Wielkość fizyczna	Typowy półprzewodnik	Typowy izolator
	Szerokość pasma zabronionego WG [eV]	0,8	≥ 5
Konduktywność istotna, oba rodzaje nośników ruchliwe	Gęstość swobodnych nośników prądu [m-3]	2,8⋅1018	10-18 (T = 300K) 1 (T = 500K)
		Ruchliwość swobodnych nośników μ [m-2V-1s-1]	10-4 ÷1	≤ 10-8
		Konduktywność [Ω-1m-1]	10-5 ÷10-6	≤ 10-45
		Masa efektywna m*/mo	0,1	1
	Konduktywność wywołana, dodatki zjonizowane prawie nieruchome	Przenikalność optyczna K = n2	16	2,5
		Energia jonizacji [eV]	5⋅10-3	2
		Koncentracja dodatków N [m-3]	1018 ÷1024	≤ 1026
		Koncentracja dodatków zjonizowanych [m-3]	1018 ÷1024 prawie wszystkie centra są zjonizowane w temperaturze otoczenia	≤ 2⋅10-9 (T=300K) ≤ 105 (T=500K)
		Konduktywność wywołana [Ω-1m-1]	1,6⋅10-5 ÷1,6⋅105	≤ ⋅10-35 (T=300K) ≤ 2⋅10-22 (T=500K)

1

1

tabl_01.doc

---