1. Właściwości fizyczne i elektryczne izolatorów półprzew. i przewodnikowych. rys.(model pasmowy a. izolatora półprzew, W↑W_C (Wg)W_V b.przewodnika ↑W,W_V,W_C) Podstawowy podział: materiałów ze względu na ich własności jest tzw układ pasmowy w którym wyróżnia się trzy pasma przewodzenia (zakres energii który posiadają elektrony swobodne), podstawowe (zakres energii który posiadają elektrony na ostatniej powłoce), zabronione (zakres energii który nie mogą posiadać elektrony. W zależności od wielkości pasma wzbronionego wszystkie materiały dzieli się na: przewodniki, izolatory (pasmo te jest dużo >2eV), półprzew. (pasmo <=2eV). Główne cechy materiałów półprzew. jest ich zależność od różnych warunków fizycznych: temperatura, światło, pole elektr i magnetyczne.2. Zjawisko generacji i rekombinacji nośników półprzew. Generacja- przechodzenie z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa. Aby ją wywołać trzeba dostarczyć energię. Rekombinacja- oddawanie energii przez elektrony przy przechodzeniu z wyższego poziomu na niższy. Rys (Wf(x) ↑generacja, ↓rekomb)3. Otrzymywanie półprzew. typu ,,p”, własności. Rys (Wf(), pasmo podst (cz. ele.) nieco ↑ poziom akceptorowy z dziurami naj↑ p. przewod) Jeżeli do przewodnika IV wart. doprowadzi się pierw. III wart. to w sieci krystalicznej zabraknie jednego elektronu do wytwarzania 4 wiązań. Powstaje w ten sposób niekompletne wiązanie- powstanie dziura. Nośnikiem większościowym są dziury. Nośnikiem mniejszościowym są elektrony którego ilość zależy od temp. Ilość nośników większościowych zależy od koncentracji domieszki.

2/5. Podstawowe etapy otrzymywania półprzew. domieszkowych. -uzyskanie (zw. SI) czystego polikrystalicz. Si w postaci laski, -cięcie diamentem na plasterki, -proces szlifowania, -domieszkowanie za pomocą działka elektronowego lub metoda implantacyjną, -dołączenie końcówek (ze złota) 6. Omów warystor i termistor. Warystor to rezystor którego rezystancja zależy od napięcia. Jest zbudowany ze związków SI, połączony lepiszczem. Rys (ścieżka p w podkładzie n+) Gdzie R- rezystancja (charakt. logaryt), J-(ch-ka potęgowa) J=(1/c)*u^1/β gdzie c-stała, β współ. nieliniowości waryst (0.2-1). Rodzaje warystorów: dyskowe WD, walcowe WN. Warystory znalazły zast. w układach stabilizacji napięć, zabezpieczenia zasilaczy i generatorów, jako ograniczniki w energetyce, w miernictwie do kompensacji nieliniowości, w układzie zabezpieczenia tranzystora lub diody. Termistory -rezystory półprzew. których rezystancja zależy od temperatury. Zmiana wart. rezystancji może nastąpić na wskutek wzrostu temp otoczenia termistora lub wydzielonego w nim ciepła. W zależności od charakteru tej zmiany rozróżniamy termistory o ujemnym(NTC R=f(T)↓→liniowo) i dodatnim (PTC →→↑) współ. temp. rezyst. oraz skokowej zmiany rezyst. (CTR ^→↓_→↑). Rys. Wykorzystywane są z sproszkowanych tlenków :kobaltu, miedzi, aluminium, manganu, żelaza. Stosuje się je do pomiarów: temp metodą oporową, mocy w zakresie mikrofal, ciśnienia gazów, poziomu cieczy. Stosuje się je też w układzie sygnalizacji, regulacji i stabilizacji temperatury oraz do kompensacji temperaturowej układów elektronicznych.

3/4. Otrzymywanie półprzew. ,,n”. Rys(pasm. podst. ↑poziom donorowy,(cz ele) nieco↑ pasm przew) Jeżeli do czystego kryształu Germanu lub Krzemu wprowadzi się pierwiastek pięcio- wartościowy (Arsen) to 4 spośród 5 elektronów utworzy wiązania. Pozostały elektron będzie poruszał się swobodnie. Nośnikiem większościowym są eletr. Domieszkę taką nazyw. donorową 7. Piezorezystory i fotorezystory. Piezorezystor -rezystor półprzew. którego rezystancja zależy od sił działających na niego. K- współ. tensometryczny=(ΔR/R_O)/(ΔL/L_O). Stosowane są do: pomiaru sił w wagach sklepowych, skręt wału na statku. Rys.(←cieńka warstw. półprzew→, ↑elektrody metalowe↑, podłoże dielektr) Fotorezystor- rezystor półprzew., rezystancja jego zależy od natężenia strumienia świetlnego. Rys (Tensometr SI, nakładka i podkł.izol, pręcik SI, doprowadzenie prądowe) S=ΔI/ΔE=f(E, -czułość. Zast.- pomiar strumienia świetlnego, filtry elektroniczne w elektronice.8. Gausotron, hallotron. Gausotron- półprzew. rezystor którego rezystancja zależy od indukcji magnetycznej B. Rys↑^→_←↓. Służą do pomiaru indukcji. Hallotron- jest to przyrząd półprzew. wykorzystujący zjawisko galwaniczne Halla. Rys. Wykonane są w postaci mono lub poli kryształu półprzew. U_H=J_X*B*( R_H/d). Dzielimy je na :sygnałowe-duża czułość, niezbyt liniowe charakt., pomiarowe- duża liniowość charakt. Zast.- pomiar ind magnetycznej, pomiar prądu jako układy mnożące, w automatyce jako przekaźniki bezstykowe.

4/9. Zjawiska w złączu pn bez i z polaryzacją zewnętrzną. Rys—przykłady domieszek w złączach {[(N_A-N_D)=f(x)] ­{_P^→↓_→N złącze skokowe, pn-liniowe]} Złącze pn to warstwa przejściowa istniejąca w obszarze stykania się półprzew. typu n-p. W obszarze tym dziury półprzew. typu ,,p” będą przenikały do półprzew. typu `'n”, a elektrony odwrotnie. Między jonami dodatnimi półprzew. typu `'p” powstaje pole elektryczne, które przeciwdziała dalszemu przechodzeniu dziur i elektronów. Tworzy się tzw bariera potencjałów. Rys [3 ćw. polar. w kier. zapor.I=f(U) (+elektroda p -- ++ n elektr-)] U_BP- napięcie bariery potencjału. Do półprzewodnika typu ,,n” dołącza się biegun (+) a do ,,p.” ujemny. Od złączy warstwa zaporowa rozszerza się, złącze pn staje się izolatorem polaryzacji w kierunku przewodzenia. Elektrony i dziury oddalają się. Rys [przew I=f/(U) +e pp -+ nn e-] Biegun (+) dołącza się do przewodnika typu p. , biegun (-) do przewodnika typu n. Elektrony z półprzew. typu n będą odpychane w kierunku złącza, podobnie dziury w półprzew. p. Następuje kondensacja nośników w obszarze warstwy zaporowej. W efekcie przez złącze pn zaczyna płynąć prąd 10. Klasyfikacja diod , dioda prostownicza. Diody półprzew. dzielimy na prostownicze (energetyczne, impulsowe, detekcyjne), specjalne (LED, Zenera, tunelowe, pojemnościowe, fotodiody). Dioda prostownicza- służy do prostowania prądu zmiennego w zależności od częstotliwości sygnału i kształtu. Rys [I_F=f(U_F) ch-ka diody _↑→→↑^→] U_BR Napięcie przebicia U_RSM-napięcie wsteczne niepowtarzalne, U_RRM szczytowe nap. wst powt. J_FPrąd graniczny Dla diod stosowanych dla prądów >10A stosujemy radiator który odprowadza wydzielone ciepło do otoczenia. 13. Dioda Zenera- Pracuje ona w kierunku zaporowym. P_MAX-moc admisyjna,r=ΔU/Δ

I rezyst. dynam Uz napięcie zenera, P_ad=U_z*I_max.zast., αU₂/U_Z*ΔUT temp. współ stab.-zast: stabilizacja lub ograniczanie napięć, pomiar temp.

5/14. Fotodioda. Działa na zasadzie fotoemisji. Przy polaryzacji złącza w kierunku zaporowym prąd wsteczny zależy od natężenia strumienia świetlnego. Nośniki generowane są przez światło wpływając do obwodu zwiększają prąd wsteczny. Rys (I_F=f(E) zależność prądu fotod. od natężenia prom.—liniowo w I ćw 45^O) Fotodiody wykonuje się głównie z krzemu. zast: pomiar natężenia oświetlenia, czujnik światła, fotoogniwa.15. Diody LED. Długość fali świetlnej zależy od pasma zaporowego. Napięcie do tych diod doprowadza się w kierunku przewodzenia. Promieniow. przez nie emitowane jest efektem świetlnej rekombinacji elektronów i dziur p.-n. Barwa emitowanego światła zależy od materiału użytego do budowy diody LED. Rys I=f(U). W praktyce stosuje się diody o wspólnej obudowie tzw. Wskaźnik hybrydowy. 17. Tranzystor npn, właściwości jego wzmocnienia. Rys. Z tą polaryzacją mamy do czynienia wówczas gdy złącze E-B jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia a złącze B-C zaporowo. Istnieje wtedy przepływ elektronów z E do B, część elektronów rekombinuje się z dziurami, a pozostałe przechodzą do kolektora na skutek strumienia pola elektrycznego-polaryzacja dodatnia kolektora. β-wsp wzmocnienia prądowego= J_C/J_B (5..900). 18. Określ wzmocnienie prądowe α i β. Stosunek ilości nośników przechodzących do kolektora, do nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy nazywamy zwarciowym współ. wzmocnienia prądowego α. Stosunek ilości nośników wstrzykiwanych do kolektora do ilości nośników w bazie nazywamy współ. wzmocnienia prądowego β. β=J_C/I_B ; α= J_C/I_E ; I_E=I_C+I_B ; J_E=I_C/α ; J_C/α=I_B+I_C ; I_C/I_B=1/((1/α)-1)=α/(1-α)=β.20.Ch-ki stat. OE Wejściowa ch-ka tranz. (I_C=f(U_CE) I ćw parb. wzrasta, Wyjściowa stan przew. I_C=f(-U_CE st. nieprzew) I ćw ↑^→prąd obszar aktywny-wł. sterujące i wzmacniające, st. nasycenia- zmiany I_B nie powodują zmian I_C, st. odcięcia- przy polar. wstecznej złącze E-B przez tranzysto przepływają prądy zerowe.

6/21. Parametry katalogowe tranzystorów małej mocy. Parametry statyczne β- współ. wzmocnienia prądowego β=I_C/I_B I_CO- zerowy prąd kolektora, I_E0- zerowy prąd emitera, U_CEST- spadek napięcia na tranzystorze nasyconym, F_T- max częstotl pracy, C_Z- pojemność pasożytnicza. Parametry graniczne - napięcia i prądy niszczące tranzystor P_ad- moc admisyjna, I_cm- max prąd C, U_CEM- max napięcie między C a E, P_max, T_jmax- temp pracy. Parametry dynamiczne - określają parametry przy szybkich zmianach. 23. Budowa JFET. Rys (G→I=^D/_S) Gdzie G-bramka, S-źródło, D-dren. Zasada działania: Jeżeli napięcie U_GS=0 i U_DS ma bardzo małą wart. to tranzystor zachowuję się jak rezystor. Przy narastaniu U_DS złącze kanał-bramka jest coraz silniej polaryzowane zaporowo, przy czym polaryzacja ta jest silniejsza w pobliżu drenu. Przy pewnej wart. U_DS=U_DSSAT -nastepuje zamknięcie kanału przy drenie. Dalszy wzrost napięcia powoduje, że kanał jest zamykany coraz bliżej źródła. Przyrost napięcia rozkłada się na warstwie zaporowej, nie powodując dalszego wzrostu prądu. Tranzystor wchodzi w stan nasycenia, a prąd przez niego płynący jest prądem nasycenia. Rys wyjściowa I_O=f(U_DS) 0^→ -1^→-U_P^→ przejściowa I_O=f(-U_GS)- do U_P24. Zjawiska w strukturze MOS w zależności od polaryzacji bramki. [^S/B/_D←∃I__G zubożony, wzbogacony ma rozdzielone ^S/B/_D ] Gdy Rys (G elektr. metal, ^↓ 2dielektryk ↓3półprzew, elektr. B) U_GB>0- pole elektryczne wnika w strukturę dielektryka przez izolator. Elektrony gromadzą się przy izolatorze tworząc warstwę wzbogaconą A^o za warstwą wzbogaconą powstaje warstwa zubożona B^o. Linie sił wnikają do wewnątrz struktury przez co elektrony są spychane w dół. Rys (jw. +-+). Przy dość dużym napięciu powstaje warstwa inercyjna z warstwy zubożonej o przeciwnym rodzaju przewodnictwa (dziury)- powstaje półprzew. typu ,,p” . D powinien mieć potencjał ujemny- co rozszerza kanał i wpływa na prąd SD. Jest to kanał implantowany.

7/26. Porównaj tranzystory bipolarne i polowe. Tranzystory unipolarne mają rezyst wej większą niż tranzyst bipolarne, pobierane mniejsze moce do sterowania, płaska ch-ka, szybszy czas przełączenia, wyższe częstotliwości pracy. Coraz częściej stosowane są unipolarne (wypierają bipolarne).Mniej obciążają źródło sygnału. W tranzyst bipolarnych sterowanie tranzyst odbywa się prądem. Natomiast w unipolarnych sterowanie jest napięciem. 27. Podaj budowę, transoptorów. Zadaniem ich jest separowanie obwodów elektrycznych. Rodzaje: Rys diodowy (wejLED+fotodioda) 1-3% Rys {LED+fototranz}. (wsp transmisji α_J=I₀/J_F*100% (10%-100%)), tranzystorowy ( (α_J-100-150%), Rys układ Darlingtona (α_J-100-500%). Jako fotodekoder stosuję się diody, tranzystory lub ich konfigurację 28. Podaj definicję wzm. oraz ich konfigurację. Wzm.- jest to urz. elektr., którego zadaniem jest możliwie wierne zwiększanie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału wej. bez zmiany ich wzajemnych proporcji. Podział wzm: wg poziomu częstotliwości: średniej, dużej, b.dużej, małej; wg polaryzacji tranzystora: A,,AB,B,C,D i_C=f(t); wg sygnału wchodzącego na wejście: małych sygnałów, wzm. mocy; wg współ. wzmocnienia: prądu stałego, szerokopasmowe, selektywne. 29. Schemat blokowy wzm- parametryRys (wzm→(Źródło sygnału U_I Obciążenie U_O Źródło zasilania U_ZZ) Parametry: impedancja wejściowa- z_i=U_i/I_i ;impedancja wyjściowa- z₀=U₀/J₀ ;współ. wzmocnienia mocowego k_p=P₀/P_i=U₀I₀/U_iI_i=k_uk_i ; sprawność energetyczna η_en=P₀/(P₁+P₂)<1 30.Zniekształcenia we wzm. Zniekształcenia wzm: liniowe- wynikające z niedopasowania ch-ki do szerokości pasma sygnału wzmocnionego; nieliniowe- wynikające z nieliniowości ch-ki dynamicznej wzm.

8/ 31. Omów zniekształcenia nieliniowe i zdefiniuj współ. harm. „h” Przyczyną powstania zniekształceń nieliniowych są nieliniowe ch-ki prądowo napięciowe elementów (diod, tranzyst, lamp). Sygnał na nich ulega zniekształceniu np. obcięcie części wierzchołków sinusoid. Rys .(U_Om=f(U_im)→narasta  pierwiastkowo, U_O(t)→f. sin. U_O=f(t) opis j.w. ) One powodują, że widmo sygnału wyj zawiera oprócz wszystkich częstot harm. jeszcze dodatkowo częstot, których nie ma w sygnale wej. Na wyj otrzymujemy tym większe zniekształcenie napięcia im większe są amplitudy poszczególnych harmonicznych. Wart. tych zniekształceń określa współ. zawart. harm: h_%=√(∑(U_oi)²/U_o1n²)*100%, gdzie U_OI to amplitudy poszczególnych harm. sygnału wyjściowego h_%- powinno być mniejsze od 1% (b. dobry wzm <0,01%). 33. Uniwer wzm wielostop1.przedwzm (duża rezyst wej, mała wrażliwość zakłócenia); 2-stopnie pośrednie (duży współ. wzmocnienia, szerokie pasmo. 3-wzm mocy(mała rezyst wyj małe h%) 35. Od czego zależy położenie pkt pracy tranzystora. Wyk I_C=f(I_B) -od temp, -od ch-ki obciążenia, -od doboru R_b i R_c, -od zasilania, -od stabilności napięcia polaryzującego, -od klasy wzmocnienia, -od czasu. Pkt pracy leży na przecięciu ch-ki I_B=f(U_B) (x²) z prostą o r-niu U_CC-I_CR_C-U_CE=0 37. Dwa wybrane sposoby stabilizacji pkt pracy tranzystora.za pomocą emiterowego ujemnego napięcia zwrotnego. { Rys T+R_C+R_EIIC_E, baza-masa +U_D+R_B+U_BB+≈U_S} C_E duża pojemność, I_C rośnie⇒ I_E rośnie⇒U_RE rośnie zakładając spadek napięcia na R₂=const to musi zmaleć U_EB⇒automatycznie zmaleje J_B⇒zmaleje I_C. Rys Kompensacja z tranzyst. w połączeniu diodowym {T₁+R_B1+R_C1, ET₁=ET₂ →J_EE→masa, T₂ —baza B+C do masy} I_EE=I_E1+I_E2 założenie, że tranzystory są identyczne. U_i-U_EB1+U_EB2=0 dla temp T T+ΔT⇒U_i-U_EB1+ΔU_EB+U_EB2-ΔU_EB=0. Spadek napięcia zostaje skompensowany. 38. Wzm m.s, m.cz, RC Rys.(dzielnik na bazie (R₁ i R₂)+T₂+R_EIIC_E+R_C+C₂ (R₁+R_C+U_CC) (R₂+R_E+C_E +masa) na dzielnik stop. kolejnego U_BB-U_EB-R_BBI_B=0; Dolna częstotliwość pasma przenoszenia zależy od pojemności zewnętrznych układu wzm. Górna cz. Pasma przenoszenia zależy od pojemności pasożytniczych tranzystora.

9/39. Sprzężenie zwornego Rys {(schemat blokowy: wej. U_I`→(+)sumator→U_I [k_U(jω)] →U_O -sprzęż zwrt. [β_U(jω)] na (+)sumator} gdzie k_U-wsp wzmocnienia wzm, k_U'-wsp wzmocn wzm ze sprzężeniem zwrotnym, B(jω)- transmitancja ukł sprzężenia zwrotnego. K_U'(jω)=k_U(jω)/(1+k_U(jω)β (jω). Sprzężenie jest ujemne gdy warość bezwzględna mianownika jest>1. Następuje poszerzenie pasma częstotliwości, zmniejsza wsp wzmocnienia tyle ile poszerzyło się pasmo. Gdy jest <1 to sprzężenie dodatnie-zmniejszenie pasma częstotliwości. Wzrost wsp wzmocnienia tyle razy ile zmniejszyło się pasmo. Gdy =0 -sprzężenie generacyjne- wzm. staje się generatorem. Zadaniem sprzężenia jest: korekcja ch-ki częst, zmiana rezystancji wej. wyj. i stabilizacja pkt pracy 41. Wzm. różnicowy-dryft temp. Wzm. ten stosujemy w celu kompensacji dryftu temp. Warunkiem kompensacji jest pełna symetria układu, Zmiana temp powoduje taką samą zmianę napięcia na obu tranzystorach. Następuje zmiana prądu ale napięcie U_0(2-1) nie zmienia się. 42. Wtórnik emiterowy Rys (II do R₂ napięcie U_I dzielnik napięcia, (R₁+R₂)+T+R_E →R₂ do masy, z C+R₁+U_CC własności: zwiększa rezyst. wej nie zmieniając sygnału wej. przy K_U=1, stosowany jako I stopień wzm, U_O podłączone do emitera Rys w układzie darlingtona 43.Określ parametry wzm. różnicowego.1)współ. wzmocnienia różnicowego -na wyjść.1 K_i1=ΔU₀₁/ΔU_r , -na wyjść.(2-1) K_{i (2-1)} =ΔU_0(2-1) /ΔU₂ , -na wyjść.2 K_{R 2}=ΔU₀₂/ΔU₀;2)współ. wzmocnienia dla napięcia wspólnego -K_w1=ΔU₀₁/ΔU_w; -K_w2=ΔU₀₂/ΔU_w ;-K_w(2-1)=ΔU_0(2-1) /ΔU_w gdzie : napięcie różnicowe U_R=U_i2-U_i1, napięcie wspólne U_w=U_i1-U_i2/2;3)współ. tłumienia składowej wspólnej →powinien być duży WTSW (CTMR)=K_R(2-1)/K_W(2-1) , w katalogach 20 Log K_R(2-1)/K_w(2-1) [dB]-dobry wzm. ≈120 dB, WR stosuje się w celu skompensowania dryftu temp.

10/44. Wzm. prądu stałego. Rys (schm. blokowy: U₁=WR=WR→ [stopień przesuwania potencjału]→ stp. wyj. (wtórnik)→U_O Jednostopniowy wzm. różnicowy WR zapewnia mały dryft całego wzm. Jeżeli wzmocnienie zapewnione przez pierwszy stopień jest zbyt małe stosuję się drugi stopień. W drugim stopniu korzystamy przeważnie z wyjścia niesymetrycznego, musimy kompensować bardzo duże napięcie nierównoważenia jakie na tym wyj istnieje. Robimy to za pomocą UPP (układ przesunięcia poziomego, obniża ch-kę w dół), który nie powoduje większych zmian wzmocnienia. Na wyj umieszczamy stopień o małej rez wyjściowej. 46. Symbol i parametry idealnego wzm. operacyjnego. Rys {-U₁+U₂ ↓U_R (WO+U_ZZ-U_ZZ)→U_O} a) idealny wzm. K_r→∝, -(współczynnik tłumienia WTSW→∝,K_W=0, prąd niezrówn. I_N=0, Napięcie niezrównoważenia U_N=0,nieskończenie szer. pasmo przen. f_T=∝,rezystancja różnicowa R_i(2-1)=∝; b)wzm. rzeczywisty: -K_R=10³-10¹², -WTSW=80-120 dB, -I_N=1μA-100nA, -U_N=1μV-10nV, -f_T=1-5Hz, -R_i(2-1)=10⁵-10¹⁰Ω. 48. Napięcie niezrównoważenia. Napięciem niezrównoważenia nazywamy napięcie pojawiające się na wyj wzm. po zwarciu jego wejść. Należy tak dobrać wart. potencjometru R by U_N=0. 49. W.O, zabezpieczenia. Rys 49a. Wielkości charakteryzujące W.O. U_1max=U_2max, U_rmax, I_0max, ±U_zzw, T_Wmax. Rys 49b.Dioda 1 i 2 zabezpiecza przed przekroczeniem U_1max, U_2max, dioda 3 i 4 zabezpiecza przed przekroczeniem U_rmax 50. Wzór na wzmocnienie k_U W.O ze sprzężeniem zwrotnym. U₀/U_i=G(s)=k_u, U₁-J_z1=0 ,U₀=I_z2=0 →U₀/U_i=-z₂I/z₁I→k_u=-z₂/z₁.

11/ 51. Wzór na wsp wzmocnienia napięciowego dla W nieodwracającego. Rys U₀/U_i=G(s)=k_u; U_i=R₁I₁;m. U₀=-R₂I₂, t tego U₀=-R₂U₁/R₁, k_u=dU₀/dU_i=-R₂/R₁. 52. Transmitancja sumatora i integratora. Rys {R₁+R₂+R₃→R_F(-)WO, masa+WO+R_F+U_O} Sumator I₁=U₁/R₁ , I₂=U₂/R₂ , I_u=U_u/R_u, I=∑I_i =∑U_i/R_i; U₀+R_fI=0; U₀=-R_f∑U_i/R_i. Rys {j.w zamiast R_F≡C} Integrator U₀/U₁=-z₂/z₁=-1/sCR=1/Tis=-1/RC₀∫^tU_i(τ)dτ, gdzie RC- określa szybkość całkowania. 53. Definicja wzm. mocy i klasyfikacja. Wzm. mocy (ukł elektroniczny) to wzm. którego zadaniem jest przekazanie jak największej mocy do obciążenia przy możliwie dużej sprawności energetycznej i małych zniekształceniach sygnału . Własności: -małe zniekształcenie liniowe, -duże wzmocnienie mocowe, -mała rezyst. Rodzaje wzmacniaczy mocy - stałoprądowe: stosowane w zasilaczach, regulatorach wzbudzenia prądnic, stabilizatorach, -pasmowe: urządzenia elektroakustyczne, -selektywne: stacje nadawcze, hartowanie punktowe, -impulsowe. 54. Parametry charakteryzujące tranzystor mocy P_c>1W; I_c-duże; U_CEmax-duże ;P_strat-duże, T_j-temp złącza; β=I_c/I_b-b.mały ; t_ON, t_OFF- czas złącza, U_CEsat- napięcie nasycone. 55.Schemat analogowy rozchodzenia się ciepła w tranzystorze mocy . R_th- wsp proporcjonalności, rezyst cieplna; T_j- temp krzemu; T_a- temp obudowy; T_c- temp radiatora; T_r- temp otoczenia. R_{th wyp}=R_th(c-j)+R_th(r-c)+R_th(a-r) R_th(c-j)- wart. katalogowa, R_th(r-c)- wart. szacowana ≈15%R_th(c-j), R_th(a-r)- rezyst dobierana. I↑ to R_th(a-r)↓. 56. Schemat wzm. mocy prądu stałego w ukł przeciwsobnym. Działanie i własności. Wzm. prądu stałego w układzie przeciwsobnym bez prądu spoczynkowego. Rys {baza T₁=T₂, masa z bazą U_I npn+pnp emitery zwart+R_L+masa +U_{C C}-U_{C C})} Rzeczywista ch-ka po uwzględnieniu strefy martwej. Na wyj otrzymuje się wzmocnienie równe sumie wzmocnień T₁+T₂. T₁ i T₂ powinny być identyczne. W ukł praktycznych strefa martwa jest kompensowana. Stosuje się diody. Występuje tzw prąd spoczynkowy.

12/57. Podaj w jakich klasach pracują tranzystory mocy w zależności od położenia pkt pracy. -klasa A pkt pracy jest tak dobrany, że prąd płynie przez tranzystor przez cały czas występowania sygnału, -klasa AB prąd płynie okresowo, w czasie przepływu impulsu jest większy od połowy okresu sygnału, -klasa B prąd płynie okresowo a czas przepływu impulsu wynosi połowę okresu. -klasa C prąd płynie okresowo, jest mniejszy od połowy okresu, -klasa D pracuje impulsowo (działa jak klucz), 58. Nieliniowość-eliminowanie D1 i D2 odkładają napięcie wstępnej polaryzacji aby zlikwidować strefę martwą. Przez rezystory płynie prąd spoczynkowy wstępnej polaryzacji. Po przekroczeniu 0,7V prąd płynie przez diody D3, D4 aby ograniczyć straty mocy na rezystorach. 59.Działanie wzm. przeciwsobnego zasilanego z jednego źródła zasilania, rys.(we→C→**Dioda przew.→**R+masa→baza pnp, E+ kond+R_L,,, E npn→**→E*kond+R_L,,, od Diody do diody w k. zapor.**R+C, B npn z D) T₁,T₂- identyczne tranzystory, ale jeden npn, a drugi pnp. Powoduje to, że sygnał dodatni przewodzi jeden tranzystor, a sygnał ujemny drugi tranzystor. Te sygnały są sumowane na wyj. Źródłem polaryzacji jest energia zgromadzona w kondensatorze, dlatego można zast. jeden zasilacz. 60. Określ i omów straty tranzystora pracującego w klasie D. Wielkość strat zależy od częst połączenia (wył. włącz.) f<1kHz -dominują straty nasycenia, f>1kHz -dominują straty przełączania. Tranzystory pracujące w klasie D pracują impulsowo i osiągają największą sprawność do 95%

13/61. Schemat blokowy wzm. w kl D Rys. Modulator PWM- modulator szerokości impulsów. Przetwarza sygnał wej U_i na ciąg impulsów o stałej częstotliwości f₀, znacznie większej od górnej częstotliwości widma sygnału U_i. ↓Częstotliwość f₀ narzuca generator impulsów GI. Szerokość zmodulowanych impulsów zmienia się w czasie tak jak zmienia się sygnał U_i .Ciąg impulsów steruje właściwy wzm. mocy W. Dla otrzymywania sygnału U₀ na podstawie wzmocnionych impulsów stosujemy odpowiednia filtrację. 62.Definicja stabilizatora, klasyfikacja oraz parametry opisujące jego własności. Stabilizator to układ elektroniczny zapewniający stabilną wart. napięcia wyj (prądu) niezależnie od zmian napięcia wej U_i , od zmian prądu wyj (obciążenia) I₀ ,od innych parametrów zewnętrznych (temp, wilgotn. , starzenia się elementów­). Klasyfikacja: 1)wg budowy-parametryczne (oparte na diodach Zenera)-ze sprzężeniem zwrotnym 2)wg łączenia obciążenia z elementem stabilizacyjnym Rys -szeregowy -równoległy (lepszy dla dużych prądów 3)stabilizatory scalone dzieli się na ogólnego przeznaczenia (trójkońcówkowe, precyzyjne (wielokońcówkowe) , specjalne. Parametry stabilizatorów: a)współ stabilizacji; b)sprawność energetyczna σ_u=ΔU₀/ΔU_i , σ_i=ΔI₀/ΔI_i , η=U₀*I₀/(U_i* I_i); c)rezystancja wyj R₀=ΔU₀/ΔI₀; d)parametr dynamiczny.

63. Schemat ideowy stabilizatora szeregowego napięcia. Rys {R_LIIWO ^-/_+Un wyj WO na bazę T, E na -WO, C-U_I+U_N)} U₀+U_EB-U_S=0 ; U_s=(U_N-U₀)k ; U₀=(U_N-k-U_EB)/(1+k); U₀=-U_EB/(1+k)+U_Nk/(1+k). U₀ będzie stabilne jeśli U₀→U_N; dla k→∞ U₀→U_N. O jakości stabilizatora decyduje k(k rośnie to stabilizator dobry).η= (I₀-U₀)/U_iI_i ; I₀≈I_i to η=U₀/U_i ( nie zależy od prądu obciążenia) 65. Rodzaje stabilizatorów scalonych-stabilizatory o działaniu ciągłym (liniowe), stabilizatory o działaniu impulsowym. Modulator zamienia sygnał na ciąg impulsów, tranzystor działa w stanie D, sprawność stabilizatora większa o 30%. Polskie stabilizatory: UL7505, UL7512, UL7523N (precyzyjny).

14/67. Zabezpieczenie stabilizatora przed zwarciem na wyj. I₀*R_b+U_EB-1,3V=0. Gdy prąd będzie większy to przekroczy spadek napięcia 1,3V na diodach i diody zaczną przewodzić prąd, prąd nie będzie sterował tranzystora i spadek napięcia na ch-ce. 70. Schemat blokowy scalonego wzm. mocy m.c. Rys {we→BWN blok wmocnienia nap. →*(+TZP+masa)* Blok wzmocnienia prądowego (sprzężenie zwrotne na BWN)→ wyj} TZP- zabezpiecza wzm. przed przegrzaniem. Przekroczenie temp dopuszczalnej to TZP zwiera sygnał wej do masy. R_fw- sprzężenie korektywne- modyfikuje ch-kę wzm. 71. Temperaturowy blok zabezpieczenia w scalonym wzm. mocy. Po przekroczeniu temp tranzystora T_c uaktywnia się i prąd płynie do masy a nie do bloku wzmocnienia prądowego. Przy temp normalnej tranzystor T_c jest zatkany. W miarę wzrostu temp obniża się napięcie zaporowe (3,5mV/°C). Po przekroczeniu 350mV tranzystor przewodzi i zwiera sygnał do masy. W obwodzie TZP tranzyst. pełni rolę czujnika temp, usytuowany jest blisko tranzyst. mocy w BWP 72. Definicja generatora i ich klasyfikacja. Generator to ukł elektroniczny, który energię zasilania zamienia na dowolny sygnał przemienny. Klasyfikacja: a)wg kształtu sygnału: sinusoidalne, prostokątne, schodkowe, piłokształtne, trapezowe; b)wg mocy sygnału wyj: -sygnałowe (małej mocy), -mocy; c)wg rodzaju elementów biernych zast. do budowy: -LC, -RC, -kwarcowe, -atomowe; d)wg zakresu częstotl: małej i wysokiej częstotliwości; e)generatory na stałą częstotl: generatory przestrajalne, z możliwością zmiany częstotl; f) -samowzbudne, -obcowzbudne (wymagają startowego sygnału).

15/73. Określ i omów parametry charakterystyczne generatorów. -amplituda sygnału wyj, -rezyst wyj równa ΔU₀/ΔI₀, -sprawność energetyczna P₀/P_z=(U₀*I₀)/(U_z*I_z), -stabilność częstotliwości Δf/f₀- współ dewiacji. Gen RC⇒Δf/f₀=10^-1-10^-3 najgorsze, gen LC⇒Δf/f₀=10^-3-10^-6, gen kwarc⇒Δf/f₀=10^-6-10^-12 najlepsze, gen atomowe ⇒Δf/f₀>10^-20 są to wzorce czasu.75. Warunek gen z ujemną rez, generator z diodą tunelową Generator ma b. dużą częstotliwość prądu R=ΔU/ΔI. Gdy będzie rezonans to C₀ zewrze. Warunek generacji obwodu rezonansowego. ξ=(R+R^(-))/2ω₀L=0 →R=R^(-)76. Warunek generacji drgań w układzie ze sprzężeniem zwrotnym 1.k(jω)=U₀(jω)/ε(jω); 2. ε(jω)=U_i(jω)-U_β(jω); 3. β(jω)=U_β(jω)/U₀(jω). Transmitancja zastępcza k_z- k zastępcza; k_z(jω)=U₀(jω)/U_i(jω) =k(jω)/(1-β(jω)k(jω); warunek ogólny 1-β(jω)k(jω)=0 - wtedy wzm. będzie generatorem, β(ω)e^jϕB*k(jω)e^jϕk=1; 1. Warunek amplitudy β(jω)*k(jω)=1; 2 warunek fazy e^j(ϕB+ϕk)=1→ϕ_B+ϕ_k=2kπ gdzie k=0,1,2. 77. Stabilność częstotliwości drgań gen. Zależy od :zmian temp, drgań mech, starzenia elementu, dobroci obwodu, wahania U_zas. ϕ_k=f(ω,T₀,U_zas)→Δϕ_k=δf₁Δω/δω+δf₁ΔT₀/δT₀+δf₁ΔU_z/δU_z; ϕ_B=f(ω,T₀)→Δϕ_B=δf₂Δω/δω+δf₂ΔT₀/δT₀ 78. Rodzaje filtrów stosowanych do budowy gen RC Generator Colpittsa filtr z symetrycznie dzieloną pojemnością) jωL-j(1/ωC₁+1/ωC₂)=0; ωL=1/ωC₁+ωC₂; ω²=(1/C₁+1/C₂)1/L→ω_r=√[(1/C₁+1/C₂)1/L]. Filtr Hartleya( symetryczny z dzieloną ndukcyjnością).jωL₂+1/jωC+jωL₁=0; ωL₂+ωL₁=1/ωC; ω²=1/C(L₁+L₂); ω_r=1/√(C(L₁+L₂)). Filtr Maisnera jωL=j/ωC; ω²L=1/C; ω_r=1/√LC; 81. Schemat zastępczy płytki kwarcowej i jej własności elektryczne Wymiary decydują o częstotl rezonansowej, C_o- pojemność montażowa (C_o≈10pF). Wykorzystujemy zjawisko piezoelektryczne wtórne polegające na odkształceniu płytki kwarcu po doprowadzeniu do niej napięcia zmiennego. Częstotl rezonansowa =100Hz-200MHz.

16/82. Wady generatorów LC, RC, porównaj je z zaletami. Wady: -mniejsza stabilność częstotl generatora RC w stosunku do LC, -gorsza stabilność generatora RC 10^-2-10^-4, a generatora LC 10^-4-10^-6, -generatorów LC nie buduje się na małe częstotl bo dobroć tych generatorów jest niewielka. Zalety: -małe gabaryty generatora RC w stosunku do LC, -generator RC, możliwość uzyskania małych częstotl, -generator RC, szeroki zakres przestrajania. 84. Rodzaje przerzutników - scharakteryzować własności. a)astabilne: -nie wymagają sterowania, -słaba dokładność i stabilność, -przerzut na progach ηU_w lub ηU_L ; b)monostabilne: -czas trwania wygenerowanego sygnału zależy tylko od RC, -w czasie generowania ukł nie reaguje na zmiany wymuszenia, -zast.: standaryzacja impulsów; c)bistabilne: -zmiana stanu za pomocą sygnału sterującego. 92. Przetworniki funkcyjne. Przetworniki funkcyjne (generatory funkcji nieliniowych) do grupy tych funkcji zaliczamy:y=x²; z=xy; y=sinx; y=cosx; y=e^x; y=x; y=lnx, z=y/x. Niektóre z tych funkcji jak(y=x²) można wykonać na przetworniku diodowym.Rys 92a. Funkcję lnx, e^x są realizowane na naturalnych elementach.Rys-(lnx); Rys-(e^x). 93.Realzacja układów mnożarek. 1.z wykorzystaniem przetworników nieliniowych: U₁U₂=1/4[(u₁+U₂)²-(U₁-U₂)²].Rys 2.z wykorzystaniem układu mnożącego rozdzielczego (scalonego)RC 4200. I₁I₂=I₃I₄. Rys 3.mnożarka (czteroćwiartkowa). Rys U₀₌(R₀R₂U_xU_y)/(R₁²U_R). 4.dzielnik (spełnia funkcję tylko w 1 ćwiartce) Rys U₀=[(u_RR₀R_U)/(R₁R₂)]U_XU_Y.5. realizujący pierwiastkowanie Rys U₀=√[(R₀R₄U_RU_X)/(R₁R₂). 94. Przykłady wykorzystywania uniwersalnych układów wielofunkcyjnych.1. mnożarka: m= 1+0/R₂=1; U₀=U_XU_y; 2.długość wektora U₀=√(U₁²+U₂²).

1712. Łączenie szeregowe i równoległe diod prostowniczych. Stosujemy je w celu zwiększenia dopuszczalnych obciążeń. Połączenie równoległe stosuje się w celu zwiększenia obciążalności prądowej. W tym celu łączy się równolegle diody mające identyczne charakt. w kierunku przewodzenia. Wskazane jest aby te diody były obciążone najwyżej w 80%. Połączenia szeregowe stosuje się w celu zwiększenia obciążenia dopuszczalnych napięć w kierunku zaporowym. W celu uniknięcia nierównomiernego rozkładu napięć przy jednakowych rezystancjach diod w kierunku zaporowym do każdej diody dołącza się równoległe rezystory R<Rd. Rzeczywiste spadki napięć na diodach nie mogą przekraczać wart. dopuszczalnej tych diod.19. Podstawowe układy pracy tranzystorów. Układ wspólnego emitera OE Rys rez. wej.- średnia ,rez. wyj.- duża ,wzmocnienie mocy-duże ,częstot. graniczna-mała ,wzmocnienie prądowe-duże ,wzmocnienie napięciowe-duże. Odwraca fazę napięcia wyj. do napięcia wej. Układ wspólnej bazy OB Rys rez. wej.-mała ,rez. wyj.-bardzo duża , wzmocnienie prądowe-małe, wzmocnienie napięciowe-duże, częstot. graniczna- duża. Nie odwraca fazy. Układ wspólnego kolektora OC Rys. Rez. wej. - duża, rez. wyj. - mała. Wzmocnienie prądowe duże, wzmocnienie małe, częstotl graniczna mała. Nie odwraca fazy. 22. Parametry małosygnałowe tranzystora ,,h”-Jeżeli tranzystor potraktujemy jako czwórnik to możemy go opisać U_BE=h₁₁I_B+h₁₂U_CE; I_C=h₂₁I_B+h₂₂U_CE; przy czym h₁₁=U_BE/I_B(przy U_CE=0)-impedancja wejściowa; h₁₂=U_EB/U_CE (przy I_B=0)-współ. przenoszenia wstecznego; h₂₁=I_C/I_B (przy U_CE=0)-współ. przenoszenia prądowego; h₂₂=I_C/U_CE (przy I_B=0)-admitancja wyjściowa.

18/ 32. Szumy występujące we wzm. Szumy mają charakter przypadkowy. Powstają zarówno w źródle sygnału jak i w samym wzm. Wynikają z ruchu cieplnego elektronów i dziur w tranzystorach i innych elementach: -szumy cieplne (termiczne), powstają przez cieplne pobudzenie elektronów (szumy wew), -szumy kontaktowe, niedokładności złącz, -szumy śrutowe, wiążą się z fluktancją wart. prądu wokół średniej wart. spowodowane przypadkową dyfuzją nośników przez bazę tranzystora, -szumy wybuchowe, ch-ka tranzystorów, -szumy zewn, powstają z generowanych sygnałów z zewnątrz. 47. Elementy korekcyjne. C₁,R₁-elementy korekcyjne częstotliwościowe. Następuje korekta częstotliwości, wygaszanie częstotliwości pasożytniczych. -korekta następuje przez zrównoważenie wzm. U_N-napięcie niezrównoważenia. 64. Schemat stabilizatora równoległego. η=I₀U₀/I_iU_i=I₀U₀/(I₀+I_t)U_i ; η=U₀/U_i(1+I_t/I₀). W stanie jałowym gdy I₀=0 sprawność energetyczna η=0.68. Poszerzanie zakresu napięciowego stabilizatora 3-końcówkowego. Zakres zmieniamy poprzez zmianę wart R. 79. Od czego zależy częstotl drgań generatora RC. ω₀=1/RC, częstotl drgań generatora RC zależy od rezyst R i pojemności C. 89. Jakie znasz scalone przerzutniki monostabilne. a)UCY 74121, UCY 74123; b)scalony generator uniwersalny firmy Jutersil nr 8038

19/ 90. Przykłady realizacji kluczy. Gdy U_GS=0 klucz zwarty. Napięcie U_GS może się pojawić w wyniku spadku napięcia na R. U_SH-max wart. wysterowania. U_SH-U_imax>0 stąd U_SH>U_imax warunek aby U_GS=0. Natomiast gdy U_GS>U_GOFF Żeby klucz zamknąć trzeba dodać napięcie U_GS.Klucz wykonany w technice scalonej (w oparciu o MOSFET + JFET). Dla U_SH=15V tranzystor T2 jest nasycony a T3 jest otwarty wówczas U_GS≈0-klucz zamknięty. Jeżeli pojawi się napięcie 20V to T3-stan zamknięty, T2 stan przewodzenia więc U_GS=-5V. Zast.: w układach małej mocy klucze są stosowane w multiplekserach oraz w demultiplekserach. 91. O jakie tranzystory realizujemy klucze. Tranzystor bipolarny Rzadko stosowany ,duża rezystancja R_OF, sterowany prądowo, mała częstotliwość przełączania, R_OFF≈10⁸Ω.Tranzystor MOSFET duży spadek napięcia przy załączonym kluczu. R_ON-dużo większa niż w t. Bipolarnym. JEFET-najlepszy, R_ON≈(poniżej 1Ω- rzędu mΩ).

Właściwości fizyczne i elektryczne 2. generacji i rekombinacji 3. półprzew. typu ,,p i n”, własności.25. etapy otrzymywania półprzew. 6. warystor i termistor 3półprzew. typu n 7. Piezorezystory i fotorezystory 8. Gausotron, hallotron 4/9. Zjawiska w złączu pn bez i z polaryzacją zew. 10. dioda prostownicza. 13. Dioda Zenera 514. Fotodioda. 15. Diody LED 17. Tranzystor npn, właściwości jego wzmocnienia 18. Określ wzmocnienie prądowe α i β. OE 621. tranzystor małej mocy 23. Budowa JFET 24. strukturze MOS 726. bipolarne i polowe 27. transoptorów 28. Podaj definicję wzm. konfigurację 29. wzm- parametry 30.Zniekształcenia we wzm 831. zdefiniuj współ. harm. „h” 33. Uniwer wzm wielostop 35. położenie pkt pracy tranzystora. 38. Wzm m.s, m.cz, RC 37. sposoby stabilizacji pkt pracy tranz,939 Sprzężenie zwornego 41. Wzm. różnicowy-dryft temp 41. Wzm. różnicowy-dryft temp 42. Wtórnik emiterowy 43 parametry wzm. różnicowego 1044. WPS 46.WO 48. Napięcie niezrównoważenia 49. W.O, zabezpieczenia. 50. Wzór na wzmocnienie k_U11/ 51. Wzór na wsp wzmocnienia napięciowego dla W nieodwracającego. 52. Transmitancja sumatora i integratora 53. Definicja wzm. mocy i klasyfikacja 54. Parametry charakteryzujące tranzystor mocy 55.Schemat analogowy rozchodzenia się ciepła w tranzystorze mocy 56. Schemat wzm. mocy prądu stałego w ukł przeciwsobnym 1257. klasach pracują tranzystory mocy w zależności od położenia pkt pracy 58. Nieliniowość-eliminowanie 59.Działanie wzm. przeciwsobnego zasilanego z jednego źródła zasilania 60. Określ i omów straty tranzystora pracującego w klasie D 1361. Schemat blokowy wzm. w kl D 62.Definicja stabilizatora, 63. Schemat ideowy stabilizatora szeregowego napięcia 65. Rodzaje stabilizatorów scalonych 1467. Zabezpieczenie stabilizatora przed zwarciem na wyj 70. Schemat blokowy scalonego wzm. mocy m.c. 71. Temperaturowy blok zabezpieczenia w scalonym wzm. mocy 72. Definicja generatora i ich klasyfikacja 1573. Określ i omów parametry charakterystyczne generatorów 75. Warunek gen z ujemną rez, generator z diodą tunelową 76. Warunek generacji drgań w układzie ze sprzężeniem zwrotnym 77. Stabilność częstotliwości drgań gen 78. Rodzaje filtrów stosowanych do budowy gen RC 81. Schemat zastępczy płytki kwarcowej i jej własności elektryczne 81. Schemat zastępczy płytki kwarcowej i jej własności elektryczne 1682. Wady generatorów LC, RC 84. Rodzaje przerzutników 92. Przetworniki funkcyjne 93.Realzacja układów mnożarek

Właściwości fizyczne i elektryczne 2. generacji i rekombinacji 3. półprzew. typu ,,p i n”, własności.25. etapy otrzymywania półprzew. 6. warystor i termistor 3półprzew. typu n 7. Piezorezystory i fotorezystory 8. Gausotron, hallotron 4/9. Zjawiska w złączu pn bez i z polaryzacją zew. 10. dioda prostownicza. 13. Dioda Zenera 514. Fotodioda. 15. Diody LED 17. Tranzystor npn, właściwości jego wzmocnienia 18. Określ wzmocnienie prądowe α i β. OE 621. tranzystor małej mocy 23. Budowa JFET 24. strukturze MOS 726. bipolarne i polowe 27. transoptorów 28. Podaj definicję wzm. konfigurację 29. wzm- parametry 30.Zniekształcenia we wzm 831. zdefiniuj współ. harm. „h” 33. Uniwer wzm wielostop 35. położenie pkt pracy tranzystora. 38. Wzm m.s, m.cz, RC 37. sposoby stabilizacji pkt pracy tranz,939 Sprzężenie zwornego 41. Wzm. różnicowy-dryft temp 41. Wzm. różnicowy-dryft temp 42. Wtórnik emiterowy 43 parametry wzm. różnicowego 1044. WPS 46.WO 48. Napięcie niezrównoważenia 49. W.O, zabezpieczenia. 50. Wzór na wzmocnienie k_U11/ 51. Wzór na wsp wzmocnienia napięciowego dla W nieodwracającego. 52. Transmitancja sumatora i integratora 53. Definicja wzm. mocy i klasyfikacja 54. Parametry charakteryzujące tranzystor mocy 55.Schemat analogowy rozchodzenia się ciepła w tranzystorze mocy 56. Schemat wzm. mocy prądu stałego w ukł przeciwsobnym

1257. klasach pracują tranzystory mocy w zależności od położenia pkt pracy 58. Nieliniowość-eliminowanie 59.Działanie wzm. przeciwsobnego zasilanego z jednego źródła zasilania 60. Określ i omów straty tranzystora pracującego w klasie D 1361. Schemat blokowy wzm. w kl D 62.Definicja stabilizatora, 63. Schemat ideowy stabilizatora szeregowego napięcia 65. Rodzaje stabilizatorów scalonych 1467. Zabezpieczenie stabilizatora przed zwarciem na wyj 70. Schemat blokowy scalonego wzm. mocy m.c. 71. Temperaturowy blok zabezpieczenia w scalonym wzm. mocy 72. Definicja generatora i ich klasyfikacja 1573. Określ i omów parametry charakterystyczne generatorów 75. Warunek gen z ujemną rez, generator z diodą tunelową 76. Warunek generacji drgań w układzie ze sprzężeniem zwrotnym 77. Stabilność częstotliwości drgań gen 78. Rodzaje filtrów stosowanych do budowy gen RC 81. Schemat zastępczy płytki kwarcowej i jej własności elektryczne 81. Schemat zastępczy płytki kwarcowej i jej własności elektryczne 1682. Wady generatorów LC, RC 84. Rodzaje przerzutników 92. Przetworniki funkcyjne 93.Realzacja układów mnożarek

2

1

---