POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA INSTYTUT ELEKTRONIKI
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
*wiczenie nr 4	Temat *wiczenia: Badanie tranzystora MOSFET	Zespół: 1.Zuchowicz Marcin 2.Pawlak Marcin 3.Nartowski Mariusz 4.Wyrazik Marcin 5.Rokita Adam 6.Widanka Marek
Data wykonania *wiczenia: 29.10.1997	Data oddania *wiczenia: 05.11.1997	Ocena:

1.Spis przyrządów:

-tablica łączeniowa zawierająca elementy badane i pomocnicze

-miliamperomierz cyfrowy

-woltomierz cyfrowy (3 szt.)

-zasilacz stabilizowany regulowany z ograniczeniem prądowym (3 szt.)

2.Schemat układu pomiarowego:

3.Wyniki pomiarów:

Uds=10V	Up=5V		Uds=10V	Up=0V		Ugs=8V	Up=0V		Ugs=8V	Up=5V
Ugs	Id		Ugs	Id		Uds	Id		Uds	Id
V	mA		V	mA		V	mA		V	mA
0	0,001		3,82	0,002		0	0,01		0	0,001
0,15	0,001		4,5	0,03		0,0314	0,09		0,045	0,084
0,26	0,001		4,77	0,19		0,0773	0,22		0,132	0,25
2	0,001		5	0,28		0,1335	0,382		0,238	0,442
4	0,001		5,25	0,56		0,1624	0,463		0,542	0,938
5,32	0,002		5,5	0,71		0,219	0,619		0,862	1,36
5,5	0,003		5,7	0,95		0,321	0,89		1	1,53
6	0,275		6	1,38		0,419	1,14		1,5	1,98
6,5	0,77		6,23	1,74		0,482	1,28		2	2,3
7	1,56		6,5	2,26		0,652	1,7		3	2,59
7,33	2,12		6,76	2,75		1	2,42		4	2,83
7,5	2,42		7	3,29		1,5	3,25		5,1	2,97
7,8	3,13		7,25	3,83		2	3,9		6	3,08
8	3,65		7,5	4,49		2,5	4,29		7	3,2
						3	4,55		8	3,32
						4	4,85		9	3,43
						4,74	5		14,7	4

4.Charakterystyki Id=Id(ugs); Id=Id(Uds):

5.Obliczenie rezystancji drenu i transkonduktancji:

6.Wnioski:

---