92592

a²/( 1 -a²) = const T^z5/p.exp (-E,/kT)

TECHNIKI JONOWO - PLAZMOWE (Plasma assistcd processes)

Jeden z możliwych podziałów, uwzględniający udział jonów i rodników w plazmie; Proce syjonow e    Procesy, plaz^

-Rozpylanie katodowe    -Polimeryzacja

(Sputtering)

-Reakcje powierzchniowe (np. azotowanie) -Trawienie plazmowe

-Platerowanie jonowe (łon plating)

-Implantacja jonowa i osadzanie jonowe -Trawienie jonowe

Zwykle nie rozdziela się tych udziałów, skraca termin do „technik plazmowych” czy „osadzania z udziałem plazmy”

Także szereg innych podziałów i dziesiątki technik o różnorodnym nazewnictwie.

Rodzaje oddziaływań jon - powierzchnia ciała stałego;

i/

, o-

X"

/

/

E—■r

Oddziaływanie 1/2 - Odbicie 3 - Adsorpcja, osadzenie 4/5 - Rozpraszanie

6    - Absorpcja

7    - Inicjacja procesu ch.

8    - Zniszczenie warstwy powierzchniowej

Zastosowanie

spektroskopia jonów rozproszonych (analogia Auger’a) osadzanie jonowe, sputtering - etap osadzania spektr. rozpraszania Rutherforda (analogia XRD) implantacja jonowa litografia jonowa

sputtering - tarcza; trawienie jonowe, cięcie jonowe; spektr. masowa jonów wtórnych SIMS

Energie cząstek w procesach (eV);

10'

10¹

10-

10"

10*

Strumień ionów(lg l/cm2) 16-18 16-18 11-18 8-10

Proces

Osadzanie jonowe T rawienie jonowe Implantacja jonowa Cięcie jonowe

13

1

----------1----,-----1-----,-----1-----,-----

[naparów.] [rozpyl.kat.]    [implant, jonowa]

[osadzanie jonowe] [traw.jonowe] Charakterystyka energetyczna obszarów zastosowań;

Energia jonów (lg E/eV) 0-2 2-4 4-6 9-10

Implantacja; głębokość do lOnm, zwykle 3-6*10¹⁶ jonów/cm2