KOLOS PPCNWP

Pojęcia

Warstwa wierzchnia – warstwa materiału ograniczona rzeczywista powierzchnią przedmiotu,
obejmująca tę powierzchnię oraz część materiału wgłąb od powierzchni rzeczywistej, która wykazuje
zmienione cechy fizyczne i niekiedy chemiczne w stosunku do cech tego materiału w głębi
przedmiotu.

Powłoka – warstwa materiału wytworzona w sposób naturalny lub sztuczny albo nałożona sztucznie
na powierzchnię przedmiotu z innego materiału, w celu uzyskania określonych właściwości
technicznych lub dekoracyjnych.

Najważniejsze własności eksploatacyjne warstwy powierzchniowej:



Wytrzymałościowe

o

Wytrzymałość zmęczeniowa



Trybologiczne

o

Współczynnik tarcia

o Zużycie trybologiczne
o

Odporność na zatarcie



Antykorozyjne

o

Zużycie korozyjne

o

Oddziaływanie na inne własności eksploatacyjne



Dekoracyjne

o Barwa
o

Połysk

o

Odporność na starzenie.

Adhezja – jest zjawiskiem trwałego i silnego łączenia się warstw powierzchniowych dwóch różnych
(stałych lub ciekłych) ciał (faz) doprowadzonych do zetknięcia. Przyczyną adhezji (przylegania) jest
występowanie sił przyciągania (np. sił van der Waals’a, wiązań jonowych i metalicznych) pomiędzy
cząsteczkami stykających się ciał. Wielkość adhezji określa się wartością siły (lub pracy) potrzebnej
do rozłączenia przywierających ciał, przypadającą na jednostkę powierzchni kontaktu.

Absorbcja - jest procesem fizykochemicznym przenikania masy, polegającym na pochłanianiu
składnika, zwykle mieszaniny gazu, zwanego absorbatem, przez ciecz lub ciało stałe (zwanych
absorbentem) i równomiernym rozpuszczeniu go w całej masie absorbentu. Jest to proces
objętościowy, tzn. cała objętość absorbentu pochłania równomiernie absorbat. Zjawisku pochłaniania
objętościowego często towarzyszy dyfuzja absorbatu. W inżynierii powierzchni wykorzystywana jest
absorpcja gazów przez metale i ich stopy, głównie w celu nasycenia warstwy wierzchniej
dyfundującym pierwiastkiem.

Adsorpcja – jest procesem przyciągania substancji (gazów, par, ciał stałych rozpuszczonych w
roztworze, jonów i cieczy) i gromadzenia się jej na powierzchni ciał stałych i cieczy (na granicy
dwóch faz, np. stałej i gazowej, stałej i ciekłej, ciekłej i gazowej). Adsorpcja przejawia się w zmianach
stężeń substancji w warstwie granicznej między dwiema sąsiednimi fazami i zależy zarówno od
właściwości ciała adsorbującego (adsorbentu), jak i adsorbowanego (adsorbatu). Większą adsorpcją
oznaczają się ciała o rozwiniętej powierzchni (np. ciała porowate, chropowate) niż ciała o powierzchni
nie rozwiniętej.

Próżnia to stan gazu, którego koncentracja bądź ciśnienie są niższe od ciśnienia lub koncentracji
powietrza atmosferycznego tuż przy powierzchni ziemi.

Niskie ciśnienie  wysoka próżnia

Wysokie ciśnienie  niska próżnia

Systematyka próżni:



Niska



Średnia



Wysoka (HV)



Bardzo wysoka (UHV)



Ekstremalnie wysoka (XHV)

CVD

Metoda CVD polega na tworzeniu warstw węglików i azotków metali, np. chromu, wanadu, tytanu,
tantalu lub cyrkonu, ze składników atmosfery gazowej na powierzchni obrabianego przedmiotu w
wyniku reakcji chemicznej. Wytwarzanie warstw metodą SVD następuje w szczelnym reaktorze, w
wyniku niejednorodnych katalizowanych chemicznie i fizycznie reakcji na powierzchni stali w
temperaturze ok. 1000

o

C i przy ciśnieniu 1*10

5

÷ 1,35*10

3

Pa. Proces prowadzony jest w atmosferach

gazowych zawierających zwykle pary związków chemicznych metalu stanowiącego podstawowy
składnik wytworzonej warstwy (węglikowej, azotkowej, borkowej, tlenkowej) w temperaturze 900-
1000

o

C.

Najczęściej atmosfery złożone są z lotnego halogenku pierwiastka dyfundującego oraz węglowodoru,
azotu, wodoru lub gazu obojętnego, np. argonu. W wyniku reakcji chemicznej zachodzącej na
powierzchni metalu wydzielają się atomy (np. boru, chromu, tytanu, tantalu lub aluminium), ze
związku (np. BCl3, CrCl2, TiCl4, Al2Cl3). Drugi składnik warstwy pochodzi z podłoża (np. węgiel w
przypadku warstw węglikowych) lub z atmosfery (np. azot czy tlen w przypadku warstw azotkowych
lub tlenkowych).

Klasyfikacja reakcji procesów CVD



Pierwsza kategoria relacji chemicznych występujących w procesach CVD to reakcje rozkładu

termicznego (piroliza)



Druga kategoria to reakcje redukcji w których związek gazowy jest redukowany przez
reduktor (np. wodór).



Trzecia kategoria to reakcja wymiany gdzie w cząstce (molekule) AX, X jest zastępowany

przez pierwiastek B (powstaje AB).



Do czwartej grupy relacji należy reakcja dysproporcjonowania.

Zwykle podczas procesu CVD zachodzi kilka typów reakcji jednocześnie.

Poprzez zmianę parametrów procesu (temperatura, stężenie, ciśnienie, moc generatora plazmy)
możliwe jest osadzanie warstw gradientowych o zmiennym składzie chemicznym lub strukturze w
warunkach „in situ”. Metoda CVD jest bardziej ekonomiczna, w odróżnieniu od innych metod (np.
PVD). W stosunkowo krótkim czasie można otrzymać warstwy o grubości dochodzącej do kilku
centymetrów.

Jej szczególnym walorem jest możliwość uzyskiwania warstw jednorodnych co do grubości, składu i
struktury na powierzchniach o złożonej geometrii. Warstwy są dobrze przyczepne do podłoża dzięki
chemicznej naturze wiązań na granicy rozdziału warstwa-podłoże. Zależnie od składu chemicznego i
budowy, uzyskiwane materiały charakteryzuje szerokie spektrum właściwości, zapewniających
zastosowanie w zaawansowanych technologiach od mikroelektroniki i optoelektroniki, poprzez
bioinżynierię do przemysłu maszynowego i narzędziowego, a także spożywczego i farmaceutycznego.
Wzrost warstw w procesie CVD zachodzi w układzie otwartym lub zamkniętym w wyniku szeregu
następujących etapów obejmujących, m.in. konwekcyjny i dyfuzyjny transport masy, transport energii,
reakcje – homo i heterogeniczne prowadzące do tworzenia się końcowego produktu w postaci
warstwy.

Zjawiska zachodzące podczas osadzania powłok:

1. Transport gazowych reagentów do strefy granicznej,
2. Transport gazowych reagentów przez warstwę graniczą do powierzchni podłoża,
3. Homogeniczne reakcje w fazie gazowej,
4. Adsorpcja reagentów na powierzchni podłoża,
5. Heterogeniczne reakcje chemiczne,
6. Zarodkowanie w wzrost powłoki,
7. Desorpcja zbędnych produktów reakcji chemicznych,
8. Transport gazowych produktów reakcji chemicznych na zewnątrz warstwy granicznej,
9. Transport gazowych produktów reakcji chemicznych z powierzchni podłoża do fazy gazowej

objętościowej.

Szybkość wzrostu powłoki zależy od:



Zmiany szybkości przepływu reagentu,



Zmiany temperatury dla różnych wartości ciśnienia w reaktorze

Wysoka temperatura konieczna do przebiegu reakcji chemicznych znacznie ogranicza zakres
stosowania metody CVD szczególnie w przypadku elementów narażonych na obciążenia dynamiczne
podczas eksploatacji lub narzędzi wykonywanych ze stali szybkotnących. Ogranicza to zakres
stosowania technik CVD głównie do nanoszenia warstw na płytki z węglików spiekanych lub
spiekanych materiałów ceramicznych, dla których wysoka temperatura procesu nie powoduje utraty
ich własności. Dodatkowo do wytwarzania powłok jest konieczność utylizacji agresywnych dla
środowiska naturalnego odpadów poprocesowych.

W procesach CVD składniki atmosfery mogą być aktywowane: cieplnie, plazmą.

Procesy CVD nanoszenia powłok aktywowane cieplnie mogą być realizowane jako:



Chemiczne osadzanie z fazy gazowej pod ciśnieniem atmosferycznym (APCVD)



Chemiczne osadzanie z fazy gazowej pod obniżonym ciśnieniem (LPCVD)

W procesach APCVD oraz LPCVD termiczna aktywacja środowiska gazowego. Pierwszy z procesów
przebiega przy ciśnieniu atmosferycznym, drugi natomiast przy ciśnieniu od kilku do kilkunastu
hektopaskali.

Tradycyjne procesy CVD wymagają stosowania wysokiej temperatury, koniecznej do rozkładu
gazowych reagentów (900-1000

o

C), co ogranicza zakres ich wykorzystania. Osadzane warstwy

związane są z podłożem dyfuzyjnie.

Metoda PACVD – w ostatnich latach opracowano kilka odmian procesów CVD zwanych ogólnie
metodami chemicznego osadzania z fazy gazowej w obecności wyładowania jarzeniowego (PACVD)
umożliwiających znaczne obniżenie temperatury procesu. Technologie realizowane z wykorzystaniem
niskotemperaturowej plazmy umożliwiają wykorzystanie pozytywnych cech wysokotemperaturowych
procesów CVD (duża wydajność i jakość uzyskiwanych powłok) w połączeniu z niską temperaturą
pokrywania oraz korzystnym oddziaływaniem plazmy – możliwość oczyszczenia podłoża w wyniku
działania plazmy zapewnia dobrą przyczepność powłoki do podłoża.

Rozwój metod CVD polega na modyfikacjach rozwiązań tradycyjnych w kierunku obniżenia
temperatury procesu do 600-500

⁰

C przez:



Dobór odpowiednich atmosfer gazowych i stosowanie związków o niższej temperaturze
reakcji chemicznych,



Obniżenie ciśnienia do wartości 500-10 hPa – jest to tzw. metoda niskociśnieniowa CVD
(oznaczana LPCVD)



Aktywację elektryczną środowiska gazowego za pomocą wyładowania jarzeniowego lub
prądów wysokiej częstotliwości – są to tzw. metody wspomagane lub aktywowane plazmą
niskotemperaturową PACVD.

Proces CVD może być realizowany w różnych rozwiązaniach:



Klasycznym, w którym reakcje chemiczne aktywowane są termicznie (HFCVD),



Plazmochemicznie – (PACVD) z użyciem różnych pól fizycznych: mikrofal (MWCVD), fal

radiowych (RFCVD),



CVD aktywowane laserowo (LCVD)



CVD aktywowane wiązką promieni UV (photo CVD)



CVD z użyciem prekursorów metaloorganicznych (MO CVD)



CVD realizowana w złożu fluidalanym – Fluized – Bed CVD



Chemiczna infiltracja z fazy gazowej – chemiczal Vapour infiltration (CVI).

Zastosowanie metody PACVD:



Otrzymywanie powłok i regularnego azotku boru stosowanych w technologii elektronowej
jako powłoki: dielektryczne, ogniwa fotoelektryczne oraz jako materiały na narzędzia
skrawające,



Nanoszenie twardych powłok anty ściernych na narzędzia skrawające i części maszyn
(procesy z wyładowaniem jarzeniowym DC),



W przemyśle elektronicznym: otrzymywanie kondensatorów, warstw maskujących w

litografii, warstw pólprzewodnikowych i dielektrycznych (procesy z wyładowaniem
jarzeniowym RF i mikrofalowym)

Metoda MOCVD (metallorganic CVD) ma najszersze zastosowanie w elektronice do osadzania
warstw półprzewodnikowych. Cechą charakterystyczną tej techniki jest to, że prekursorami są tutaj
związki metaloorganiczne takie jak alkile (metylki i etylki metali grupy III) czy wodorki, które
rozkładają się we względnie niskich temperaturach (<800oC). W taki sposób otrzymane warstwy są
bardzo cienkie i zwykle epitaksjalne. Niska temperatura MOCVD przydatna jest przy osadzaniu
związków odpornych na ścieranie i korozję na podłożach stalowych. W ostatnich latach metoda ta
stała się jedną z głównych metod wytwarzania warstw typu Al2O3 i SiO2 stanowiących barierę
chemiczną.

Metoda LCVD (laser CVD) jest głównie używana w dziedzinie mikroelektroniki. Pobudzenia
składników gazowych dokonuje się za pomocą wiązki laserowej padającej na reaktor. Występują dwa
typy procesów w technikach LCVD – pirolityczne i fotolityczne. W metodzie pirolitycznej LCVD
wieloatomowe cząsteczki gazowe dysocjują w obszarze granicy międzyfazowej gaz-podłoże w
wyniku działania wysokiej temperatury podłoża nagrzanego za pomocą lasera. Reakcje te zachodzą,
gdy zastosowany gaz jest przezroczysty dla wiązki lasera, a podłoże absorbuje promieniowanie
laserowe. W metodzie fotolitycznej LCVD cząsteczki ulegają dysocjacji w pobliżu podłoża w wyniku
reakcji fotochemicznej. Fotodysocjacja ma miejsce wówczas gdy reagenty gazowe absorbują
promieniowanie laserowe o zastosowanej długości fali wiązki laserowej.

Metoda HFCVD – w metodzie Hot-Filament CVD wykorzystywane jest rozgrzane włókno najczęściej
wolframowe do temperatury 2000oC lub wyższej umieszczone blisko podłoża do generowania plazmy
i aktywacji reakcji chemicznych. Obecnie metoda stosowana jest głównie do wytwarzania powłok
diamentowych, w tym z nanokrystalicznego diamentu (NCD – nanocrystalline diamond) w których
rodniki węglowodorowe (CxHy dla x=1,2 i y=0,…,6) powstają przez rozkład termiczny węglowodoru
CH4 poprzez aktywację termiczną gorącym włóknem gazu roboczego. Na rozgrzanym włóknie
dochodzi również do rozkładu wodoru molekularnego H2 na wodór atomowy.

ALD

Atomic layer deposition – ALD to prawdziwa nanotechnologia. Ultra cienkie warstwy rzędu kilku
nanometrów nakładane są w ściśle kontrolowany sposób. W procesie wytwarzania powłok metodą
ALD osadzana jest dokładnie jedna warstwa atomowa w każdym cyklu, dzięki czemu nad procesem
osadzania jest pełna kontrola w skali nanometrycznej. Prekursory (gazowe, ciekłe lub stałe) są kolejno
wprowadzane w stan gazowy w ogrzewanej komorze reakcyjnej, gdzie umieszczone są podłoża.
Prekursory wytwarzają silne wiązania chemiczne. Temperatura musi być wystarczająco wysoka, aby
umożliwić reakcję między prekursorami, ale wystarczająco niska, aby uniknąć rozkładu.

Zakres temperaturowy procesów ALD wynosi od 25 do 500 ⁰C. Wykorzystywane są dostępne
prekursory często podobne jak w CVD lub MOCVD. Powłoki osadzane metodą ALD mają
równomierną grubość na wszystkich ściankach i otworach osadzanego podłoża nawet o bardzo
skomplikowanych kształtach geometrycznych.

W metodzie ALD powłoki uzyskuje się w wyniku narastania monomolekularnych warstw
adsorbcyjnych. Do komory reakcyjnej prekursory dozowane są naprzemiennie w tzw. „pulsach”, a
ponadto po każdym pulsie prekursora następuje usunięcie produktów ubocznych reakcji oraz
niezaadsorbowanych cząsteczek z komory reakcyjnej, za pomocą pulsu gazu obojętnego. Powoduje to,
że w fazie gazowej prekursory nie mają ze sobą kontaktu poza warstwą adsorbcyjną. Elementarny cykl
ALD, prowadzący do powstania monowarstwy, wygląda następująco: „jeden partner reakcji, płukanie,

kolejny partner reakcji, płukanie”. Aby uzyskać wymagana grubość otrzymywanego materiału, cykl
ten powtarzany jest wiele razy (nawet do kilkudziesięciu tysięcy razy).

Do najważniejszych zalet technologii ALD należy zaliczyć:



Możliwość stosowania prekursorów o wysokiej reaktywności, ponieważ kontakt reagentów
następuje dopiero przy substracie – eliminuje to reakcje w fazie gazowej,



Łatwość kontroli grubości powłoki poprzez samoograniczający się proces wzrostu, który
implikuje to, że grubość warstwy zależy tylko od ilości cykli,



Możliwość tworzenia wielowarstwowych struktur w ciągłym procesie przy dużej wydajności
materiału,



Tempo wzrostu nie zależy od jednorodności strumienia prekursorów w czasie jak i przy
substracie – dlatego też, źródła w postaci ciał stałych, które często maja wolne tempo
sublimacji, łatwiej można zastosować w technice ALD niż w innych porewnych technikach.

Metoda ALD daje możliwości otrzymywania wysokiej jakości materiałów w niskich temperaturach.
Przy odpowiednim dopasowaniu warunków, proces wzrostu przebiega w tzw. Nasyceniu. W takim
przypadku proces wzrostu jest stabilny i przyrost grubości jest taki sam w każdym z cykli osadzania.
Taki, samoograniczający się mechanizm wzrostu, pozwala na otrzymywanie cienkich warstw z
zaplanowaną grubością na dużych powierzchniach oraz struktur wielowarstwowych. Ograniczenia,
jakie niesie ze sobą technologia „osadzania z warstw atomowych”, to przede wszystkim wolne tempo
wzrostu. W najlepszym przypadku otrzymujemy jedną monowarstwę na cykl. Typowe zaś, tempo
osadzania to 100-300 nm na godzinę. Wadę tę rekompensuje możliwość przeprowadzania procesów z
substratami o dużych powierzchniach. Male tempo wzrostu nie musi oznaczać niskiej wydajności,
gdyż ta druga cecha jest rozpatrywana pod względem objętości (grubość x powierzchnia) otrzymanego
materiału.

PVD

Fizyczne procesy osadzania próżniowego (psysical vapour deposition) obejmują wiele różnych
technologii odparowywania osadzonego materiału, stosowanych do tworzenia powłok, pokryć oraz
warstw jako konstrukcji zabezpieczających, uszlachetniających lub modyfikujących oryginalną
powierzchnię. Niemal we wszystkich metodach PVD osadzona na podłożu kierowanej elektrycznie na
stosunkowo zimne podłoże. Grubość osadzanych warstw waha się od kilkudziesięciu angstremów do
kilku mikrometrów. Pokrycia próżniowe mają zastosowanie w wielu dziedzinach techniki od prostych
zastosowań dekoracyjnych do złożonych aplikacji w przemyśle chemicznym, nuklearnym, inżynierii
materiałów, medycynie, mikroelektronice i innych.

Odparowanie termiczne:



Osadzanie laserem impulsowym



Osadzanie wiązką elektronów

Implantacja jonów:



Osadzanie wiązką jonów

Rozpylanie magnetronowe:



Wysokoenergetyczne pulsacyjne



Rozpylanie magnetronowe



Reaktywne rozpylanie magnetronowe



Pulsacyjne odparowanie łukowe



Próżniowe odparowanie łukowe

Odparowanie łukiem elektrycznym:



Aktywowane reaktywne odparowanie

Obszary zastosowań tych technologii rozwijają się bardzo szybko, ponieważ ich stosowanie jest często
jedynym sposobem pogodzenia sprzecznych wymagań stawianych przez współczesne konstrukcje i
przyrządy. Często pojedynczy materiał nie jest w stanie sprostać stawianym przed nim wymaganiom,
stosuje się wtedy związki złożone i ich kombinacje, tworząc układy wielowarstwowe. Technologie
PVD są bardzo wszechstronne, umożliwiają osadzanie wielu rodzajów materiałów, zarówno
nieorganicznych jak i niektórych organicznych.

Metoda PVD wykorzystuje zjawiska fizyczne, takie jak odparowanie metali albo stopów lub
rozpylanie katodowe w próżni i jonizację gazów i par metali z wykorzystaniem różnych procesów
fizycznych. Wspólną ich cechą jest krystalizacja par metali lub faz z plazmy. Nanoszenie powłok
przeprowadzane jest na podłożu zimnym lub podgrzanym do 200-500

⁰C, co umożliwia pokrywanie

podłoży zahartowanych i odpuszczonych, bez obawy o spadek ich twardości, lecz jednocześnie
prowadzi do wytworzenia powłok bardzo cienkich i słabo związanych z podłożem. Połączenie
powłoka-podłoże ma charakter adhezyjny i jest tym silniejsze, im bardziej czysta jest powierzchnia
pokrywana.

W celu uzyskania odpowiedniej czystości powierzchni podłoża prowadzi się operacje przygotowania,
czyszczenia i aktywacji powierzchni podłoża przed naniesieniem powłoki. Proces przygotowania
powierzchni składa się z dwóch głównych etapów:



Chemicznego przygotowania powierzchni (oczyszczenia zgrubnego), w celu usunięcia
z niej wszelkiego rodzaju tłuszczów, smarów konserwujących oraz innych
zanieczyszczeń mechanicznych, jak również cienkich warstw powierzchniowych
(tlenków, siarczków, produktów korozji).



Jonowego przygotowania powierzchni – operacja bezpośrednia poprzedzająca proces

nanoszenia powłok. Dokładnie oczyszcza powierzchnie, aktywuje ją i podgrzewa

element do żądanej temperatury – proces realizowany przez trawienie jonowe.

W większości przypadków powstawanie powłok w procesie PVD odbywa się w 3 etapach:



Uzyskiwanie par nanoszonego materiału,



Transport par (neutralnych lub zjonizowanych) na materiał podłoża,



Kondensacja par nanoszonego materiału na podłożu i wzrost powłoki.

W technikach PVD zmiana parametrów procesu ma duży wpływ na strukturę powłoki. Podstawowymi
parametrami procesu wpływającymi na strukturę są: temperatura podłoża, ciśnienie gazu, energia
jonów bombardujących, które razem z cechami podłoża: składem chemicznym, mikrostrukturą,
topografią, determinują własności mechaniczne powłok. Intensywność zjawisk zachodzących na
powierzchni zależy m.in. od gęstości strumienia energii jonów bombardujących, której górna wartość
ograniczona jest odpornością cieplną materiału podłoża. Dla małej energii jonów zderzenia jon-ciało
stałe mogą powodować lokalny wzrost temperatury i desorpcję cząstek znajdujących się na

powierzchni (m.in. zanieczyszczeń). Różna energia jonów bombardujących wpływa przede wszystkim
na: zarodkowanie i wzrost powłoki, morfologię powierzchni oraz przyczepność do podłoża.

Powłoki otrzymywane w procesie PVD można podzielić na dwie podstawowe grupy:



Proste – zwane powłokami jednowarstwowymi lub monowarstwowymi składające się z

jednego materiału (metalu np. Al, Cu, Cr lub fazy np. TiN, TiC)



Złożone – składające się z więcej niż jednego materiału, przy czym materiały te zajmują różne
pozycje w tworzonej powłoce.

Do powłok złożonych nanoszonych metodą PVD zalicza się powłoki:



Wieloskładnikowe, w których podsieć jednego pierwiastka wypełniona jest częściowo innym
pierwiastkiem.



Gradientowe, stanowiące odmianę powłok wielowarstwowych różniące się składem
chemicznym i własnościami warstw pojedynczych, zmieniających się płynnie na ich grubości,



Kompozytowe, będące szczególnym typem powłok wielofazowych, stanowiących również
mieszaninę, w której jedna faza jest dyspersyjnie rozproszona w innej, występującej w sposób
ciągły.



Metastabilne, łączące w sobie zróżnicowane własności materiałów metalicznych z
kowalencyjnymi, tworzone są w wyniku syntezy faz nierównowagowych (metastabilnych),

Skład i własności powłok nanoszonych metodą fizycznego osadzania z fazy gazowej zależą od:



Szybkości rozpylania,



Odległości pomiędzy materiałem osadzanym – tarczą (target) a podłożem



Temperatury podłoża



Ciśnienia argonu i gazu reaktywnego,



Gęstości odparowanych lub rozpylanych atomów,



Stopnia jonizacji argonu, gazu reaktywnego oraz odparowanych lub rozpylanych atomów z

tarczy.

W modelu tworzenia się warstwy, którego podstawą jest temperatura topienia osadzanego materiału,
wyróżniono trzy strefy struktury metalograficznej w zależności od temperatury homologicznej T/Tt:



Strefa 1 (T<0,3Tt), o strukturze kolumnowej z dużą ilością porów, w której przeważają drobne

krystality,



Strefa 2 (0,3Tt<T<0,5Tt), o strukturze kolumnowej charakteryzującej się większymi ziarnami
oraz występującymi mikronierównościami powierzchni,



Strefa 3 (T>0,5Tt), gęsta struktura, o dużych ziarnach równoosiowych rosnących wraz ze
wzrostem temperatury podłoża.