1 

Elekt/TB/ wz or y_TB  

 
    Tranzystory dzieli się ogólnie na: polowe i bipolarne. 

    W  działaniu  TB  biorą  udział  dwa  rodzaje  nośników  ładunku  –  elektrony  i 
dziury, natomiast w TP  ..... 

    TB  jest  elementem  półprzewodnikowym,  trójelektrodowym,  umożliwiającym 

wzmacnianie  mocy  sygnałów  elektrycznych.  Oraz  TB  jest  elementem  czynnym 
pełniącym podstawową rolę w El-i. 

    Rozróżniamy  dwa  typy  TB:  NPN  –głównymi  nośnikami  prądu  wystepują 
elektrony, zaś w tranzystorach  PNP – głównie dziur.  

    Istnieją trzy podstawowe układu włączenia TB: rozróżnia się  układ ze WE,  ... 

   

 We wszystkich układach można zastąpić tranzystory npn na tranzystory pnp i na 
odwrót, zmieniając równocześnie biegunowość napięć zasilającychi kondensatorów 
elektrolitycznych.     
 

 Rozpatrzmy układ ze WE na TB typu NPN: jego parametry. 

 
 
 
 
 

 
 

PODSTAWOWE WZORY dotyczące TB 

  

Statyczny i małosygnałowy współczynniki  wzmocnienia prądowego układu WE: 

 

B

C

st

I

I

   ;  

 

 

const

B

C

dI

dI

CE

U

 

  

 

 

 

(4.3)  

 
Statyczny i małosygnałowy współczynniki  wzmocnienia prądowego układu WB: 

 

E

C

st

I

I

   ;  

 

 

const

B

E

C

dI

dI

U

 

   

 

 

 

(wpr.) 

 

oraz     

 

1

  ;          

1

 

 

 

 

 

(*) 

 

Charakterystyka przejściowa  

 

T

BE

U

U

CS

C

e

I

I

 

 

 

(4.1) 

 

 

2 

Transkonduktancja : 

 

 

 

 

T

C

U

U

T

CS

const

U

BE

C

m

U

I

e

U

I

 

dU

dI

g

T

BE

CE

 

 

(4.2) 

 

Charakterystyka wejściowa    

 

 

T

BE

mU

U

BS

B

e

I

I

 

. 

 

 

 

 

 

 

Różniczkowa rezystancja wejściowa      

B

T

const

B

BE

be

I

mU

dI

dU

r

CE

U

 

 

(4.2) 

 

 

 

 

 

 

 

Różniczkowa rezystancja wyjściowa     

C

Y

const

C

CE

ce

I

U

dI

dU

r

BE

U

 

      (4.3) 

 

 
*Ze znajomości β transkonduktancji g

m

 można obliczyć rezystancje wejściową: 

 

m

BE

B

BE

be

g

dU

dI

dU

r

C

dI

 

   

 

 

(4.5) 

 
 

Równania opisujące TB:   

 

;

 

1

BE

be

B

dU

r

dI

   

 

 

(4.6) 

CE

ce

BE

m

C

dU

r

dU

g

dI

1

  .   

 

(4.7) 

 

r

u

ds

r

g u

ce

be

be

be

m

E

C

E

B

u

i

c

i

b

 

 

Rys.4.20. Model małosygnałowy tranzystora bipolarnego  

w konfiguracji wspólnego emitera 

 
Również niektóre autorzy używają małych liter dla zapisu powyższych równań: 
 

 

3 

;

 

1

BE

be

B

u

r

i

 

 

 

 

 

(4.6a) 

CE

ce

BE

m

C

u

r

u

g

i

1

  .  

 

 

(4.7a) 

 
  

r

u

ds

r

g u

ce

be

be

be

m

E

C

E

B

u

i

c

i

b

C

bc

C

be

 

 

Rys. 4.20. Uwzględnienie w modelu pojemności C

be

, C

bc

, umożliwia opis 

tranzystora ze wzrostem częstotliwości sygnału 

 
 
 
 

UKŁAD ZE WSPÓLNYM EMITEREM (WE) 

 
Rezystancja wejściowa   

 

 

r 

we

 = r

be

    

 

 

 

 

 

Wzmocnienie napięciowe  

ce

C

m

ce

C

ce

C

m

u

r

R

g

r

R

r

R

g

k

0

   

 

(4.10)  

 

W granicy, dla R

C

 << r

ce 

otrzymujemy wzór (4.9)        

C

m

u

R

g

k

0

        (4.9). 

 
 

Po podstawieniu 

g

m

 z (4.2) 

 

T

C

C

u

U

R

I

k

0

 

 

 

 

 

(4.11) 

 
 

Rezystancje wejściową       

C

T

m

be

we

I

U

g

r

r

   

 

 

  (4.13) 

 

 

4 

lub   

 

 

 

ce

C

ce

C

ce

C

wy

r

R

r

R

r

R

r

. 

 

 

  (4.14) 

 
 
Wzmocnienie napięciowe robocze k

U

 :  

 

L

ce

C

m

ce

L

C

L

ce

C

L

ce

C

m

wy

L

L

u

u

R

r

R

g

r

R

R

R

r

R

R

r

R

g

r

R

R

k

k

0

        (4.15) 

 
 

 

 

Rys.4.16. Małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora w układzie WE