Politechnika lubelska
Nazwisko i imię: Mariusz Gerhant Michal Zaremba				Symbol grupy: ED.4.4
Data wyk. ćwiczenia: 98.03.18	Symbol ćwiczenia: 2		Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych
Ocena:		Data:			Podpis:

Cel ćwiczenia:

Zapoznanie się z charakterem pracy tranzystora zastosowanego jako przełącznik.

Wykonanie ćwiczenia:

( Na żadnym wykresie nie pojawia się funkcja czasu opóźnienia t_d=f(K_F), ponieważ wartości tej funkcji jakie odzczytalismy z oscyloskopu byly bardzo małe ( wartosci odczytu mogly byc bledne).)

Schemat pomiarowy do punktów 1. i 2.

1.Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.

U_CEodc=0,5V I_Bmin=0,5mA

Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Tabl. 2.

KF	IB	Uz
-----	mA	V
1	0,1	0,5
2	0,2	0,76
4	0,4	1,42
8	0,8	2,68
16	1,6	4,2

Praca tranzystora w układzie przełącznika.

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

Schemat pomiarowy do punktu 3.1.

Tabl. 3.1.

KF	Uz	td	tn	tp	to
-----	V	ms	ms	ms	ms
1	0,4	---	56	16	40
2	0,6	---	20	40	40
4	1,3	---	10	50	40
8	2,5	---	5	64	40
16	5,0	---	2	75	40

Wykres do tabl. 3.1.

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączania tranzystora.

Schemat pomiarowy do punktu 3.2.

Tabl. 3.2.

CB	KF	td	tn	tp	to
pF	-----	ms	ms	ms	ms
100	1	---	16	3,5	8
100	2	---	8	8	8
100	4	---	4	10	8
100	8	---	2	12	8
100	16	---	1	16	8
500	1	---	20	6	2
500	2	---	10	8	2
500	4	---	6	8	2
500	8	---	4,5	10	2
500	16	---	2	12	2

Wykres do tabl. 3.2:

Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.

Schemat pomiarowy do punktów 3.3.1. i 3.3.2.

3.3.1 Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia

tranzystora

U_CEodc=10,5V I_WEmin=0,1mA

Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Tabl. 3.3.2.

KF	IWE	Uz
-----	mA	V
1	0,05	1,2
2	0,1	1,35
4	0,3	1,7
8	0,4	2,45
16	0,8	3,8

Wyznaczanie wartości czasów przełączania.

Schemat pomiarowy do punktu 3.3.3:

Tabl. 3.3.3.

KF	Uz	td	tn	tp	to
-----	V	ms	ms	ms	ms
1	1,51	---	48	8	20
2	1,8	---	20	15	20
4	2,5	---	9	24	20
8	3,8	---	4	32	20
16	6,6	---	2	39	20

Wykres do tabl. 3.3.3:

Wnioski:

Czasu opóźnienia jak i jego zmian ( bardzo mała wartość ) postanowilismy pominac. Czułość i jakość użytego oscyloskopu nie były wystarczające. W pierwszym ćwiczeniu obserwujemy wpływ przesterowania tranzystora. Czym większe przesterowanie, tym bardziej udaje nam się skrócić czas narastania. Jednak to skrócenie odbywa się kosztem wzrostu czasu przeciągania. Na czas opadania wielkość przesterowania nie posiada znaczącego wpływu. Dzieje się tak we wszystkich konfiguracjach danego układu ( z kondensatorem przyspieszającym i z polaryzacją zaporową ).

Aby wydatnie skrócić wszystkie czasy można zastosować kondensator przyspieszający, który włączamy równolegle z rezystancją bazy ( jeżeli istnieje taka możliwość ). Zastosowanie kondensatora o mniejszej pojemności, pozwala bardziej skrócić czasy narastania
i przeciągania. Aby maksymalnie skrócić całkowity czas należy dobrać tak pojemność kondensatora, żeby optymalnie współgrała z wartością przesterowania. Przy mniejszym przesterowaniu korzystniejsze jest zastosowanie kondensatora o mniejszej pojemności, natomiast gdy zwiększamy przesterowanie tranzystora należy też zwiększyć pojemność kondensatora. Włączenie źródła napięcia jako polaryzacji zaporowej wymusza automatycznie zwiększenie amplitudy generowanego impulsu. Możemy zaobserwować bardzo znaczny spadek długości czasów przeciągania i opadania co daje ogólnie wpływ bardzo korzystny.

8

---