1. Omówić rodzaje modeli elementów półprzewodnikowych.
W zależności od zakresu amplitud :
- wielkosygnałowe (globalne, lokalne)
- małosygnałowe
W zależności od zakresu częstotliwości :
- stało-prądowe (D.C.) (sterowanie niezmienne w czasie)
- quasi-stałoprądowe ( sterowanie zmienne w czasie, ale sygnał odp. nadąża za syg. pobudzenia)
- zmienno-prądowe (A.C.)
2. Co to jest punkt pracy elementu i prosta robocza.
Prosta robocza - mając dany układ możemy narysować charakterystykę iA = f(u AB), wyznaczając z prawa Kirchhoffa zależność i A od u AB i przeprowadzić prostą pomocniczą (roboczą), która określi nam punkt pracy elementu.
Punkt pracy - jest to określenie punktu spoczynkowego (I0,U0), czyli określenie wartości prądu i napięcia płynącego przez element w stanie spoczynku.
3. Wyjaśnić zasadę tworzenia modelu małosygnałowego elementów półprzewodnikowych.
Sposób tworzenia małosygnałowych modeli liniowych dla m.cz. na podstawie charakterystyk statycznych:
Dla małych przyrostów dla dwójnika możemy zapisać :
pochodna liczona jest w punkcie spoczynkowym (pracy) P o współrzędnych ID,UD . Pochodna ta ma sens konduktancji różniczkowej elementu. Skończone przyrosty ze wzoru można zastąpić małymi amplitudami przebiegu harmonicznego.
Inną metodą jest rozwinięcie funkcji opisującej model statyczny w szereg Taylora i ograniczenie tego rozwinięcie do dwóch pierwszych wyrazów.
Modele małosygnałowe dla w.cz. tworzy się uzupełniając modele małosygnałowe dla m.cz. elementami inercyjnymi tzn. pojemnościami, które modelują wpływ napięcia na ładunek elektryczny w danym elemencie.
4. Co to jest półprzewodnik samoistny i domieszkowany
Półprzewodnik samoistny - półprzewodnik czysty , nie zawierający żadnych zanieczyszczeń (domieszek).W półprzewodniku takim znajdującym się w temperaturze różnej od 0 K, należy oczekiwać pojawienia się swobodnych nośników ładunku, gdyż niektóre elektrony z pasma podstawowego mogą zyskać energię termiczną umożliwiającą przejście do pasma przewodnictwa. Pod wpływem wzrostu temperatury pojawiają się elektrony w paśmie przewodnictwa i dziury w paśmie podstawowym - jest to proces generacji termicznej par elektron-dziura. Jednocześnie występuje zjawisko odwrotne - „wyłapywanie” elektronów przez dziury, tzw. rekombinacja. . Półprzewodnik samoistny nie ma dodatkowych poziomów energetycznych w paśmie zabronionym.
Półprzewodnik domieszkowany - powstaje poprzez wprowadzenie atomów innych pierwiastków do przewodnika (domieszkowanie). Rozróżniamy domieszki:
akceptorowe (III-wartościowe : bor, gal, glin), dająca dodatkowe dziury
donorowe (V-wartościowe : fosfor, arsen, antymon), dająca dodatkowe elektrony
Wprowadzenie domieszki powoduje generację pary ruchomy nośnik - nieruchomy jon, oraz generację termiczną par nośników samoistnych. Występuje też rekombinacja.
5. Co wiesz na temat koncentracji nośników samoistnych, mniejszościowych i większościowych w materiale półprzewodnikowym.
Koncentracja nośników samoistnych ni to ilość nośników generowanych termicznie w jednostce objętości.
W danej temperaturze, z dwóch różnych półprzewodników w półprzewodniku o mniejszej wartości szerokości przerwy energetycznej, wartość koncentracji samoistnej ni jest większa. Koncentracja bardzo silnie rośnie przy wzroście temperatury.
W półprzewodniku silnie domieszkowanym typu n nośnikami większościowymi są elektrony,
W półprzewodniku silnie domieszkowanym typu p nośnikami większościowymi są dziury,
6. Wymień i omów parametry materiałowe
Czas życia p: jest to czas jaki upływa od chwili wyłączenia czynnika generującego, po którym nadmiarowa koncentracja nośników maleje e-krotnie . Dla krzemu współczynnik ten wynosi od 10-9s do 10-5s.
Średnia droga dyfuzji nośników Lp to odległość po przejściu której koncentracja nadmiarowych nośników maleje e-krotnie w stosunku do wartości na oświetlanej powierzchni . Typowa wartość dla Si w 300K: od 10-5cm do 10-3cm. Między czasem życia a średnią drogą dyfuzji zachodzi związek: L=(D* )1/2
7. Omów temperaturowe zależności konduktywności materiału półprzewodnikowego.
Konduktywność półprzewodnika samoistnego opisuje wzór:
We wzorze tym od temperatury zależy koncentracja samoistna ni oraz ruchliwość ( ~ T-3/2). Rośnie ona exponencjalnie przy wzroście temperatury, praktycznie identycznie jak ni , gdyż czynnik potęgowy T3/2 w funkcji ni (T) jest znacznie mniej istotny niż czynnik wykładniczy. Temperaturowy współczynnik względnych zmian konduktywności krzemu samoistnego wyraża się wzorem:
Konduktywność półprzewodnika silnie domieszkowanego wyraża się zależnością:
We wzorze tym od temperatury zależy tylko ruchliwość ( ~ T-3/2). Konduktywność materiału silnie domieszkowanego maleje, przy wzroście temperatury, lecz wyraża się zależnością potęgową, znacznie słabszą od zależności wykładniczej dla materiału samoistnego.
8. Wyjaśnij pojęcie ”niski poziom wprowadzania nośników”
Jest to taki stan, w którym koncentracja nośników nadmiarowych jest dużo mniejsza od koncentracji równowagowej nośników większościowych. Aby efekt zakłócenia był widoczny, koncentracja nośników nadmiarowych, musi przewyższać koncentrację równowagową nośników mniejszościowych. Przy niskim poziomie wprowadzania koncentracja nośników większościowych nie ulega zmianie, ale zmienia się koncentracja nośników mniejszościowych.
9. Omów zasadę działania złącza nie spolaryzowanego oraz pojęcia: złącze metalurgiczne, napięcia kontaktowe, obszar ładunku przestrzennego
Zetknięcie dwóch obszarów n i p, powoduje powstanie gradientów koncentracji nośników i przepływ prądów dyfuzyjnych. Elektrony przemieszczają się z obszaru n do p, a dziury z p do n. Przepływ nośników powoduje zachwianie równowagi elektrycznej, w sąsiedztwie złącza metalurgicznego tworzy się warstwa, w której powstaje pole elektryczne. Przeciwdziałające dyfuzji nośników. Istnienie pola powoduje przepływ prądów unoszenia obu rodzajów nośników. Prądy te mają przeciwny zwrot i identyczną wartość bezwzględną w stosunku do odpowiadających im prądów dyfuzji -przy braku polaryzacji suma prądów dyfuzji i unoszenia zarówno dla elektronów i dziur musi być równa 0 [zero].
Złącze metalurgiczne - płaszczyzna między obszarem p i n, na której koncentracje obu rodzajów domieszek są równe (x = xj). Położenie tego złącza, mierzone w głąb podłoża, zależy od temperatury i czasu dyfuzji.
Napięcie kontaktowe(dyfuzyjne, bariery, wbudowane) - różnica potencjałów między obszarami p i n, spowodowana istnieniem pola elektrycznego w warstwie zaporowej. Dla Si w 300K ~ 600 - 800mV.
Dla złącza skokowego wyraża się wzorem:
Napięcie UB zależy od koncentracji domieszek i temperatury. Wyższy potencjał występuje w obszarze
typu n.
Obszar ładunku przestrzennego (opróżniony, przejściowy, warstwa zaporowa) - warstwa nieobojętna elektrycznie, w pobliżu złącza metalurgicznego, pozbawiona nośników swobodnych, o której ładunku przestrzennym decydują jony domieszek. Pozostała część złącza, to obszary neutralne elektrycznie. Obszar opróżniony wnika głębiej w obszar słabiej domieszkowany.
10Przedstaw i omów charakterystykę i(u) złącza idealnego (hasło: potencjał termiczny, prąd nasycenia):
Założenia upraszczające dla złącza idealnego:
- złącze skokowe
- jednowymiarowy charakter zjawisk w złączu
- niski poziom wprowadzania
- pole elektryczne występuje tylko w warstwie zaporowej
- pominięta rezystywność- obszarów neutralnych
- brak procesów generacji - rekombinacji w obszarze zaporowym
- nie występują efekty przebicia
Wzór na statyczną charakterystykę i (u)złącza idealnego ma postać:
Postać graficzna modelu (skala log - lin) ch-ka odcinkowo liniowa:
W charakterystyce odcinkowo liniowej pomija się przepływ prądu dla napięć zaporowych i przewodzących do wartości napięcia Up. Dla Si Up wynosi od 600-800mV.
Potencjał termiczny (UT) - parametr, którego wartość zależy od wartości temperatury, jego wartość dla 300K wynosi 25,8mV:
Prąd nasycenia - parametr, którego wartość zależy od temperatury, wartość zawiera się w przedziale :
11. Omów model małosygnałowy złącza idealnego
Mały przyrost prądu Ia diody opisanej wzorem iA=f(uAB) wokół punktu pracy o współrzędnych (I0; U0) jest równy różniczce funkcji opisującej zależność i od u:
gdzie przewodność dyfuzyjna:
Rezystancja dyfuzyjna (dla małych sygnałów przyrostowa, dynamiczna)
Dla kierunku przewodzenia można w liczniku pominąć IS wobec prądu polaryzującego. Dla polaryzacji zaporowej, gdy i = -IS rezystancja różniczkowa jest nieskończenie duża.
Dla małych amplitud sygnałów harmonicznych m.cz. można zapisać dla złącza idealnego:
Schemat zastępczy dla modelu małosygnałowego m.cz. to rezystor, którego wartość rezystancji zależy od punktu pracy (składowej stałej).
Dla dużych częstotliwości należy uwzględnić elementy inercyjne (pojemność dyfuzyjną i bariery):
Y= gd + j (Cd + Cj)
It= Ia + Idj = Y * Uab
|It| = [ gd2 + 2 ( Cd + Cj)2]1/2 * Uab
12. Zdefiniować pojęcia: pojemność złączowa, pojemność dyfuzyjna złącza.
Poj. dyfuzyjna - Cd - reprezentuje zależność nośników mniejszościowych na brzegu obszarów neutralnych od wielkości napięcia na złączu
czyli Cd ~ i - prąd dyfuzyjny
τ - czasu przelotu nośników mniejszościowych przez bazę złącza
czyli Cd ~ Io - istnieje praktycznie dla kierunków przewodzenia
Poj. złączowa - jest związana z ładunkiem nie skompresowanych jonów domieszek domieszek obszarze opóźnionym złączu. Formalnie można przypisać tej wartości pojemność identyczną jak dla kondensatora płaskiego o odległości między okładkami różnej d.
13. Omówić właściwości diod rzeczywistych.
Złącze liniowe W rzeczywistych złączach rozkład domieszek opisany zazwyczaj jest funkcją exponencjalną. Takie złącze (liniowe) różni się od skokowego inną zależnością szerokości warstwy ładunku przestrzennego i pojemności złączowej od napięcia (występują wykładnik potęgowy 1/3 a nie 1/2): (Wzór jak dla Cj tylko ze 3 przy piweriwastku)
Wysoki poziom wprowadzania - dla dużych gęstości prądu koncentracja mniejszościowych nośników nadmiarowych w bazie diody, staje się porównywalna z równowagową koncentracją nopśników większościowych
Rezystancja szeregowa diody - składa się na nią rezystancja obszarów neutralnych półprzewodnika, głównie bazy, rezystancja styków metal - półprzewodnik, oraz doprowadzeń metalowych. Największą wartość przyjmuje rezystancja półprzewodnika. Rezystancję szeregową należy uwzględnić w charakterystykach statycznych i modelu małosygnałowym:
Dla przypadku stałoprądowego:rys to dioda i rs...
dla małego sygnału:
Procesy generacji i rekombinacji w warstwie zaporowej . W rzeczywistości przy polaryzacji zaporowej duże znaczenie ma generacja nośników w warstwie zaporowej. Powstaje prąd generacyjny iG , dla Si jest on znacznie większy niż IS ( dla 300K iG 103 IS ). Prąd generacyjny decyduje o prądzie wstecznym diody i zależy od napięcia tak jak szerokość warstwy zaporowej d(u). Zależy
też od koncentracji samoistnej ni
Dla kierunku przewodzenia w obszarze bariery, część przelatujących nośników rekombinuje. Powstaje dodatkowa składowa prądu, tzw. prąd rekombinacyjny ( m należy <1;2>):
Przebicie złącza - zwiększanie napięcia wstecznego na diodzie powoduje wzrost prądu wstecznego. Przy pewnej wartości napięcia wstecznego niewielkie zmiany napięcia powodują znaczny wzrost prądu obszar (zakres) przebicia złącza.
Zjawisko Zenera - ma miejsce w złączach o silnie domieszkowanej bazie, zachodzi przy natężeniu pola elektrycznego E 106V/ cm oraz małej grubości warsty opróżnionej (typowo poniżej 4V). Zachodzi bezpośrednie przechodzenie nośników, np. dziur z pasma podstawiowego w obszarze n do pasma przewodnictwa w obszarze p, przez barierę energetyczną, którą jest warstwa zaporowa. Jest to tzw. efekt tunelowy.
zjawisko jonizacji zderzeniowej - występuje dla złącz słabiej domieszkowanych, zachodzi przy mniejszych natężeniach pola ale grubszych warstwach opróżnionych,( typowo zachodzi powyżej 10V). Dla odpowiednio dużego napięcia przechodzi w powielanie lawinowe.
iW- prąd wsteczny w zakresie powielania lawinowego
Iw=M*i0
14. Omówić wpływ temperatury na właściwości diody
- charakterystyka wsteczna
βZ<0 - ef. Zenera; βZ>0 - ef. Lawinowy; βZ≈0 - dla u = 4÷6V
≈8%K-1
≈16%k-
- kierunek przewodzenia
Dopuszczalna temperatura złącza:
15. Omówić zakresy i konfiguracje pracy tranzystora bipolarnego (BJT).
Zakresy pracy:
aktywny normalny - złącze emiterowe spolaryzowane przewodząco, a kolektorowe zaporowo
nasycenia - E i C przewodząco
odcięcia - oba zaporowo
aktywny inwersyjny - E zaporowo C przewodzaco
Konfiguracje pracy jednoznacznie definiują sposób połączenia końcówek z układami zewnętrznymi: wejściowym (sterującym) i wyjściowym (sterowanym). W nazwie konfiguracji jest informacja o końcówce wspólnej dla wejścia i wyjścia. Znaki napięć są określone przez typ tranzystora (npn, pnp).(WB WC WE)
16. Omówić zasadę działania idealnego BJT w zakresie aktywnym normalnym.
Zakres aktywny normalny - złącze emiterowe spolaryzowane przewodząco, kolektorowe zaporowo.
W tranzystorze npn spolaryzowanym przewodząco złącze emiterowe wstrzykuje do bazy nadmiarowe elektrony, te przemieszczają się w stronę złącza kolektorowego i po przejściu przez warstwę zaporową docierają do kolektora. Baza jest „linią transmisyjną”, przez którą płyną nośniki. Aby ten przepływ był związany z możliwie małymi stratami na rekombinację, obszar bazy powinien być „krótki” w sensie używanym dla złącza pn.
17. Co to jest model Ebersa-Molla (postać i przeznaczenie)
Model ten jest słuszny dla dowolnego zakresu pracy. Umożliwia uzyskanie charakterystyk statycznych dla dowolnego zakresu pracy.
W pierwszej wersji modelu (injekcyjny) zakłada się, że prąd każdego złącza stanowi superpozycję prądu własnego oraz prądu zbieranego, wstrzykniętego przez drugie złącze.
iew icw - prądy własne
N - zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego dla zakresu aktywnego normalnego, i dla inwersyjnego
Pełna postać modelu:
Druga wersja modelu może być zapisana, jako równania admitancyjne, w których prąd emitera i kolektora uzależnione są od napięć na złączach:
Z równania iC=... wynika postać charakterystyki przenoszenia:
18. Omówić małosygnałowy model BJT dla m.cz. w konfiguracji WB i WE.
Modele te dotyczą zakresu aktywnego normalnego, są słuszne dla m.cz.:
Konfiguracja WB:
Dla obwodu wejściowego:
gdzie:
Więc:
Prąd emitera w zakresie jest ujemny, więc konduktancja geb jest dodatnia.
Z charakterystyki przenoszenia iC(iE)= - iE +ICB0 wynika, że w obwodzie wejściowym występuje generator prądowy o wydajności sterowany prądem wejściowym :Ic=-alfa *Ie
Transkonduktancja gm jest zdefiniowana jako
i
Między gm i geb zachodzi zależność : gm=gbe *
Schemat zastępczy :
Konfiguracja WE:
Dla obwodu wejściowego
konduktancja wejściowa gbe jest zdefiniowana
Dla obwodu wyjściowego :
oraz
Transkonduktancja gm zdefiniowana jest tak jak dla układu WB. Zachodzi związek : gm= * gbe
Schemat zastępczy :
20. Co wiesz na temat parametrów czwórnikowych BJT
Impedancyjne - mierzone w warunkach rozwarcia wejścia lub wyjścia.
lub
Admitancyjne - mierzone przy zwarciu wejścia lub wyjścia
lub
Hybrydowe - mierzone przy rozwarciu wejścia lub zwarciu wyjścia
21. Co to jest tranzystor rzeczywisty?
W tranzystorze rzeczywistym uwzględnia się wpływ zjawisk drugorzędnych, nieuwzględnionych w analizie tranzystora idealnego.
Rezystancje szeregowe.Rezystywność obszarów neutralnych powoduje powstanie rezystancji szeregowych (rozproszonych), które występują między końcówkami tranzystora idealnego a rzeczywistego.
Największe znaczenie ma rezystancja szeregowa bazy rb , która zależy od szerokości bazy. Im mniejsza szerokość bazy tym większa rezystancja. Nie jest liniowa. Wartości zawierają się w rzędzie od kilkunastu - kilkuset .
Rezystancja szeregowa kolektora (rc) Wartości są rzędu kilku .
Rezystancja szeregowa emitera przyjmuje najmniejsze wartości gdyż jest to obszar silnie domieszkowany o niewielkiej grubości. Wartość jest rzędu ułamka .
Małe gęstości prądu.
Występuje zjawisko rekombinacji w złaczu przewodzącym ( złącze E-B - jak takie piwko).
Duże gęstości prądu.
Przy wzroście prądu kolektora w zakresie dużych prądów maleje współczynnik oraz częstotliwość fT - właściwości użytkowe stają się gorsze. Występuje :
- modulacja konduktywności bazy
- rozszerzanie bazy (efekt Kirke'a)
- quasi nasycenie
- samo-nagrzewanie
- zagęszczanie prądu emitera
Prądy zerowe.
Są to prądy płynące przez tranzystor włączony w układzie dwójnika, tzn. przy polaryzacji 2 końcówek, bez oddzielnej polaryzacji końcówki 3-ej.
O - rozwarcie
S - zwarcie
R - rezystor
Przykłady:
22. Co wiesz na temat zjawisk przebicia w BJT?
Wartości napięcia przebicia obu złączy zależą od konfiguracji pracy, sposobu włączenia zacisku sterującego oraz od wartości prądu sterującego. Najważniejsze katalogowe parametry charakterystyczne dotyczą rozwarcia elektrody sterującej.
Konfiguracja WB:
iE=0
dla złącza kolektorowego (przebicie lawinowe UCB0 - kilkadziesiąt - kilkaset voltów)
dla złącza emiterowego (przebicie Zenera UEB0 - do 10V)
iE 0
M - współczynnik powielania lawinowego
Wniosek: napięcie przebicia nie zależy od prądu emitera i UBR=UCB0
Konfiguracja WE:
Napięcia przebicia w tej konfiguracji są mniejsze niż w WB
dla rozwartej bazy: iB=0
stąd:
dla iB 0
23. Wyjaśnić efekt Early'ego.
Dla zakresu aktywnego normalnego ważna jest warstwa opróżniona złącza kolektorowego spolaryzowana zaporowo. Wnika ona w słabiej domieszkowany obszar, a wnikając w nierównomiernie domieszkowany obszar bazy, napotyka na półprzewodnik coraz silniej domieszkowany. Jest to tzw. zjawisko Early'ego.
Efekt ten powoduje, że w zależnosciach statycznych prąd kolektora oraz bazy , jak również współczynnik zależą od napięcia kolektor - emiter. Statyczna charakterystyka wyjściowa z uwzględnieniem efektu Early'ego dla zakresu aktywnego normalnego (z pominięciem ICE0):
24. Omówić charakterystyki statyczne BJT
Charakterystyki statyczne przedstawiają zależności między prądami: IE , IC , IB i napięciami: UBE UCE , UCB , stałymi lub wolno zmiennymi. Rozróżnia się charakterystyki: wyjściowe, wejściowe, prądowe (przejściowe) i sprzężenia zwrotnego.
Charakterystyki wyjściowe przedstawiają związek między IC i UCE. Przebieg ich zależy od IB , który jest parametrem rodziny krzywych. Na charakterystykach wyjściowych można wyróżnić kilka zakresów związanych z polaryzacją złączy emiter-baza i kolektor-baza. Najczęściej wykorzystuje się zakres aktywny, w którym złącze emiter-baza jest spolaryzowany w kierunku przewodzenia (potencjał bazy wyższy od potencjału emitera), zaś złącze kolektor-baza w kierunku wstecznym (potencjał kolektora wyższy od potencjału bazy). Tranzystor ma właściwości wzmacniające.
Prądy zerowe tranzystora wynikają z prądów wstecznych złączy kolektorowego i emiterowego. W tranzystorach krzemowych małej mocy jest on rzędu Na
25. Zdefiniować obszar bezpiecznej pracy BJT (SOA)
Jest to obszar wyróżniony przez dopuszczalne parametry katalogowe:
- moc admisyjna Pa
- prąd max. ICmax
- Prąd zerowy ICE0
- Napięcie max. UCE0
- Napięcie nasycenia UCESat
26. Omówić wpływ temperatury na właściwości BJT
gdzie:
oraz:
gdzie:
Temperatura wpływa na prądy zerowe:
czyli:
oraz:
czyli dwukrotny wzrost ICB0 przy wzroście temp o każde 100C!!!
- wpływ temp. na współczynnik (od ułamka do ok. 1 %/ K ).
- wpływ temp na napięcie przebicia
28. Wyjaśnić pojęcia: tranzystor z kanałem wbudowanym, tranzystor pracujący ze zubożaniem, tranzystor normalnie wyłączony, tranzystor z kanałem n, napięcie progowe.
tranzystor z kanałem wbudowanym - kanał istnieje w postaci wbudowanej warstwy półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże;
tranzystor pracujący ze zubożaniem (depletion mode) - płynie w nim prąd przy napięciu uGS=0; może to być tranzystor z kanałem wbudowanym lub indukowanym; DMOS
tranzystor normalnie wyłączony - nie płynie w nim prąd przy napięciu uGS=0; tranzystor pracujący ze wzbogacaniem ( enhancemnet mode); może to być tylko tranzystor z kanałem indukowanym; EMOS
tranzystor z kanałem n - przewodnictwo typu n w kanale;
napięcie progowe (threshold voltage, Up) - określa sytuację kiedy powstaje kanał i zaczyna płynąć prąd drenu; napięcie bramka - źródło (uGS) przy którym koncentracja nośników mniejszościowych pod elektrodą bramki jest równa równowagowej koncentracji nośników większościowych w podłożu;
30. Omówić wpływ temperatury na charakterystyki tranzystora MOS.
Temperatura wpływa na parametr materiałowy B. Wynika to z zależności tego parametru od ruchliwości (T). Wpływa to więc na charakterystyki wyjściowe:
Wartość wynika z wpływu międzypowierzchni na mechanizm rozpraszania nośników.
Napięcie progowe zależy liniowo od temperatury:
W zakresie małych prądów drenu przy ustalonym napięciu uGS prąd drenu rośnie przy wzroście temperatury, natomiast w zakresie dużych prądów - maleje. Istnieje punkt autokompresji termicznej, w którym temperatura nie wpływa na prąd drenu. Malenie prądu drenu przy wzroście temperatury widoczne dla dużych prądów, jest bardzo korzystną cechą tranzystora MOS.
Jak tworzy się model małosygnałowy tranzystora MOS - narysować taki model dla m.cz. sygnału.
W przypadku modelu m.cz, model małosygnałowy tranzystora MOS (sposób tworzenia w pytaniu 3 o elementach półprzewodnikowych) należy uzupełnić o pojemności:
- pojemność bramki: Cg
- poj. Warstwy opróżnionej dren - podłoże: Cdb
- pojemności pasożytnicze wynikające z nakładki powierzchni bramki nad źródło i dren: Cgse, Cgde
31. Jakie dodatkowe efekty i w jaki sposób uwzględnia się w modelu rzeczywistego tranzystora MOS.
Modulacja ruchliwości nośników - nośniki poruszające się w stronę drenu zderzają się z międzypowierzchnią Si-SiO2, co wpływa na ich ruchliwość; na częstość zderzeń wpływa napięcie uGS decydujące o polu elektrycznym poprzecznym do kanału; modyfikuje się charakterystyki statyczne poprzez zmianę parametru B (zastąpienie 0 przez ); uwzględniając wpływ uGS na ruchliwość mamy ( - parametr modelu):
Modulacja długości kanału (zakres pentodowy) - w zakresie pentodowym w tranzystorze idealnym kanał jest odcięty przy drenie; w tranzystorze rzeczywistym odcięcie nie jest punktowe - przy wzroście napięcia uDS odcięcie kanału ma miejsce na coraz większym odcinku; występuje więc modulacja napięciowa długości kanału - w miarę wzrosty uDS maleje rezystancja kanału, więc prąd drenu rośnie (γ - parametr modelu, 1/γ - sens tak jak napięcie Early'ego w BJT):
Praca w zakresie podprogowym (odcięcia) - założono że w zakresie odcięcia prąd drenu nie płynie; w rzeczywistości przy braku kanału między drenem i podłożem istnieje złącze pn spolaryzowane zaporowo (drugie złącze podłoże - źródło jest zwarte); płynie więc prąd drenu o wartości zbliżonej do prądu wstecznego złącza; prąd ten silnie rośnie przy wzroście temperatury;
W tranzystorze rzeczywistym może wystąpić przebicie zaporowo spolaryzowanego złącza pn dren podłoże.Z powodu charakteru domieszkowania podłoża przebicie ma charakter lawinowy. W katalogu określa się to napięcie przy określonym napięciu bramki np. uGS=0.
Przebicie między bramką a podłożem to przebicie warstwy izolatora, gdy natężenie pola elektrycznego w izolatorze osiąga krytyczną wartość. Występuje przy kilkudziesięciu voltach, przeważnie niszczy strukturę(w izolatorze powstają kanaliki zwierające bramkę i podłoże).