Wartości częstotliwości granicznych można ustawić wg kolejności: fmax > fα > f1 > fT > fβ

Istnieją

następujące

powiązania

między

poszczególnymi

częstotliwościami granicznymi: fT = f1 (w odpowiednich warunkach); fT ≈ fα;

fα ≈│h │

21e

fβ

fT

f

=

gdzie: r

max

bb’Cjc jest stałą czasowa tranzystora 8π r

C

bb'

jc

W przypadku tranzystorów przeznaczonych do pracy przy wielkich częstotliwościach tranzystor powinien mieć:

małą powierzchnię złącza E-B oraz C-B,

cienką bazę o dużym gradiencie domieszek w bazie (tranzystor dryftowy),

dużą ruchliwość nośników w bazie,

małą grubość warstwy zaporowej C-B,

małą rezystancję szeregową kolektora.

Dokładniej analizując zagadnienie można dostrzec, że niektóre z wyżej przedstawionych wymagań są sprzeczne.