6137905422

walnym. Zawiera on dekoder (3 linie na 8) oraz osiem przerzutników D typu zatrzask. W takim układzie połączeń jak na analizowanym schemacie (WD = 0, R = 0) przerzutnik adresowany powtarza stan wejścia D, a pozostałe przerzutniki pamiętają ostatni swój stan. Wejście R (ang. jest wejściem zerującym przerzutniki, a wejście WD (ang. Write Disable) jest wejściem zakazującym zapisu (lub zezwalającym na zapis dla WD = 0). Pełny opis działania podobnego układu można znaleźć np. w publikacji [3]. Użycie tego układu powoduje, że w danej chwili możemy zmieniać stan jednego z liczników — licznika określonego stanem wejść adresowych układu US4. Wejścia te są sterowane z licznika US6A połączonego identycznie jak licznik US6B, a zatem pracującego także w trybie mod 5. Jest to wystarczające, ponieważ wykorzystujemy tylko 5 wyjść 8-bitowe-go adresowalnego zatrzasku US4. Stan wejść adresowych (stan licznika US6A) możemy zmieniać, podając na jego wejście impulsy. Źródłem tych impulsów jest przerzutnik monostabilny (US1) wzbudzany za pomocą przycisku „WYBÓR”. Stan wejść adresowych adresowalnego zatrzasku (US4) wskazują diody D19, £>20, £>21 i na tej podstawie możemy określić aktywne (wybrane) wyjście. Z pierwszych trzech wyjść układu US4 (Q₀, Qj, Q₂) sterujemy licznikami adresującymi pamięć.

Adresowanie pamięci wygląda więc następująco:

1.    Naciskając przycisk „WYBÓR” dokonujemy uaktywnienia odpowiedniego wyjścia układu US4, a tym samym wyboru licznika ustawiającego określone wejścia adresowe badanej pamięci. Niech będzie to np. wyjście Q₂ układu US4 (wybrany licznik US6B). Stan wejść adresowych układu US4 (wskazywany przez diody LED) powinien być nastujący: A₂A₁A₀ = 010.

2.    Naciskając przycisk „+1” wzbudzamy przerzutnik monostabilny US2. Sygnał wyjściowy tego przerzutnika podawany na wejście adresowalnego zatrzasku US4 jest przekazywany na jego wyjście Q₂ i zliczany przez licznik mod 5 (US6B), co umożliwia ustawienie trzech najstarszych bitów wejść adresowych pamięci w zakresie od A_1QA₉A₈ = 000 do AioA₉A₈ - 100.

W podobny sposób możemy ustawić dowolny stan pozostałych wejść adresowych badanej pamięci.

Uaktywniając wyjście Q₃ lub Q₄ układu US4 spowodujemy, że naciśnięcie przycisku „+1” będzie zliczane przez licznik US8B lub US8A. Możliwe więc będzie ustawienie dowolnego słowa zapisywanego do pamięci. Wyjścia liczników US8 nie mogą być jednak bezpośrednio dołączone do wyjść/wejść danych pamięci US5. Elementami pośredniczącymi są bufory US9 o wyjściach trójstanowych. Bufory te powinny być aktywne (przenosić stan wejść na wyjścia) tylko wówczas, gdy pamięć znajduje się w trybie „zapis” lub jest wyłączona (wyjście/wejście danych w stanie wielkiej impedancji). Stan wyjść danych (przy odczycie) lub wejść danych (przy zapisie) jest wskazywany przez jedną z kolumn matrycy diodowej.

Stany wejść sterujących W/R, OE, CE są ustawiane za pomocą, oznaczonych podobnie jak wejścia, przełączników W/R, OE, CE. Stany tych wejść są sygnalizowane przez diody LED (Dl 6, Dl 7, Dl 8) oraz dodatkowo jest sygnalizowany (diodą D22) stan we/wy danych; dioda D22 świeci — we/wy danych są

295