6931258578

http://layer.uci.agh.edu.pl/maglay/wrona

ciążenia i jest silniej przesterowany prądem bazy. Napięcie w punkcie C zwiększa się, podczas gdy napięcie wyjściowe Uo pozostaje stałe (jak długo tranzystor T₄ pozostaje w stanie nasycenia). Tranzystor T₃ zaczyna przewodzić, gdy różnica napięć między jego bazą, a wyjściem bramki przekroczy 1,4V. Prąd kolektora T₄ wtedy zwiększa się, przyspieszając wyjście tranzystora T₄ z nasycenia. Przy wystarczająco dużej wartości ładunku zmagazynowanego w tranzystorze T₄ jest możliwe również przejściowe nasycenie T₃, gdy napięcie Uf spada poniżej Uc- Powoduje to przejściowe zwiększenie prądu zasilania lec pobieranego przez bramkę, który jest wówczas ograniczony przede wszystkim przez rezystor R₃ (rys. 4.9). Amplituda Iccm impulsu prądowego może się znacznie zwiększyć przy pojemnościowym obciążeniu bramki. Zjawisko to może być przyczyną zakłóceń w pracy systemu cyfrowego, jeśli wiele takich przełączeń następuje jednocześnie i doprowadzenia zasilania do układów scalonych nie są wystarczająco blokowane pojemnościowo do masy.

Rys. 4.8 Charakterystyka przejściowa podstawowej bramki NAND TTL serii standardowej, zależność charakterystyki przejściowej od temperatury

Rys. 4.9 Zmiany prądu zasilania bramki przy przełączaniu.

Po wyjściu tranzystora T4 ze stanu nasycenia napięcie wyjściowe Uo szybko zwiększa się i gdy napięcie wejściowe Ui staje się mniejsze od ok. 0,7V, napięcie wyjściowe osiąga wartość typową dla poziomu H, równą Uqh =3,5V. Jeśli proces wyłączania jest wystarczająco powolny można po-