6931258576

http ://l ay er. uci. agh. edu. pl/ maglay/wrona

że zapewnić poziom L również dla większych prądów obciążenia, lecz wówczas napięcie wyjściowe Uol wzrasta.

4.1.1.2. Stan wyłączenia (stan wysoki na wyjściu)

Rys. 4.6. Schematy zastępcze bramki NA ND w stanie wyłączenia

Gdy choćby na jednym z wejść bramki jest poziom L, wówczas bramka jest wyłączona i na jej wyjściu jest poziom H. Tranzystor Tl znajduje się w nasyceniu, tranzystory T2 i T4 nie przewodzą, a T3 pracuje liniowo jako wtórnik emiterowy. Jak widać na rys.4.6, w stanie wyłączenia zarówno prąd wejściowy Iil, jak i wyjściowy (obciążenia) Ioh wypływają z bramki.

Napięcie na wyjściu bramki może być określone jako:

U- = U„ -U-,-U_D, -

p, '

gdzie:

Ube3 - napięcie baza - emiter tranzystora T3,

Udi - napięcie przewodzenia diody Dl,

P3 - współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora T3.

Po podstawieniu otrzymujemy typową wartość napięcia na wyjściu: UoHtyp =5 -0,7-0,7-0,1=3,5V. Przy założeniu, że wyjście analizowanej bramki jest przyłączone do dziesięciu wejść innych bramek z tej samej serii, maksymalny prąd obciążenia wynosi IoHma.\⁼ -0,4mA. Bramka może być bardziej obciążona, ale wówczas napięcie wyjściowe Uoh staje się odpowiednio mniejsze (rys. 4.7). Aby utrzymać bramkę w stanie wyłączenia, największe napięcie wejściowe w stanie niskim L musi być wystarczająco małe, aby zapewnić gwarantowany poziom wysoki H na wyjściu. Przyjmuje się Uil-max⁼0,8V. Przy zwarciu wejść bramki całkowity prąd wejściowy pozostaje praktycznie taki sam, nie zależnie od liczby wejść bramki na których jest poziom logiczny niski.

17