98100

I kolokwium - dr Szreter

1.    Od jakich czynników i jak zależy konduktywnośc półprzewodnik* typu n

2.    Jakie właśc w ości mi półprz ewodnik o nierównomiernej koncentracji domie sz ek

3.    Porównać rozkładkoncentrac ji domieszek o różnychtypachzł*cz p-n

4.    Podać równanie I-U ideahego złącza p-n ora2 określi: założenia przy jakich zostało wyprowadzone

5.    Narysować charakterystyki I-U oraz schemat aplikacyjny ogniwa fotoelektrycznego

S. ''Atyprowadzic wzór na rezystancję zł*czap-ndh małych sygnałów zmiennych

7. jaśnie właściwości i zakty diody Schottky'ego

1.    Od czego i jak zależy położenie poziomu Fermi'ego w półprzewodniku.

2.    Podać zależność konduktywności półprzewodnika typu pod temperatury.

3.    Narysować i wyjaśnić modelpasmowy półprzewodnika typu n o zmieniającej si* koncentracji domieszek.

4.    Jak zmienia si* charakterystyka I- U zł*c za p-n w funkc jite mperatury przy polaryzacji z aporow ej.

5.    Vfyprowadz ic równanie na SEM ogniwa fotoe kktrycznego.

6.    Od pkich czynnik ów i jak zależy grubość zł*cz a p-n.

7.    Narysować modele pasmowe diody Schottky’ego ikontaktu omowego.

1.    Od czego i jak zależy koncentracja par e lektron-dz rura w półprzewodniki samoistnym.

2.    Podać zależność konduktywności półprzewodnika typu n od temperatury.

3.    Scharakteryzować metod* phnama. wytwarzania zła.czap-n.

4.    Narysować model pasmowy niespohryzowanego złącza p-n i wyprowadzic wzór na wysokość bariery potencjału.

5.    Jakie odstępstwa odrównania Schockle^a występuj przy pohryzacji w kierunkuprzewodzenń.

6.    jaśnie mechanizm powstawanńpr^dufotoelektryrznegow zł*czup-n.

7.    Od jakich czynników i jak zależy pojemność złącza p-n.

1.    Podać i uzasadnić rozkład koncentricjinośnik ów w funkcji energii w półprzewodniku typun.

2.    Od pkich czynników i jak zależy konduktywnośc półprzewodnika samoistnego.

3.    Podać zasad* działania hallotronu.

4.    \typrowadzicrownanieru wysokość nap i* cia dyfuzyjne go w zł*czup-n korzystając z rownowagiprądów.

5.    Jakie odstępstwa odrównania Shockley'a występuj*przypolaryzacjiw kierunku zaporowym.

S. \fyjaśnic mechanizm powstawania SEM w zł*czup-npod wpływem oświetlenia

7. Scharakteryzować pojemność dyfuzyjn* ora2 pojemność zł*cza p-n