AGH - Katedra Elektroniki		Krzysztof Malik Jerzy Machał
Laboratorium: Elektronika
Wydział: EAiE	Rok: 1997/98		Grupa studencka: 4
Kierunek: Elektrotechnika	Rok studiów: III		Semestr: 5
Temat ćwiczenia: Tranzystory bipolarne i unipolarne .
Data wykonania ćwiczenia: 16.10.97		Datazaliczenia:

1. Krótki opis wraz ze schematem pomiarowym.

Tranzystory są grupą elementów elektronicznych o regulowanym przepływie ładunków elektrycznych.

Ze względu na zasadę działania tranzystory dzieli się na dwie grupy:

- tranzystory bipolarne.

- tranzystory unipolarne.

Rozróżnia się trzy zasadnicze układy pracy tranzystora:

- układ ze wspólnym emiterem OE.

- układ ze wspólną bazą OB.

- układ ze wspólnym kolektorem OC

Charakterystyki tranzystorów podają wzajemne zależności pomiędzy prądami przepływającymi przez tranzystor a napięciami między jego elektrodami. Dostarczają więc wielu informacji dotyczących własności i możliwości zastosowania tych elementów półprzewodnikowych w układach elektronicznych.

I. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego BC177 w układzie WE I_B==f(U_BE) , U_CE=const

1. U_CE=0 V

IB[^A]	UBE[V
2	0.12
3	0.45
4	0.48
10	0.53
19	0.56
30	0.58
45	0.60
60	0.60
71	0.61
80	0.62
90	0.62
100	0.63

2. U_CE=5 V

IB[^A]	UBE[V]
1	0.18
2	0.25
3	0.64
4	0.65
5	0.66
6	0.67
7	0.68
8	0.68
10	0.70

II Charakterystyka przejściowa ( sprzężenia zwrotnego ) tranzystora bipolarnego BC177 w układzie WE

U_BE=f(U_CE) ; I_B=const

1. J_B=40 [A]

UBE[V]	UCE[V]
0.59	0
0.65	0.51
0.73	1.00
0.82	1.41
0.82	2.05
0.82	3.01
0.82	4.05
0.82	5.13
0.82	7.02
0.81	8.52
0.8	9.98

2. J_B=80 [A]

UBE[V]	UCE[V]
0.66	0
0.87	0.47
0.92	1.10
0.92	2.06
0.98	4.15
0.87	5.08
0.85	7.10
0.83	8.45
0.84	9.34

III Charakterystyka przejściowa ( prądowa ) tranzystora bipolarnego BC177 w układzie WE I_C=f(I_B) ;U_CE=const

1. U_CE=0 V

IC[10^-3a]	IB[10^-6A]
0	0
4.0	0.2
6.0	1
9.8	10
10	43
10.2	80
10.3	90
10.3	100

2. U_CE=5 V

IC[10^-3a]	IB[10^-6A]
0	0
1,85	10
8,52	30
18.5	50
25.5	80
29.8	100

4. Charakterystyka wyjściowa tranzystora bipolarnego BC177 w układzie WE I_C=f(U_CE) ; I_B=const

1. I_B=20 

UCE[V]	IC[mA]
0.21	3.01
1.94	5.02
2.52	5.82
5.15	6.5
6	6.76
8.35	7.38
9.08	7.41
10.18	7.31

2. I_B=50 

UCE[V]	IC[m A]
0.22	4.69
1.01	12.25
2.05	13.92
3.25	15.01
5.35	17.01
6.06	17.95
8.7	19.43
9.69	19.55

3. I_B=80 

UCE[V]	IC[m A]
0.2	5.08
1.1	18.75
2.11	21.12
4.01	23.07
5.25	24.61
6.12	26.24
8.45	28.97
9.41	29.96

V. Obliczamy elementy macierzy h:

4. Wnioski:

-pewna niezgodność wykresów doświadczalnych z wykresami teoretycznymi wynika z błędów wynikających z klas użytych przyrządów oraz z wpływu czynników zewnętrznych.

-elementy macierzy h są obarczone błędem związanym z określeniem przyrostów na wykresie; związane jest to z dokładnością podziałki wykresu.

---