6931258573

http: //I ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona

Seria	Technologia izolacji złączowej z domieszkowaniem zlotem		Technologia izolacji złączowej z diodami Schottky'ego		Technologia izolacji tlenkowej z diodami Schottky'ego
Parametr	Standar dowa	S Schottky'ego	LS Schottky'ego malej mocy	F FAST¹	ALS ulepszona LS	AS ulepszona S
Czas propagacji Tptv_P [ns] przy N= 10	10	3	9	3,5	4	1,7
Moc strat na bramkę P_lvp [mW]	10	19	2	5,5	1.2	8
Współczynnik dobroci Dty p=tp\|yp • P(yp [pJ]	100	57	18	19,2	4.8	13,6
Maksymalna częstotliwość pracy (f_nm)i>_P (MHz)	25	125	33	150	70	200
Prąd wyjściowy loHmay [mA]	-0,4	-1	-0,4	-1	-0,4	-2
Prąd wyjściowy IoLmax [mA]	16	20	8	20	8	20
Prąd wejściowy IlLmas [mA] '	-1,6	-2	-0,4	-0,6	-0,2	-0,5
Obciążalność N	10	10	20	33	40	48

Tab. 3.1 Zasadnicze parametry układów rodziny TTL

4.1. PODSTAWOWA BRAMKA TTL

Na rys. 4.2 przedstawiono schemat ideowy podstawowej bramki NAND serii TTL. Wszystkie tranzystory układu, z wyjątkiem T3, znajdują się w stanie nasycenia lub odcięcia, zależnie od poziomów logicznych na wejściach (dla stanu statycznego). Tranzystor T2 działa jako wtórnik emiterowy (stan wysoki na wyjściu) lub inwerter (stan niski).

Dioda Dl zapewnia odcięcie tranzystora T3, gdy tranzystory T2 i T4 są w stanie nasycenia. Tranzystory T3 i T4 tworzą układ wyjściowy (ang. - totem pole), zapewniający małą impedancję wyjściową zarówno przy poziomie L, jak i H na wyjściu. Rezystor R3 ogranicza prąd wyjściowy w przypadku zbyt dużego obciążenia na poziomie H (np. przy zwarciu do masy) oraz w procesie przełączania.

Diody ograniczające D2 i D3 ułatwiają realizację dłuższych połączeń między układami, tłumiąc oscylacje powstające w procesie przełączania bramki i zapobiegając powstawaniu ujemnego napięcia większego niż ~0,7V.

FAST - ang. Faifchild Advanced Schottky