POLITECHNIKA ŚLĄSKA

GLIWICE

WYDZ. ELEKTRYCZNY

SEMESTR 4 INŻ.

LABORATORIUM ELEKTRONIKI.

Tranzystor polowy.

Grupa E1 s.1

Polak Marcin

Konrad Jaroszek

Knop Mariusz

Ormański Paweł

1. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora polowego MOSFET z kanałem wzbogaconym typu p.

2. Wyznaczenie napięcia progowego.

UDS[V]	ID[μA]	UP[V]
5	10	4.2
10	10	4.2

-

A

D

- G V

0 - 15 V V 5 M S

+ +

3. Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej

UGS[V]	UDS[V]	ID[mA]	UGS[V]	UDS[V]	ID[mA]	UGS[V]	UDS[V]	ID[mA]
6	0.225	0.05	8	0.5	0.55	10	0.5	1
6	0.425	0.1	8	1	1.4	10	1	2.1
6	0.8	0.5	8	1.5	2	10	1.5	3
6	2	0.85	8	2	2.5	10	2	3.8
6	4	0.9	8	3	3.1	10	3	6
6	6	0.94	8	4	3.3	10	4	6.5
6	8	0.96	8	5	3.4	10	5	7

4. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej.

UDS[V]	UGS[V]	ID[mA]	UDS[V]	UGS[V]	ID[mA]
5	-4.2	0.01	10	-4.2	0.01
5	-4.2	0.02	10	-4.5	0.02
5	-6.0	0.5	10	-5.5	0.5
5	-6.5	1	10	-6.5	1
5	-7.0	1.5	10	-7.0	1.5
5	-7.5	2	10	-7.5	2
5	-8.0	3	10	-8.0	3
5	-8.5	4	10	-8.5	4
5	-9.5	5	10	-9.0	5
5	-10	6	10	-9.5	6
5	-10.5	7	10	-10	7
5	-11	8	10	-10.5	8
5	-11.5	9	10	-11	9
5	-12.5	10	10	-11.5	10

5. Wyznaczenie wzmocnienia wzmacniacza tranzystorowego .

Uwe[V]	fwe[Hz]	Uwy[V]	Cwe[nF]	ku
1	1000	1.5	0.1	1.5
1	1000	2.1	1	2.1
1	1000	2.1	10	2.1

6. Schemat zastępczy tranzystora polowego.

G i_d D

Ugs Ugs* g_m ∼ g_DS U_DS

S

5. Parametry dynamiczne.

Obliczamy transkonduktancję g_m oraz konduktancję wyjściową g_DS.

Odpowiednio transkonduktancje wynoszą :

U_DS = 5 V g_m = 1.5 [ mA / V ]

U_DS = 10 V g_m = 1.6 [ mA / V ]

Natomiast konduktancje wyjściowe wynoszą :

U_GS = - 6 V g_DS = 0,23 [ mA / V ]

U_GS = - 8 V g_DS = 0,46 [ mA / V ]

U_GS = - 10 V g_DS = 0,80 [ mA / V ]

7. Wnioski.

Przy obliczaniu parametrów dynamicznych można zauważyć , że wraz ze wzrostem napięcia dren - źródło wzrasta nieznacznie transkonduktancja , natomiast konduktancja wyjściowa wraz z obniżeniem napięcia bramka - źródło maleje. W stanie nasycenia konduktancja jest bardzo nieznaczna i w zasadzie trudna do wyznaczenia , ponieważ zmiany prądu drenu w tym zakresie są niewielkie. Otrzymane wyniki zgadzają się z założeniami teoretycznymi. Wartości transkonduktancji są rzędu kilku miliamperów na wolt. Konduktancja wyjściowa w zakresie liniowym charakterystyk wyjściowych wynoszą 0,23 - 0,80 [ mA / V ].

5

---