to tranzystor jest wykonany z germanu a jeżeli otrzymamy ok. 0,6V to tranzystor zrobiony jest z krzemu.

Następnie dokonujemy 5-u pomiarów parametru h21, z których pierwszy jest w temp. otoczenia (ok.20 ) a następny po siedmiu minutach podgrzewania , i kolejne trzy co minutę. Po każdym odczycie zwiększamy natężenie prądu i tym samym temp. grzałki. Wartość prądu jaką należy podać na grzałkę odczytujemy z wykresu zależności temperatury od prądu podanego przez prowadzącego ćwiczenie.

• Pomiary

Tranzystor typu PNP wykonany z krzemu:

Tranzystor typu PNP wykonany z germanu:

Tranzystor typu NPN wykonany z krzemu

Spis przyrządów:

• Miernik analogowy LM3

• Model z gałką do badania tranzystor BIPOLARNEGO

• Trzy mierniki cyfrowe YF 3503

Schemat układu:

Wnioski:

1. Z przeprowadzonego doświadczenia wynika jednoznacznie ze wzrost temperatury pracy tranzystora bipolarnego powoduje wzrost parametru h21 czyli wzmocnienia tranzystora.

2. Dla tranzystorów wykonanych z krzemu wzrost temperatury powoduje liniowy wzrost wzmocnienia natomiast dla tranzystorów krzemowych wykres przybiera kształt hiperboli.

3. Zmiany parametru h21 w zależności od zmiany temperatury mogą powodować brak stabilności punktu pracy tranzystora.

4. W tranzystorach germanowych w związku ze zmianą temperatury zmienia się prąd zerowy kolektora, co ma istotny wpływ na stabilność punktu pracy.

5. W tranzystorach krzemowych istotny wpływ mają: rezystancja wejściowa i wzmocnienie h21.

6. Wpływy temperatury możemy wyeliminować stosując układy do kompensacji temperaturowej:

• Prosty dzielnik napięcia

W takim dzielniku pkt. Pracy ustala się za pomocą rezystorów Rp1 i Rp2 których wartość może się wahać na skutek zmian rezystancji wejściowej. Jeżeli chcemy wyeliminować te zmiany musimy dobierać jak najmniejsze wartości rezystorów.

• W układach takich można również zastosować diody i kondensatory.

T	H21
	-
20	128
35	143
50	148
65	156
80	164

T	h21
	-
20	134
30	148
40	165
50	197
60	280

T	h21
	-
20	67
35	72
50	76
65	81
80	87

---