Polprzewodniki review97


POLPRZEWODNIKI (http://pclab.pl/art25561.html)

jeśli nośnikami prądu są ładunki ujemne, to umowny kierunek prądu jest przeciwny do kierunku ich ruchu uporządkowanego;

Rodzaje ładunków q :

0x08 graphic
-Atom np. sodu -Cząsteczka - grupa atomów ( np. woda H2O)

0x01 graphic

Jon - atom lub grupa atomów która ma niedomiar lub nadmiar elektronów w stosunku do protonów.

Obojętne elektrycznie atomy i cząsteczki posiadają równą liczbę elektronów i protonów, jony zaś są elektrycznie naładowane dodatnio lub ujemnie.

Jony naładowane dodatnio nazywa się kationami, zaś ujemnie anionami. Atom tracący elektron przekształca się w jon dodatni, zwany kationem ,a atom przyjmujący elektron przekształca się w jon ujemny, czyli anion.

Domieszka - jon lub atom obcej substancji wprowadzany do sieci krystalicznej ciała stałego

0x08 graphic
Domieszkowanie - wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika. Nadmiar elektronów powoduje powstanie półprzewodnika typu n.(donorowa). Nośnikami prądu są elektrony.

W typie p nośnikami prądu są dziury (akceptorowa). Oporność materiałów typu p jest z reguły większa niż materiałów typu n.

Nośnik ładunku - obiekt przenoszący ładunek elektryczny podczas przepływu prądu. Dla metali nośnikami są to elektrony, dla półprzewodników mogą być to zarówno elektrony, jak i dziury

Koncentracje nośników ładunku w półprzewodnikach można zmieniać w bardzo szerokich granicach, zmieniając temperaturę półprzewodnika lub natężenie padającego na niego światła.Zwiekszenie temperatury Si samoistnego o 1* powoduje zwiekszenie się nośników o 8,3%.

Półprzewodnik samoistny - ilość dziur = elektronow wiec nie ma co przewodzić prądu (?) ; nie bo nosnikami nie tylko są te z domieszki.

PRZEWODNOŚĆ:

0x01 graphic

q=1,6.10^-19C -ładunek elementarny,

0x01 graphic
- ruchliwości nośników

Złącze PN - półprzewodnik w którym wystepuje zmiana typu przewodnictwa

0x01 graphic

przewodnictwo przewodnictwo

za pomocą dziur za pomocą elektronów

;po tej stronie jest potencjał V=0 po tej np. V=0.7V

Nieruchomy ładunek dodatni po stronie N hamuje przepływ dziur z obszaru P, natomiast ładunek ujemny po stronie P hamuje przepływ elektronów z obszaru N.

0x08 graphic

Vj - wysokość bariera potencjału , zazwyczaj 0,7 V( bariera maleje z temperatura)

E - napięcie jest 0 dla części N i P , dla przejściowej ma amplitudę Emax

Czemu ustala się stałe napięcie na diodzie np. Led 2.0V ? z czego to wynika i czemu prąd wsteczny jes taki mały.

Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: P i N.W obszarze typu N występują nośniki większościowe ujemne (elektrony) oraz unieruchomione w siatce krystalicznej atomy domieszek (donory). Analogicznie w obszarze typu P nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim oraz atomy domieszek (akceptory). W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych.

0x01 graphic

Zmiana zewnętrznego napięcia nie powoduje zmiany napięcia na diodzie

PROSTOWANIE

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic
0x01 graphic
0x01 graphic

DiodaZenera
Dioda Zenera wykorzystuje tę właściwość złącz p-n, która w przypadku zwykłych diod jest zgubna, a mianowicie przekroczenie maksymalnego napięcia wstecznego, przy którym prąd bardzo szybko wzrasta. W przypadku diod Zenera napięcie to jest dokładnie określone i nazywane jest napięciem Zenera U
Z.

Dużym zmianom prądu diody ID towarzyszą bardzo małe zmiany spadku napięcia UAK i przyjmuje się, że napięcie na diodzie nie zmienia się i jest równe napięciu Zenera UZ.  Diody takie stosuje się do stabilizacji napięć stałych.

0x01 graphic
0x01 graphic

Najprostszy układ stabilizacji napięcia stałego z wykorzystaniem diody Zenera przedstawiony jest na rys. 3.8. Rezystor R1 ustala wartość prądu płynącego przez diodę i do obciążenia

Tranzystor

Symbole graficzne tranzystorów npn i pnp oraz ich diodowe modele zastępcze

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
3b Właściwości optyczne półprzewodników
3 Podstawy fizyki polprzewodnik Nieznany (2)
F 11 Półprzewodnik akceptorowy
otrzymywanie polprzewodnikow
Korbutowicz,optoelektronika,Technologia wytwarzania półprzewodnikowych struktur optoelektronicznych
Applications and opportunities for ultrasound assisted extraction in the food industry — A review
2 Materiały półprzewodnikowe
cw8?danie właściwości optycznych półprzewodników
pamieci polprzew
3 Materiały półprzewodnikowe, własności, wytwarzanie i ich obróbka mechaniczna [tryb zgodności]
3 Diody półprzewodnikowe +
Harvard Business Review zarzadzanie produktem
c03 2012 el polprzewodnikowe
Harvard Business Review Zarzadzanie marka
Clean In Place Review
111-4, materiały studia, 111. WYZNACZANIE SZEROKOŚCI PRZERWY ENERGETYCZNEJ W PÓŁPRZEWODNIKU METODĄ T

więcej podobnych podstron