ślenia różnicy oznacza się je dużą literą K. Tak więc 1 Kb czytamy jako jeden kilobit. 1Mb czytamy —jeden megabit (M = K • K = 220 = 1048576b). Niekiedy pojemność podaje się w bajtach i wtedy B piszemy dużą literą. Na przykład 1 KB to jeden kilobajt.
Każda pamięć ma tzw. wejścia adresowe (A). Można dzięki nim określić, w którym rejestrze (komórce) będzie zapisywana informacja lub z którego będzie ona odczytywana; n wejść adresowych umożliwia zaadresowanie N = 2n komórek pamięci. Jeżeli pamięć ma komórki jednobitowe, to jej pojemność jest taka sama jak liczba komórek (P = N).
Liczba bitów w komórce świadczy o organizacji pamięci. Przez organizację pamięci należy rozumieć sposób dostępu do informacji. Zapis lub odczyt może odbywać się pojedynczymi bitami (tzn., że pamięć ma komórki jednobitowe) i o takiej pamięci powiemy, że ma organizację bitową, a jej pojemność wynosi N- lb. Komórki mogą zawierać 4 lub 8 (rzadko inną liczbę) bitów. Wówczas mówimy o organizacji słowowej typu N • 4 czy N- 8. Z organizacją N • 8 wiąże się określanie pojemności w bajtach [B], kilobajtach [KB] lub megabajtach [MB], Na przykład pamięć o 10 wejściach adresowych i komórkach 8-bitowych ma pojemność P = N • B = 210 B = 1 KB. Ta sama pojemność wyrażona w bitach, a nie w bajtach (czyli pojemność pamięci o organizacji bitowej) to P = 8 Kb.
Każda pamięć ma wejścia/wyjścia danych (informacyjne D). Wyjątek stanowią pamięci ROM, które mają jedynie wyjścia. Liczba tych wejść jest równa liczbie bitów komórki pamięci. Taka sama jest liczba wyjść Y. Wyjścia w pamięciach są zawsze trójstanowe (TS) lub (w starszych typach pamięci) typu OC. Dzięki temu możliwe jest łączenie ze sobą takich wyjść (różnych modułów) w celu zwiększenia ich pojemności (patrz p. 14.6). Wyjścia takie (TS, OC) można łączyć z magistralą. Układy pamięci o organizacji słowowej mają najczęściej wyprowadzenia danych dwukierunkowe, tzn., że dana końcówka jest wejściem lub wyjściem w zależności od stanu wejść sterujących. W pamięciach o organizacji bitowej wejście i wyjście danych jest najczęściej rozdzielone.
Pamięci, oprócz wejść adresowych oraz wejść informacyjnych, mają także wejścia sterujące. Najważniejsze z nich (mają je wszystkie pamięci) to wejścia uaktywniające pamięć CS (ang. Chip Select) albo CE (ang. Chip Enahle) oraz wejście zezwalające na zapis WE (ang. Write Enable) albo WR (ang. WRite). Wiele pamięci ma również wejścia zezwalające na odczyt OE (ang. Output Enable) albo RD (ang. ReaD). Niektóre pamięci mają ponadto wejścia strobujące adresów ALE (ang. Addres Latch Enable), RAS (ang. Row Addres Select), CAS (ang. Column Addres Select).
Wejścia sterujące umożliwiają wybór funkcji realizowanej przez układ, np. można przełączyć pamięć w tryb odczytu lub zapisu. Wejście sterujące typu CS pozwala „wyłączyć” pamięć, co jest realizowane poprzez ustawienie wyjść w stan wielkiej impedancji (zmniejsza się również w sposób istotny pobór prądu). Dzięki temu wejściu jest możliwe przyłączanie wielu modułów pamięci do jednej szyny danych (rozbudowa pojemności) lub budowanie pamięci o dłuższych pamiętanych słowach (patrz p. 14.6).
263