1.Podać zależności termiczne dla tych parametrów:u
n

i

-samoistna koncentracja nośników, zależność termiczna jest

zależnością silną, praktycznie ekspotencjalną. Wartość jej
rośnie wraz z wzrostem temp. n

i

=AT

3/2

exp(-W

go

/2kt)

σ

i

-konduktywność, silnie zależy od temp. Inaczej dla

półprzewodnika samoistnego, inaczej dla półprzewodnika
domieszkowego

u-ruchliwość, to inaczej współczynnik proporcjonalności
u(T)=u

0

(T/T

0

)

-K

=BT

-K

~T

-K

w zależności od domieszkowania

jego wartość z wzrostem temp. Maleje
3.Przedstawić modele nałosygnałowe(m.cz.)elementów
idealnych:diody i tranzystora bipolarnego. Jak temp. I prądy
polaryzujące rozważanych elementów wpływają na parametry
tych modeli?
Dioda:
r

d

rośnie wraz z wzrostem

temp i(u)=I

s

(exp u/U

T

-1)

I

CEO

=(β+1)I

CBO

β=β

0

[1+a(T-T

0

)]

tranzystor bipolarny:

2-krotny wzrost I

CBO

przy wzroście temp o każde 10

O

4.Narysować charakterystyki statyczne tranzystora MOS z
kanałem n dla dwóch temp