Wpływ temperatury na

przewodzenie złącza PN

Setlak Łukasz

ED L04 E

• Diodą półprzewodnikową nazywamy element wykonany z

półprzewodnika i zawiera jedno złącze p-n oraz dwa

wyprowadzenia.

Charakterystyka diody zgodnie zezjawiskami

występującymi w złączy PN kształtuje się

następująco.

• W kierunku przewodzenia diodę można traktować jako

źródło napięciowe (spadek napięcia na diodzie nie zależy od

prądu płynącego przez diodę). W kierunku zaporowym

diodę można traktować jako źródło prądowe o bardzo małej

wartości prądu. Diodę można traktować jako element

nieliniowy dla całej charakterystyki lub liniowy dla pewnej

części charakterystyki prądowo napięciowej. Wartość

napięcia UF = 0,7V wynika z konieczności pokonania bariery

potencjału istniejącej na złączu p-n.

• Diody pojemnościowe to diody półprzewodnikowe w których

wykorzystuje się zjawisko zmian pojemności warstwy zaporowej
złącza p-n pod wpływem doprowadzonego z zewnątrz napięcia.
Diodę polaryzuje się w kierunku wstecznym. Pojemność diody
zależy od grubości warstwy zaporowej. Gdy wartość napięcia
polaryzującego diodę w kierunku wstecznym wzrasta wówczas
pojemność diody maleje.

Zakres zmian pojemności diody określa się z jednej strony jako
pojemność minimalną wyznaczoną przy napięciu bliskim napięciu
przebicia, z drugiej strony pojemność maksymalną wyznaczoną
przy napięciu bliskim zero. Dla typowych diod pojemność zmienia
się od kilkunastu do ponad stu pF.

Dla potrzeb pomiaru temperatury można stosować np. diodę

półprzewodnikową p-n.

Zastosowanie diody półprzewodnikowej nie jest szeroko

stosowane, choć dla potrzeb taniego

i efektywnego pomiaru temperatury dioda

półprzewodnikowa stanowi bardzo dobre rozwiązanie.