Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Bibliografia:
Urządzenia techniki komputerowej, K. Wojtuszkiewicz
Pamięci
1
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
2
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
3
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
4
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
5
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
6
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
7
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci półprzewodnikowe
Wstęp
Pamięci półprzewodnikowe są jednym z bardzo ważnych elementów systemów cyfrowych. Służą
one do przechowywania informacji w postaci cyfrowej. Ilość informacji, które mogą przechowywać
pojedyncze układy scalone pamięci, zawiera się w zakresie od kilobajtów do dziesiątków
megabajtów.
W pierwszej części podamy ogólne informacje na temat pamięci, takie jak ich podział ze względu
na własności użytkowe i różnice technologiczne, podstawowe parametry oraz sposób łączenia
pojedynczych układów pamięci w większe bloki.
8
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Następnie krótko omówimy działanie i własności pamięci dynamicznych RAM, ze szczególnym
uwzględnieniem ich zastosowania w komputerach.
Kolejny fragment jest poświęcimy krótkiemu przeglądowi własności pamięci ROM.
Na zakończenie omawiamy moduły pamięci stosowane w technice komputerowej.
9
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
10
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
11
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
12
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięciami półprzewodnikowymi nazywamy cyfrowe układy scalone przeznaczone do
przechowywania większych ilości informacji w postaci binarnej.
Podstawowymi parametrami pamięci są pojemność i czas dostępu.
Pojemnością pamięci nazywamy maksymalną ilość informacji, jaką możemy przechować w danej
pamięci.
Pojemność pamięci podajemy w bitach (b) lub bajtach (B). Podkreślamy, co zresztą zostanie
dokładnie wyjaśnione przy omawianiu organizacji pamięci, że pojemność pamięci nie jest ilością
słów, które możemy w niej przechowywać.
13
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Czasem dostępu do pamięci w przypadku operacji odczytu nazywamy czas, jaki musi upłynąć od
momentu podania poprawnego adresu odczytywanego słowa w pamięci do czasu ustalenia się
poprawnej wartości tego słowa na wyjściu pamięci, lub w przypadku operacji zapisu - czas jaki
upłynie do momentu zapisania wartości do tego słowa z wejścia pamięci.
W technice komputerowej używane są praktycznie pamięci półprzewodnikowe o dostępie
swobodnym (w odróżnieniu na przykład od dostępu sekwencyjnego w pamięciach
recyrkulacyjnych).
Pamięcią o dostępie swobodnym nazywamy pamięć, dla której czas dostępu praktycznie nie zależy
od adresu słowa w pamięci, czyli od miejsca, w którym jest przechowywana informacja.
14
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Ze względu na własności użytkowe, pamięci półprzewodnikowe podzielimy na pamięci RAM i
ROM.
Pamięcią RAM (Random Access Memory) nazywamy pamięć półprzewodnikową o dostępie
swobodnym przeznaczaną do zapisu i odczytu. Pamięć RAM jest pamięcią ulotną, co oznacza, że po
wyłączeniu jej zasilania informacja w niej przechowywana jest tracona.
Pamięcią ROM (Read Only Memory) nazywamy pamięć półprzewodnikową o dostępie swobodnym
przeznaczaną tylko do odczytu. Pamięć ROM jest pamięcią nieulotną.
15
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Z podanych własności pamięci wynikają ich zastosowania w technice komputerowej. Z pamięci
RAM buduje się tak zwaną pamięć operacyjną komputera, przeznaczoną do przechowywania w
trakcie pracy systemu danych oraz programów (gdyż RAM jest pamięcią do zapisu i odczytu).
W pamięci ROM przechowuje się programy inicjujące pracę komputera, gdyż muszą być one
przechowywane w pamięci nieulotnej.
Ze względu na technologię wykonania, pamięci RAM dzielimy na dwie podstawowe grupy:
pamięci dynamiczne - DRAM
pamięci statyczne - SRAM.
16
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pomiędzy tymi dwoma grupami pamięci występują istotne różnice w ich parametrach i
własnościach użytkowych. Pamięci dynamiczne są pamięciami wolniejszymi od pamięci statycznych,
natomiast są znacznie tańsze (szczególnie gdy uwzględnimy koszt jednego bitu). Ponadto pamięci
dynamiczne znacznie łatwiej podlegają scalaniu, co oznacza, że dla porównywalnej wielkości układu
uzyskujemy w nich znacznie większe pojemności.
17
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
18
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
19
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Wadą pamięci dynamicznych jest również fakt, że dla poprawnego ich funkcjonowania
konieczny jest tak zwany proces odświeżania. Polega on na cyklicznym, ponownym zapisie
przechowywanej informacji do komórek tej pamięci.
20
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Z porównania własności tych pamięci wynika miejsce ich zastosowania w technice
komputerowej. Pamięci dynamiczne stosowane są do budowy głównej pamięci operacyjnej
komputera, co wynika z ich niskiej ceny i dużych pojemności układów scalonych tej pamięci. Wadą
tych pamięci w porównaniu z pamięciami statycznymi jest przede wszystkim ich szybkość działania.
Jednakże ze względów ekonomicznych (cena) i technologicznych (mniejszy stopień scalenia) nie
można zbudować pamięci operacyjnej z pamięci statycznych.
Stąd w systemach komputerowych stosuje się tak zwaną pamięć podręczną (cache), o znacznie
mniejszej pojemności w porównaniu z pamięcią operacyjną. Pamięć cache buduje się z szybkich
pamięci statycznych.
21
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Organizacja pamięci
Podstawowe wyprowadzenia układu pamięci półprzewodnikowej pokazane są na rysunku.
Podstawowe wyprowadzenia układu scalonego pamięci
Szyna wejścia/wyjścia danych (DB) służy do wprowadzania i wyprowadzania informacji do i z
pamięci. Wejście adresowe(AB) służy do dokonania wyboru, na którym z wielu słów w pamięci
zastanie wykonana operacja (zapisu bądz
odczytu). Wejście sterujące R/W# informuje układ
pamięci, jakiego rodzaju operacja będzie wykonywana: odczyt czy zapis. Wreszcie wejście CS#
służy do uaktywnienia układu pamięci. Wejście to jest używane przy budowie zespołów pamięci
metodą łączenia dwóch lub więcej układów scalonych pamięci.
22
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Adresem nazywamy niepowtarzalną liczbę (numer) przypisaną danemu miejscu (słowu) w pamięci
w celu jego identyfikacji.
Słowem w pamięci nazywamy zestaw pojedynczych komórek pamięci, do którego odwołujemy się
pojedynczym adresem.
Ilość bitów w pojedynczym słowie pamięci będziemy nazywać długością słowa pamięci. Zauważmy,
że długość słowa pamięci musi być równa ilości wyprowadzeń szyny wejścia/wyjścia, gdyż słowa są
wprowadzane i wyprowadzane z pamięci równolegle.
23
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Z warunku unikalności adresu (czyli niepowtarzania się tego samego adresu - co jest oczywiste)
wynika z kolei minimalna ilość linii szyny adresowej. Przy m-bitowej szynie adresowej mamy do
dyspozycji 2m różnych adresów. Jeżeli ilość słów przechowywanych w pamięci wynosi N, musi być
spełniony warunek:
lub inaczej, aby poprawnie zaadresować N słów, potrzebujemy m = log2 N bitów adresu (lub linii
adresowych).
24
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Zwykle ponieważ nie jesteśmy rozrzutni i wykorzystujemy wszystkie dostępne adresy, we wzorze
tym występuje znak równości.
Wartość pojemności pamięci, długości słowa oraz ilości linii adresowych wiąże prosty i oczywisty
wzór. Jeżeli pojemność pamięci oznaczymy przez M, długość słowa przez n, a ilość linii adresowych
przez m, to spełniona jest zależność:
25
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Organizacją pamięci nazywamy sposób podziału obszaru
pamięci na słowa.
Pojęcie organizacji pamięci najprościej wyjaśnić na przykładzie. Pamięci narysowane symbolicznie
na rysunku 2 a i b mają tą samą pojemność wynoszącą 32b, różnią się natomiast organizacją.
Pamięć z rysunku a ma organizację bitową. Możemy o niej powiedzieć, że jest to pamięć 32 x lb.
Pamięć z rysunku b ma organizację bajtową, czyli jest to pamięć 4 x 8b (lub inaczej 4 x 1B).
Zwróćmy przy okazji uwagę na ilość linii danych i adresowych dla każdej z tych pamięci.
26
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
27
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
DB
M - pojemność pamięci, n - długość słowa przez,
MEM
m - ilość linii adresowych
AB
R/W#
M = n x 2m
CS#
Organizacja  bajtowa, 4x1B
Organizacja  bitowa, 32x1b
R/W#
R/W#
CS#
CS#
dane adres
dane adres
Rys. Organizacja pamięci
28
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
A
ączenie układów pamięci
Budowa bloków (banków) pamięci polega na łączeniu układów scalonych pamięci o określonej
pojemności i organizacji w ten sposób, aby uzyskać zespoły pamięci o większej pojemności i/lub o
zmienionej długości słowa. Stąd problem rozbudowy pamięci możemy podzielić na dwa podstawowe
przypadki:
" zwiększanie (rozszerzanie) długości słowa przy niezmienionej ilości słów
" zwiększanie ilości słów przy niezmienionej długości słowa.
Oczywiście obydwa przypadki mogą występować (i w praktyce często występują) jednocześnie.
29
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Zwiększanie długości słowa
W celu zwiększenia długości słowa pamięci, szerszą magistralę danych budujemy z bitów linii
danych kolejnych układów scalonych pamięci, natomiast magistralę adresową i sygnały sterujące
łączymy równolegle. Połączenie równoległe wejść adresowych oznacza, że we wszystkich układach, z
których budujemy blok o większej długości słowa, wybieramy słowa położone w takim samym
miejscu. Nie ma żadnego powodu, aby robić inaczej, gdyż jest to rozwiązanie najprostsze. Podobnie
z sygnałami sterującymi. Musimy uaktywnić wszystkie układy scalone przechowujące słowa
składowe tworzące słowo o zwiększonej długości, stąd równoległe połączenie sygnałów CS#. I
wreszcie na wszystkich słowach składowych wykonujemy tę samą operację, zapis lub odczyt, co
wymaga równoległego połączenia sygnałów R/W#.
30
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
31
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Przykład
Załóżmy, że mamy do dyspozycji układy scalone pamięci o organizacji 1M x 4b (pojemność 4Mb)
oraz 1M x lb (pojemność 1 Mb) i chcemy zbudować pamięć o organizacji 1M x 9b (czyli o słowach
bajtowych z bitem kontroli parzystości).
Rysunek 3. Rozszerzanie długości słowa pamięci
Zwróćmy uwagę, że ilość linii adresowych nie zmieniła się (gdyż nie zmieniła się ilość słów),
natomiast zmieniła się ilość linii danych.
32
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Opisany sposób jest przykładowo stosowany przy budowie modułów SIMM (ang. Single In Line
Memory Module), co schematycznie pokazano na rysunku 4 .
Rysunek 4. Wygląd modułu typu SIMM
33
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Zwiększanie ilości słów w pamięci
Zwiększenie ilości słów pamięci oznacza zwiększenie ilości potrzebnych adresów, a co za tym idzie -
rozbudowę szyny adresowej o dodatkowe bity potrzebne do uzyskania tych adresów. Przy
niezmienionej długości słowa szyna danych pozostaje bez zmian. Dodatkowe bity adresu służą, przy
wykorzystaniu dekodera, do wyboru jednego z łączonych układów pamięci, z którego odczytamy
lub do którego zapiszemy informację. Wyboru dokonujemy przy użyciu wejścia CS#
uaktywniającego układy scalone pamięci. Magistrale adresowe, danych i sygnały sterujące układów,
z których budujemy nowy blok pamięci, łączymy równolegle.
34
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
35
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Przykład
Załóżmy, że mamy do dyspozycji układy pamięci 256k x 4b i chcemy zbudować blok pamięci
1Mx4b.
Do jego budowy musimy użyć czterech
układów scalonych pamięci oraz dekodera.
Bity A19 i A18 adresu, podawane na
dekoder, uaktywniają dokładnie jedno z
jego czterech wyjść. Powoduje to z kolei
uaktywnienie dokładnie jednego układu
scalonego pamięci. W ramach tego układu
przy pomocy pozostałych bitów adresu
wybieramy słowo, na którym zostanie
wykonana operacja zapisu bądz
odczytu.
36
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Jeżeli moduł pamięci SIMM potraktujemy jako pojedynczy układ scalony pamięci (co jest możliwe,
gdyż linie adresowe i sterujące układów wchodzących w jego skład są połączone równolegle),
możemy traktować budowę banku pamięci poprzez łączenie kilku modułów SIMM jako przypadek
zwiększania ilości słów w pamięci.
37
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
38
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci dynamiczne RAM
Pamięci dynamiczne RAM, w skrócie DRAM, są pamięciami pozwalającymi uzyskiwać duże
pojemności w pojedynczym układzie scalonym. Zasada działania komórki pamięci dynamicznej
opiera się na magazynowaniu ładunku na określonej, niewielkiej pojemności elektrycznej.
Pojemność nie naładowana oznacza 0 logiczne, pojemność naładowana oznacza zapisaną 1 logiczną.
Sposób przechowywania (kodowania) stanów logicznych powoduje potrzebę odświeżania, czyli
cyklicznego doładowywania tych pojemności.
39
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Obsługa pamięci DRAM
Schemat blokowy układu adresowego pamięci DRAM oraz rodzaje jego wyprowadzeń pokazane są
na rysunkach.
Adres słowa, na którym chcemy wykonać operację, podawany jest w dwóch równych częściach
zwanych adresem wiersza i adresem kolumny. Zmniejsza to ilość potrzebnych wyprowadzeń szyny
adresowej i upraszcza konstrukcję dekoderów adresu. Z drugiej strony układy logiczne sterujące
pracą pamięci muszą dokonać konwersji adresu, podawanego przez procesor czy innego zarządcę
magistral, na postać wymaganą przez pamięć DRAM.
40
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
41
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
42
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Przykładowy układ dokonujący takiej konwersji pokazany jest na następnym rysunku . Sygnał
podany na wejście S multipleksera wybiera, czy starsza, czy też młodsza część adresu jest podawana
na jego wyjście.
Drobne różnice występują też w wejściach sterujących pamięci. Zamiast wejścia R/W# mamy dwa
wejścia: OE# - zezwolenie na wyprowadzenie (odczyt) informacji (ang. Output Enable) i WE# -
zezwolenie na zapis (ang. Write Enable). Sygnał CE# (ang. Chip Enable) jest równoważny
sygnałowi CS#. Sygnały RAS# i CAS# związane są z wprowadzaniem adresu do pamięci.
43
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
44
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
45
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Poprawne zaadresowanie pamięci DRAM wymaga wykonania po kolei następujących czynności:
1. Podanie starszej części adresu na linie adresowe pamięci DRAM jako adresu wiersza, a następnie
wytworzenie aktywnego zbocza sygnału RAS#, powodującego zapamiętanie tego adresu w rejestrze
zatrzaskowym adresu wiersza.
2. Odmierzenie określonego, wymaganego opóz
nienia czasowego.
3. Podanie młodszej części adresu na linie adresowe pamięci DRAM jako adresu kolumny i
wytworzenie aktywnego zbocza sygnału CAS#, powodującego zapamiętanie tego adresu w rejestrze
zatrzaskowym adresu kolumny.
46
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Następnie, zgodnie z sygnałami sterującymi OE# lub WE#, wykonywana jest operacja odczytu lub
zapisu na zaadresowanym słowie. Po operacji odczytu odmierzane jest kolejne opóz
nienie czasowe
przed rozpoczęciem następnego cyklu, potrzebne do doładowania pojemności komórek
pamiętających odczytywane słowo. Wynika to stąd, że w trakcie sprawdzania stanu takiej
pojemności jest ona w znacznej mierze rozładowywana.
Przebiegi na wyprowadzeniach pamięci DRAM w przypadku odczytu pokazane są na rysunku .
Stan niski na wejściu OE# sygnalizuje operację zapisu. Po
pojawieniu się na wejściu adresowym pamięci adresu
wiersza (S=0) jest on zatrzaskiwany w rejestrze
zatrzaskowym adresu wiersza opadającym zboczem
sygnału RAS#. Następnie sygnał S zmienia wartość na 1 ,
co powoduje podanie na wejście adresowe pamięci adresu
kolumny. Adres ten jest zatrzaskiwany w rejestrze
zatrzaskowym kolumny opadającym zboczem sygnału
CAS#. Zbocze opadające sygnału CAS# musi zostać
47
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
opóz
nione w stosunku do zbocza
opadającego sygnału RAS# o określony czas,
zwany opóz
nieniem sygnału CAS# względem
sygnału RAS#, oznaczanego przez tD RAS_CAS.
Po zatrzaśnięciu adresu kolumny oraz
zdekodowaniu adresu wiersza i kolumny
zawartość zaadresowanego słowa pojawia się
na wyprowadzeniach danych układu pamięci.
Przypominamy, że czas, jaki upływa od
momentu podania prawidłowego adresu
przez zarządcę magistral do momentu
pojawienia się poprawnych danych na magistrali adresowej, nazywamy czasem dostępu. Czas ten
oznaczany jest przez ta . Po odczycie zawartości słowa musi upłynąć kolejny odcinek czasu
potrzebny do doładowania komórek pamięci odczytywanego słowa (ang. precharge delay). Dopiero
wówczas może się rozpocząć kolejny cykl dostępu do pamięci. Minimalny czas pomiędzy dwoma
kolejnymi cyklami oznaczamy przez tc.
48
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
49
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
50
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
51
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
52
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
53
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Cykl magistrali - stany oczekiwania
Dostęp do pamięci musi odbywać się z zachowaniem określonych zależności czasowych. Z drugiej
strony praca magistrali taktowana jest zegarem o określonej częstotliwości, będącej zwykle
podwielokrotnością częstotliwości zegara taktującego procesor. Wartość tej częstotliwości zależy też
od rodzaju magistrali (ISA, PCI). Zegar magistrali oznaczany jest przez BCLK (ang. Bus Clock).
Dla magistrali ISA pojedynczy cykl magistrali realizowany jest w ciągu dwóch taktów zegara
magistrali (BCLK) oznaczanych przez Ts
(ang. send status) lub Tl oraz Tc (ang.
petform command) lub T2. Dla większych
częstotliwości tego zegara lub wolniejszych
pamięci konieczne jest opóz
nienie wykonania
operacji na pamięci. Przykładowo w
przypadku operacji odczytu musimy
poczekać, aż na magistrali danych
Stany oczekiwania przy dostępie do pamięci DRAM
54
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
ustalą się prawidłowe wartości bitów odczytywanego słowa. Opóz
nienie to jest realizowane przez
wstawienie dodatkowych taktów zegara
magistrali zwanych stanami oczekiwania
(ang. wait states). Na rysunku pokazano
przykładowe cykle odczytu bez stanu
oczekiwania i z jednym stanem oczekiwania
oraz cykl zapisu z jednym stanem
oczekiwania. Cykle te mogą być rozdzielone
czasem, podczas którego na magistrali nie
są wykonywane żadne operacje.
Stan taki, oznaczany przez Tj nazywamy stanem uśpienia magistrali (ang. idle state).
Na rysunku , w celu jego uproszczenia, pominięte zostały sygnały CAS i RAS (tak byłoby w
przypadku pamięci statycznych). Nie zmienia to w żaden sposób idei stanów oczekiwania.
55
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
56
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
57
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Odświeżanie pamięci DRAM
Odświeżanie komórek pamięci DRAM polega na cyklicznym doładowywaniu pojemności
pamiętających przechowujących wartość 1. Częstotliwość odświeżania zapewniająca poprawną
pracę pamięci DRAM jest podawana przez producenta jako parametr katalogowy, którego należy
przestrzegać. Operacja odświeżania pamięci realizowana jest przez układy logiczne odświeżania,
będące elementem systemu (płyty głównej).
Istnieją cztery podstawowe sposoby odświeżania pamięci dynamicznych RAM:
" sygnałem RAS (ang. RAS only)
" CAS przed RAS (ang. CAS-before-RAS)
" odświeżanie ukryte (ang. hidden refresh)
" autoodświeżanie (ang. self-refresh).
58
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Najczęściej spotykanym sposobem jest odświeżanie sygnałem RAS. Na sygnał z generatora
odświeżania, układy logiczne odświeżania przejmują kontrolę nad magistralami (stają się zarządcą
magistral). Następnie podają one na magistralę adresową zawartość tak zwanego licznika
odświeżania. Licznik ten adresuje kolejne wiersze przeznaczone do odświeżenia i po każdym
odświeżeniu kolejnego wiersza jest zwiększany o jeden.
Po podaniu adresu generowany jest sygnał RAS powodujący odświeżenie zaadresowanego
wiersza. Wysoki stan sygnału CAS# powoduje, że wyjście danych pamięci jest w stanie wysokiej
impedancji.
59
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Dwa następne sposoby wymagają obecności w układach pamięci wewnętrznego licznika
odświeżania. W sposobie CAS przed RAS sterownik DRAM wytwarza aktywny sygnał CAS, a
następnie sygnał RAS. W odpowiedzi na taką sekwencję układy pamięci DRAM odświeżają wiersz
wskazywany przez ich wewnętrzny licznik odświeżania. Przy odświeżaniu ukrytym po wytworzeniu
aktywnych poziomów sygnałów RAS i CAS i odczycie komórki, sygnał RAS zmienia kolejno stan na
nieaktywny i aktywny przy stale aktywnym sygnale CAS. Powoduje to pozostawienie zawartości
odczytywanej komórki na wyjściach danych przy jednoczesnym (równoległym) odświeżeniu wiersza
zaadresowanego przez wewnętrzny licznik odświeżania pamięci.
Odświeżanie automatyczne stosowane jest przy mniejszych pojemnościach pamięci
dynamicznych. W tym przypadku układy logiczne odświeżania są zawarte wewnątrz układów
pamięci, a potrzebę odświeżenia kolejnego wiersza sygnalizuje się aktywnym stanem na wejściu
REFRESH# pamięci.
60
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Dostęp w trybie stronicowania i jego odmiany
Dostęp do pamięci w trybie stronicowania jest sposobem na przyspieszenie współpracy z
pamięcią DRAM. Wykorzystuje się tu dwa fakty. Po pierwsze większość odczytów dokonywana jest
spod kolejnych, położonych koło siebie adresów. Oznacza to, że starsza część adresu, adres wiersza,
nie zmienia się, a zmienia się jedynie adres kolumny. Wyjątkiem są tu słowa położone kolejno na
początku i końcu wiersza.
61
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Drugim wykorzystywanym faktem jest to, że czas tD RAS.CAS stanowi około 50% czasu dostępu.
Jeżeli przy odczytach kolejnych słów nie będziemy zmieniać adresu wiersza, a jedynie adres
kolumny, to czas dostępu do pamięci ulegnie skróceniu (w przybliżeniu o czas opóz
nienia sygnału
CAS względem RAS). Wszystkie odmiany trybu pracy ze stronicowaniem opierają się właśnie na tej
zasadzie.
Jednocześnie realizacja efektywnego trybu ze stronicowaniem wymaga od procesora
możliwości adresowania potokowego, czyli możliwości podania adresu następnego słowa jeszcze w
czasie realizacji dostępu do słowa poprzedniego.
62
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Dostęp w trybie stronicowania
Pmięć pracująca w trybie stronicowania wymaga
pewnych dodatkowych układów przedstawionych na
następnym rysunku. Początek dostępu do pamięci
jest prawie identyczny jak dla zwykłych pamięci
DRAM.
Praca pamięci DRAM w trybie stronicowania
Najpierw podawany jest adres wiersza, który jest zatrzaskiwany w rejestrze zatrzaskowym wiersza
wewnątrz pamięci. Adres ten jest jednak zapamiętywany w rejestrze zatrzaskowym znajdującym
się w bloku sterownia pamięcią Następnie podawany jest adres kolumny, zatrzaskiwany w rejestrze
zatrzaskowym kolumny wewnątrz układu pamięci.
63
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Kolejny dostęp różni się od poprzedniego. Po podaniu nowego adresu przez zarządcę magistral jego
część będąca adresem wiersza jest porównywana z zawartością rejestru adresu wiersza w układzie
sterowania pamięcią. Jeżeli jest ona identyczna, układ sterowania pamięcią DRAM utrzymuje stan
niski sygnału RAS# do końca bieżącego cyklu odczytu. Dla pamięci DRAM pracującej w trybie
stronicowania oznacza to, że kolejny dostęp dotyczy słowa położonego w tym samym wierszu i
należy wczytać jedynie adres kolumny. Powoduje to ominięcie generowania opóz
nienia sygnału
CAS# względem RAS# i załadowanie od razu adresu kolumny sygnałem CAS#.
64
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
65
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
66
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Dostęp w trybie seryjnym (Burst)
Dostęp w trybie seryjnym (ang. burst) stosowany jest przy współpracy pamięci głównej z
pamięcią cache. Pamięć ta odczytuje bądz
zapisuje informacje liniami, których długość zależy od
rozwiązania pamięci cache i przykładowo dla systemów z procesorem 80486 wynosi 16 bajtów.
Ponieważ procesor ten ma magistralę danych 32-bitową (4 bajty), do wypełnienia linii potrzeba 4
dostępów do pamięci. Operacje te dotyczą jednak kolejnych, leżących obok siebie słów. Oznacza to,
że adres wiersza nie będzie się zmieniał, zaś adres kolumny przy każdym kolejnym dostępie będzie
większy o jeden. Jeżeli wewnątrz pamięci umieścimy układ, który będzie zwiększał wartość adresu
kolumny o 1 po każdym podaniu zbocza aktywnego sygnału CAS#, to taka pamięć może pracować
w trybie Burst.
67
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
W trybie tym podajemy adres wiersza i kolumny pierwszego słowa. Następnie podajemy
kolejne zbocza aktywne sygnału CAS#, nie podając kolejnych adresów kolumny, gdyż generowany
jest on wewnątrz pamięci. Zysk czasowy wynika z braku konieczności zapewnienia tak zwanego
czasu ustalania oraz czasu przetrzymania dla adresu kolumny.
Praca pamięci DRAM w trybie seryjnym (Burst)
68
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
69
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Przeplot pamięci
Inną metodą pozwalającą zwiększyć szybkość komunikacji z pamięcią jest stosowanie tak zwanego
przeplotu. Pomysł bazuje na fakcie, że większość odczytów z pamięci dokonywana jest z kolejnych,
położonych obok siebie słów. W przypadku odczytów następujących jeden po drugim musimy
zapewnić czas na doładowanie pojemności pamiętających. Możemy jednak sąsiadujące słowa
rozmieścić na przemian w dwóch różnych bankach (układach scalonych) pamięci (adresy parzyste
w jednym, nieparzyste w drugim). Wówczas przy odczycie kolejnych słów, po odczytaniu słowa z
pierwszego banku możemy bez oczekiwania dokonać odczytu z drugiego banku, gdyż jest to odczyt
z innego układu scalonego. W tym czasie w pierwszym banku zostaną doładowane pojemności
pamiętające komórek odczytanego wiersza.
70
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięć SDRAM i DDRAM
Modyfikacja pamięci SDRAM polega na zsynchronizowaniu operacji pamięć z zewnętrznym
zegarem. Opisywane do tej pory pamięci pracowały asynchronicznie w stosunku do procesora,
który z kolei jest układem synchronicznym. Synchronizacja operacji pamięci z zegarem procesora
pozwala osiągnąć optymalną szybkość współpracy obydwu układów. Pamięć SDRAM szczególnie
nadaje się do współpracy z pamięcią podręczną (cache).
71
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci DDRAM pozwalają dwukrotnie zwiększyć szybkość przesyłania danych (transfer)
magistrali pamięci bez zmiany częstotliwości zegara taktującego tę magistralę. Jest to korzystne,
gdyż zwiększanie częstotliwości taktujących pociąga za sobą niekorzystne zjawiska, takie jak wzrost
wartości pojemności pasożytniczych, poboru energii i tym podobnych. Dla pamięci DDRAM wzrost
szybkości przesyłania danych uzyskano poprzez taktowanie transmisji zarówno narastającym jak i
opadającym zboczem przebiegu zegarowego.
72
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Przegląd stosowanych pamięci DRAM
Na rynku obecnych jest kilka rodzajów pamięci dynamicznych RAM. Najstarszym,
wychodzącym już powoli z użycia, są pamięci oznaczane jako FPM RAM (ang. Fast Page Modę
RAM). Stosowane przy współpracy z nimi metody przyspieszania dostępu to: adresowanie
potokowe, praca z przeplotem oraz odczyt seriami (burst). Przy obecnych szybkich procesorach
obsługiwane są one w sekwencji 5-3-3-3 (podane liczby określają ilość cykli magistrali potrzebne do
wykonania kolejnej operacji). Czasy dostępu do tych pamięci są rzędu 60-70 ns.
73
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Następcą pamięci FPM RAM były pamięci EDO RAM (ang. Enhanced Data Output RAM). W
pamięciach tych zmniejszona jest ilość cykli oczekiwania o 1 dzięki temu, że dane utrzymywane są
na wyjściu pamięci po przejściu sygnału CAS# w stan wysoki. Pozwala to wcześniej wyznaczyć
następny adres w wierszu. Dane są zdejmowane z wyjścia pamięci dopiero po ponownym przejściu
sygnału CAS# w stan niski. Pamięci EDO mogą pracować w sekwencji cykli 5-2-2-2.
74
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Kolejnymi układami pamięci są pamięci SDRAM. Jest to pamięć, na której operacje
przebiegają synchronicznie z taktem zegara systemowego. Sygnały sterujące powodują wykonanie
określonej operacji po pojawieniu się aktywnego zbocza (np. narastającego) na wejściu zegarowym.
Taki tryb pracy eliminuje dodatkowe stany oczekiwania pojawiające się w wyniku przypadkowych
przesunięć czasowych pomiędzy taktem procesora a sygnałami taktującymi działanie pamięci (dla
zwykłych pamięci DRAM sygnały te nie są ze sobą zsynchronizowane, czyli przesunięcia czasowe
pomiędzy nimi są przypadkowe). Moduły tych pamięci mają organizację 64-bitową, dostosowaną do
szerokości magistrali procesora Pentium. Ich konstrukcja jest optymalizowana pod kątem pracy w
trybie Burst (tryb ten jest predestynowany do współpracy z pamięcią cache). Istnieje możliwość
programowania długości tego odczytu (równej 2, 4, 8 lub 512 kolumn).
75
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci SDRAM potrafią pracować w sekwencji 5-1-1-1 nawet dla częstotliwości magistrali
lokalnej równej 100 MHz, aczkolwiek wymagają wówczas starannego zaprojektowania połączeń z
układami, które z nimi współpracują.
Pamięci DRAM, w celu umożliwienia szybkiej ich wymiany i rozbudowy pamięci, umieszczane są na
tak zwanych modułach. Obecnie spotykamy się z dwoma rodzajami modułów: SIMM (ang. Single
In-line Memory Module) o szerokości magistrali danych równej 32 bity (już praktycznie nie
używane) i DIMM o 64-bitowej magistrali danych (72 bity, uwzględniając bity kontroli parzystości).
W modułach DIMM, czyli w nowszym standardzie, stosowane są z pamięci SDRAM i DDRAM.
76
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Osobną grupę pamięci DRAM stanowią pamięci przeznaczone do zastosowań w adapterach
(kartach) graficznych. Prócz standardowych pamięci DRAM stosuje się specjalne ich odmiany,
pozwalające efektywniej realizować operacje graficzne. Należą do nich pamięci VRAM, będące
pamięciami dwuportowymi. Nazwa bierze się stąd, że do pamięci tych mogą mieć równoległy dostęp
dwa układy, na przykład mikroprocesor i procesor graficzny adaptera graficznego, co przyspiesza
wykonywanie operacji graficznych. Drugim typem pamięci stosowanych w adapterach graficznych
są pamięci SGRAM. Pamięci te przeznaczone są na przykład do współpracy z akceleratorami
graficznymi.
77
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pomiar szybkości pamięci DRAM
Najlepszym pomiarem szybkości pamięci jest czas cyklu modułu - jest to czas potrzebny do
przeprowadzenia całego cyklu pracy. Czas cyklu 10 ns oznacza, że w ciągu jednej sekundy
możliwych jest 100 milionów cykli pracy, a układy mogą pracować z zegarem do 100 MHz. Aby
osiągnąć częstotliwość 133 MHz, musicie mieć moduły 7.5 ns; do 166 MHz natomiast - 6.0 ns.
Nazewnictwo pamięci
Zabawa w przezwiska była o wiele prostsza w przypadku konwencjonalnych pamięci SDR-
SDRAM, którą oznaczało się w zależności od częstotliwości zegara (PC100, PC133 SDRAM). Reguły
zmieniły się wraz z wprowadzeniem pamięci DDR. Nowe moduły są oznaczane pochodną
maksymalnej przepustowości (w MB/s). Tak więc PC2100 to pamięć DDR266, PC2700 to DDR333,
itd.
78
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci ROM
Pamięć ROM (ang. read only memory) jest pamięcią nieulotną, przeznaczoną tylko do odczytu.
Nieulotność oznacza, że po wyłączeniu napięcia zasilania tej pamięci, informacja w niej
przechowywana nie jest tracona (zapominana). Określenie, że jest to pamięć tylko do odczytu, nie
jest równoznaczne z tym, że zawartości tej pamięci w określonych warunkach nie można zmieniać.
Dla niektórych typów technologicznych pamięci ROM jest to możliwe. Określenie  tylko do
odczytu" oznacza, że do pamięci tej nie możemy zapisywać danych w trakcie jej normalnej pracy w
systemie.
Podział pamięci ROM, oparty jest przede wszystkim na własnościach użytkowych tych pamięci,
choć niewątpliwie ma to związek z zasadą ich działania i technologią wykonania. Niektóre z
wymienionych typów pamięci ROM nie są już używane, a podajemy je, ponieważ były pewnym
etapem w rozwoju tych pamięci.
79
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Podstawowymi typami pamięci ROM są:
MROM (ang. mascable ROM) - pamięci, których zawartość jest ustalana w procesie produkcji
(przez wykonanie odpowiednich masek - stąd nazwa) i nie może być zmieniana. Przy założeniu
realizacji długich serii produkcyjnych jest to najtańszy rodzaj pamięci ROM. W technice
komputerowej dobrym przykładem zastosowania tego typu pamięci jest BIOS obsługujący
klawiaturę.
PROM (ang. programmable ROM) - pamięć jednokrotnie programowalna. Oznacza to, że
użytkownik może sam wprowadzić zawartość tej pamięci, jednakże potem nie można jej już
zmieniać. Cecha ta wynika z faktu, że programowanie tej pamięci polega na nieodwracalnym
niszczeniu niektórych połączeń wewnątrz niej. Obecnie ten typ pamięci nie jest już używany.
80
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
EPROM - pamięć wielokrotnie programowalna, przy czym kasowanie poprzedniej zawartości
tej pamięci odbywa się drogą naświetlania promieniami UV. Programowanie i kasowanie
zawartości tej pamięci odbywa się poza systemem, w urządzeniach zwanych odpowiednio
kasownikami i programatorami pamięci EPROM. Pamięć ta wychodzi już z użycia.
EEPROM - pamięć kasowana i programowana na drodze czysto elektrycznej. Istnieje
możliwość wprowadzenia zawartości tego typu pamięci bez wymontowywania jej z systemu
(jeżeli oczywiście jego projektant przewidział taką opcję), choć czas zapisu informacji jest
nieporównywalnie dłuższy niż czas zapisu do pamięci RAM. W tego typu pamięci
przechowywany jest tak zwany Flash-BIOS czyli oprogramowanie BIOS, które może być
uaktualniane (przez wprowadzanie jego nowej wersji).
81
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pewną odmianą pamięci związaną z pamięciami ROM, choć nie należącą ściśle do tej grupy,
jest pamięć NVRAM (ang. non volatile RAM). Stanowi ona połączenie pamięci SRAM z pamięcią
EEPROM. Pamięć NVRAM może być odczytywana i zapisywana. Wprowadzona informacja może
jednak zostać przepisana do pamięci typu EEPROM. Zapewnia to zachowanie zawartości tej
pamięci po wyłączeniu napięcia zasilania. Czas zapisu do pamięci EEPROM jest oczywiście
znacznie dłuższy niż czas dostępu do pamięci SRAM (rzędu kilkunastu ms). Nie jest to jednak
istotne, gdyż przepisanie zawartości pamięci SRAM do EEPROM nie następuje po każdym zapisie
do pamięci SRAM, a jedynie na  żądanie", np. sygnałem STORE# (zachowaj). Przykładem
zastosowania tych pamięci może być przechowywanie parametrów konfiguracji urządzeń
wprowadzonych w trakcie danej sesji pracy z urządzeniem, które chcemy zachować w celu ich
użycia w kolejnych sesjach.
82
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci
Pamięć jako układ przeznaczony do przechowywania informacji binarnej można scharakteryzować następującymi
parametrami:
pojemność
szybkość
koszt
pobór mocy
Pojemność pamięci określa ilość informacji jaką można w niej przechować wyrażoną w bitach, bajtach lub
słowach.
Pamięć dzielona jest na fragmenty (w zależności od typu pamięci) umożliwiające adresowanie.
W pamięci operacyjnej są to fragmenty określane długością słowa (8, 16, 32, 64 bity). Pojemność określa się
podając liczbę słów i długość słowa, np. 512Kx64 - 219 słów 64-bitowych.
W pamięciach masowych fragmentami są sektory (setki lub tysiące słów).
83
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Szybkość pamięci określa jak często procesor (lub inne urządzenie) może z niej korzystać.
Szybkość pamięci można określać przez:
czas dostępu - czas od momentu zażądania informacji z pamięci do momentu, w którym ta informacja ukaże
się na wyjściu pamięci
czas cyklu - najkrótszy czas jaki musi upłynąć pomiędzy dwoma żądaniami dostępu do pamięci
szybkość transmisji - określa ile bajtów (bitów) można przesłać pomiędzy pamięcią a innym urządzeniem w
jednostce czasu.
Koszt pamięci określa cenę jaką należy ponieść za uzyskanie wysokich parametrów pamięci.
Pobór mocy określa jakie jest zapotrzebowanie energetyczne na realizację funkcji pamięci zwłaszcza przy dążeniu do
wzrostu jej pojemności.
Podstawowa klasyfikacja pamięci
W systemach komputerowych występuje pewna hierarchia rodzajów pamięci, w której na najwyższym poziomie
mamy pamięci o wysokim koszcie, niewielkiej pojemności i krótkim czasie dostępu a na najniższym poziomie -
pamięci o niższym koszcie, dużej pojemności ale za to długim czasie dostępu. Hierarchia ta obejmuje:
1. Pamięć rejestrową procesora - kilkanaście rejestrów 16 i 32 bitowych stanowiących funkcjonalnie integralną
część procesora, do których dostęp odbywa się za pomocą multiplekserów sterowanych przez układ sterujący
procesora; jest droga, czas dostępu do niej to ułamki nanosekundy, a jej zawartość istnieje tylko w czasie pracy
procesora; pamięć ta jest pamięcią statyczną zbudowaną jako układ przerzutników; ona to musi być
najszybsza w systemie komputerowym, gdyż na jej zawartości procesor wykonuje bezpośrednio operacje
arytmetyczne i logiczne.
84
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
1. Pamięć podręczna (ang. cache) - jest to kilkaset KB pamięci statycznej o dostępie swobodnym zintegrowane z
procesorem; jej zawartość istnieje tylko w czasie podłączenia zasilania (tj. pracy procesora); w pamięci tej
przechowywane są najczęściej używane fragmenty zawartości pamięci operacyjnej; jest to pamięć droga, czas
dostępu do niej wynosi kilka nanosekund i jest wyraz
nie krótszy od czasu dostępu do pamięci operacyjnej, co
daje wydatne skrócenie cyklu maszynowego.
2. Pamięć operacyjna - kilkadziesiąt lub kilkaset MB pamięci częściowo stałej o dostępie swobodnym (ROM) na
część systemową i dynamicznej o dostępie swobodnym (DRAM) na część użytkową; jest stosunkowo tania, czas
dostępu do niej to kilkanaście nanosekund; zawartość pamięci dynamicznej istnieje tylko przez kilkadziesiąt
milisekund w czasie podłączenia zasilania i wymaga odświeżania; jest używana do przechowywania danych i
kodów zadań aktualnie potrzebnych do wykonywania.
3. Pamięć masowa - kilka lub kilkadziesiąt GB pamięci przede wszystkim dyskowej, do której czas dostępu
wynosi kilka milisekund; jest tania a jej zawartość jest trwała (nie licząc starzenia się zapisu magnetycznego na
dysku); służy do przechowywania wszystkich stale używanych w danym systemie komputerowym kodów
programów i danych.
4. Pamięć zewnętrzna - wymienne dyski lub częściej kasety do tzw. streamerów, pamięć taśmowa o stosunkowo
długim i to sekwencyjnym sposobie dostępu ale i o praktycznie nieograniczonej pojemności; bardzo tania, ale
nadająca się tylko do przechowywania archiwaliów programów i danych.
Pod względem trwałości długoterminowej zapisu pamięci dzielimy na:
1. Stałe - w których zapis nie ulega zniszczeniu po wyłączeniu zasilania w systemie komputerowym (np. pamięci
półprzewodnikowe ROM zaprogramowane przez producenta, lub programowane przez użytkownika
UVPROM, EEPROM, pamięci dyskowe, itp.);
2. Ulotne - w których zapis ulega zniszczeniu po wyłączeniu zasilania (np. pamięci operacyjne, podręczne,
rejestrowe, itp.).
85
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pod względem sposobu dostępu pamięci dzielimy na:
1. Pamięć o dostępie swobodnym (ang. Random Access Memory - RAM) - do której dostęp odbywa się przez
adres i jest równie szybki do każdej komórki pamięci (np. pamięć operacyjna).
2. Pamięć o dostępie cyklicznym - do której dostęp możliwy jest okresowo w pewnych odstępach czasu (np.
pamięć dyskowa).
3. Pamięć o dostępie sekwencyjnym - do której dostęp do kolejnych komórek odbywa się w pewnej stałej
kolejności (np. pamięć taśmowa)
4. Pamięć asocjacyjna - do której dostęp odbywa się w sposób kierowany wewnętrznymi adresami ustalającymi
kolejność przeszukiwania komórek.
Pod względem trwałości krótkoterminowej zapisu pamięci dzielimy na:
1. Pamięć statyczną - zrealizowaną na układach przerzutnikowych bistabilnych, w której zawartość istnieje
dopóki włączone jest zasilanie; pamięć tę charakteryzuje duża szybkość działania, znaczny pobór mocy,
stopień złożoności komórki i koszt.
2. Pamięć dynamiczną - zrealizowana na dynamicznych układach pamiętających MOS, gdzie czynnikiem
pamiętającym jest naładowanie pojemności bramkowej tranzystora MOS; zapis ten zanika po kilkudziesięciu
milisekundach na skutek rozładowywania się tej pojemności; w porównaniu z pamięciami statycznymi
charakteryzuje ją większa od pamięci statycznych skala upakowania (ilość powierzchni układu scalonego
zajmowana przez jednostkę pojemności), mniejszy pobór mocy i koszt jednostki pojemności, ale jednocześnie
mniejsza szybkość działania.
86
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci RAM: rodzaje, magistrale
Statyczna  Static RAM (sRAM)
szybka, dość droga  typowa pamięć używana w  małych
systemach mikroprocesorowych, służy również jako pamięć
buforująca między pamięcią operacyjną i procesorem (tzw.
pamięć cache - poziomu /level/ I, II, III)
Dynamiczna  Dynamic RAM (DRAM)
tania i bardzo szybka - pamięć wymagająca cyklicznego
odświeżania zawartości (poprzez odczytywanie), używana w
 dużych systemach, np. PC
Asynchroniczna FPM DRAM (Fast Page Mode), EDO RAM
Synchroniczna  SDRAM  dominuje w PC
Podwójnej wydajności  Dual Data Rate (DDR)
- transmisja na obu zboczach zegara taktującego
RAMBUS (RDRAM)  duża wydajność, nowe rozwiązania.
87
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięć RAM statyczna
88
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
89
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci RAM - magistrale
90
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
91
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
92
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
93
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
94
Podstawowe informacje o pamięciach półprzewodnikowych
Pamięci RAM - moduły
Symbol układu Pojemność pamięci
4164 64 K razy 1 bit
4464 64 K razy 4 bity
41128 128 K razy 1 bit
44128 128 K razy 4 bity
41256 256 K razy 1 bit
44256 256 K razy 4 bity
41000 1 M razy 1 bit
44000 1 M razy 4 bity
 Szeroka magistrala danych =
duża szybkość + duża liczba wyprowadzeń (pinów)
95