DIODY
TYP	ZAMIENNIK
BAVP 17	Diody krzemowe, małej mocy, dowolnego typu
BAYP 94	Szybkie diody krzemowe dowolnego typu
BYP 401	Diody krzemowe prostownicze, o prądzie dopuszczalnym nie mniejszym niż 1A
BYP 680	Diody krzemowe prostownicze, o prądzie dopuszczalnym nie mniejszym niż 5A polaryzacja - patrz zasady oznaczania
DIODY ZENERA
Typ	ZAMIENNIK
BZP 683 D4V7 C5V1 C5V6 C6V2	Diody Zenera dowolnego typu o podanym na schemacie napięciu przebicia
BZP 630 9V1 D 12	Diody Zenera dowolnego typu o podanym na schemacie napięciu przebicia
DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNE
TYP	ZAMIENNIK
CQYP 40	Diody świecące tej samej barwy dowolnego typu
OQZP 04	Diody świecące tej samej barwy w obudowie całoplastykowej
TRANZYSTORY
TYP	ZAMIENNIKI
BC 237 - 239 (npn) BC 307 - 309 (pnp)	BC 147 - 149 BC 107 - 109 BC 413 - 414 BCP 627 - 628 BC 157 - 159 BC 177 - 179 BC 415 - 416
BC 211 (npn) BC 313 (pnp)	Tranzystory krzemowe o prądzie dopuszczalnym 1 A i maksymalnej mocy strat 0,8 W
BD 139 (npn) BD 140 (pnp)	BD 135, BD137 BD136, BD 138 oraz inne tranzystory krzemowe o mocy strat większej od 5 W
BD 281 (npn) BD 282 (pnp)	BD 283, BD 285 BD284, BD 286 Oraz inne tranzystory krzemowe o mocy strat większej od 40 W i prądzie dopuszczalnym 7 A
BD 354 (npn) BD 355 (pnp)	Inne tranzystory krzemowe o mocy strat większej od 12 W i prądzie dopuszczalnym 3A
BDP 620 (npn)	2N 3055 i inne bardzo dużej mocy
FOTOELEMENTY I TERMISTORY
TYP	ZAMIENNIKI
Fotorezystor RP 333	Fotorezystory dowolnego typu o rezystancji zmiennej w granicach 0,5 kohma - 1 Mohma
Termistor NTC 210 10 kohma	Termistory o ujemnym współczynniku temperaturowym, w małej obudowie o nominalnej rezystancji równej 10kohma
Fototranzystor BPYP 21	Fototranzystory dowolnego typu

ZASADY OZNACZANIA ELEMENTÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH PRODUKCJI KRAJOWEJ

SPOSÓB OZNACZANIA ELEMENTU DYSKRETNEGO

B
Pierwsza litera (materiał wyjściowy)
A - materiał o szerokości pasma zabronionego 0,6...1,0 eV (taki Jak german)
B - materiał o szerokości pasma zabronionego 1,0...1,6 eV (taki jak krzem)
C - materiał o szerokości pasma zabronionego, 1,3 eV (takt jak arsenek galu, arsenofosforek galu, fosforek galu)
D - materiał o szerokości pasma zabronionego 0,6 eV (taki jak antymonek indu)
R - inne materiały

Y
Druga litera (rodzaj)
A - dioda przełączająca, detekcyjna, mieszająca (sygna­łowa) i stabilistor małych napięć
B - dioda o zmiennej pojemności (warikap)
C - tranzystor małej i średniej mocy, małej częstotliwości x)
D - tranzystor mocy, małej częstotliwości xx)
E - dioda tunelowa
F - tranzystor małej i średniej mocy, wielkiej częstotli­wości x)
G - element powielający złożony z różnych struktur
H - sonda do mierzenia pola magnetycznego (czujnik Halla)
K - generator Halla w otwartym obwodzie magnetycznym (np. czujnik sygnałowy, magnetometr)
L - tranzystor mocy, bardzo wielkiej częstotliwości xx)
M - generator Halla w zamkniętym obwodzie magnetycznym (np. modulator lub powielacz Halla)
P - element optoelektroniczny czuły na promieniowanie ­fotodetektor (np. fotodioda, fototranzystor, foto­rezystor)
Q - element optoelektroniczny fotogeneracyjny (promieniu­jący; np. dioda elektroluminescencyjna, transoptor, wskaźnik cyfrowy, oświetlacz czytnika)
R - tyrystor małej mocy x)
S - tranzystor imp. (przełączający) małej i średniej mocy x)
T - tyrystor mocy x)
U - tranzystor impulsowy (przełączający) mocy xx)
Y - dioda prostownicza tłumląco - usprawniająca wysoko­sprawna
X - dioda powielająca mikrofalowa (np., waraktor, ładunko­wa, lawinowa, Gunna)
Z - stabilistor (dioda Zenera)
-------------
x) Ethj-c > lSstC. xx) Rthj-c<= 15stC


YP80
Jedna litera i trzy cyfry (lub dwie litery i dwie cyfry) P lub E - umowny symbol wytwórcy; może być pominięty w oznaczeniu typu wyrobu, jeżeli to oznaczenie, obudowa oraz dane techniczne są zgodne z charakterystyką wyrobu według katalogu Międzynarodowego Stowarzyszenia Naukowe­go PRO ELECTRON
P i trzy cyfry - element do sprzętu powszechnego użytku
E i trzy cyfry - element w obudowie u (mikrominiaturowy)
YP i dwie cyfry - element do sprzętu profesjonalnego x)
AP i dwie cyfry - element do sprzętu specjalnego xx)
----------------
x) zamiast litery Y stosuje się też litery V, W, X, 1
xx) zamiast litery A stosuje się też litery B, C, D, E, P

50
Liczba poprzedzona znakiem "-" określa w woltach maksy­malną wartość impulsowego napięcia wstecznego diody pro­stowniczej małe) i średnie) mocy
Litera poprzedzona znakiem "-" określa tolerancję napię­cia stabilizacji: A - 1%, B - 2%, C - 5%, D - 10%, E - 15% litera V określa miejsce przecinka, jeśli napięcie stabi­lizacji jest liczbą ułamkową

R
R - polaryzacja odwrotna (obudowa połączona z anodą); polaryzacji normalnej (obudowa połączona z katodą) nie oznacza się


Uwaga. Oznaczenia nie wynikające z wyżej podanego klucza mają następujące wyroby:
4BYP401-40, 48YP401-80 - cztery diody prostownicze typu BYP40T w układzie mostka Graetza,
NTC - termistory o ujemnym współczynniku termicznym,
CQ11BP, CQ12BP, CQ128PA - transoptory,
CTR - termistory o skokowej rezystancji,
DG51, DG52 - diody germanowe impulsowe,
D2G1...7 - diody złączowe germanowe (prostownicze),
TG2...55 - tranzystory germanowe małej mocy, małej czę­stotliwości.



SPOSÓB OZNACZANIA TYPU UKŁADU SCALONEGO

U
Pierwsza litera (wykonanie):
U - układ scalony półprzewodnikowy monolityczny bipo­larny
R - układ scalony hybrydowy
M - układ scalony ze strukturami MOS

C
Druga litera (spełniana funkcja):
C - układ cyfrowy
L - układ analogowy
R - układ inny (np. mieszany bierny)

Y
Trzecia litera lub brak litery (przeznaczenie): brak litery - do sprzętu powszechnego użytku '
A - do sprzętu specjalnego
Q - do sprzętu specjalnego o podwyższonej niezawodności
Y - do sprzętu profesjonalnego
T - do sprzętu profesjonalnego o podwyższonej niezawodności
X - prototypowe, doświadczalne lub na zamówienie

7
Pierwsza cyfra (zakres dopuszczalnej temperatury pracy w °C): 1 - inny zakres
4 - -55...+85
5 - 'SS...+125
6 - -40...+85
7 - 0...+70
8 - -25...+85

400
Liczba porządkowa składająca się z numeru seryjnego oraz oznaczenia funkcji lub typu;
- w wypadku układów scalonych monolitycznych analogowych: 000...099 - modulatory i demodulatory
100...199 - układy wielofunkcyjne uniwersalne
200...249 - wzmacniacze p.cz., radiowe i telewizyjne 250...299 - inne układy radiowe i telewizyjne
300...399 - wzmacniacze małych sygnałów m.cz.
400...499 - wzmacniacze mocy m.cz.
500...599 - układy zasilające i stabilizujące
600...699 - Dekodery stereo- i kwadrofoniczne
700....799 - wzmacniacze operacyjne i komparatory
800...899 - przetworniki i generatory
900...999 - inne
- w wypadku układów scalonych monolitycznych cyfrowych może być uzupełniona literą w celu określenia właści­wości charakterystycznych układu:
H - serie szybkie (np. HCY74HOON)
L - serie o małym poborze mocy
S - serie bardzo szybkie

N
Ostatnia litera (rodzaj obudowy):
P - obudowa płaska metalowa izolowana od układu
5 - obudowa płaska metalowa mająca kontakt elektryczny z podłożem układu t z zaciskiem masy
H - obudowa płaska z nieprzewodzącego materiału ceramicznego
J - obudowa dwurzędowa z nieprzewodzącego materiału ceramicznego
N - obudowa dwurzędowa plastykowa
L - obudowa kubkowa metalowa o zaciskach umieszczonych na okręgu koła
K - obudowa czterorzędowa plastykowa
H - obudowa czterorzędowa plastykowa z wkładką radiatorową
P - obudowa czterorzędowa plastykowa z radiatorem bocznym zagiętym
T - obudowa czterorzędowa plastykowa z radiatorem bocznym prostym
R - obudowa inna

Uwaga. Występują ponadto oznaczenia nie wynikające z wyżej podanego klucza, np. HRY0800

---