ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE
-LABORATORIUM-
ĆWICZENIE NR 8
„POJEMNOŚĆ DIODY ZE ZŁĄCZEM PN”
Grupa L2 nr 3
Krasucki Marcin
Kowalski Kamil
Karluto Mateusz
Data oddania sprawozdania:
18.01.2011
Wyznaczanie charakterystyki C(u) w zakresie zaporowym pomierzonych diod.
Pojemność CS:
C2=102[pF]; fr=456[kHz]; f1=278[kHz]
Indukcyjność cewki L :
fr=456[kHz]; CS=60[pF]
-Dioda D01-10-02:
f [kHz] | U [V] | C(u) [pF] pomierzone | C(u) [pF] teoretyczne |
---|---|---|---|
236,5 | 0,01 | 166,44 | 165,19 |
265,7 | 0,44 | 119,40 | 128,53 |
278 | 0,97 | 103,88 | 104,98 |
281 | 1,21 | 100,40 | 97,77 |
291 | 2,01 | 89,56 | 81,22 |
299,6 | 3,04 | 81,10 | 68,47 |
305,5 | 4,03 | 75,70 | 60,46 |
310,7 | 5,16 | 71,20 | 53,97 |
314,2 | 6,06 | 68,24 | 50,04 |
320,1 | 8,03 | 63,61 | 43,69 |
322,6 | 9,16 | 61,70 | 40,96 |
324,1 | 11,42 | 60,57 | 36,72 |
-Tranzystor bipolarny:
f [Hz] | U [V] | C(u) [pF] - Pomierzone | C(u) [pF] - Obliczone |
---|---|---|---|
380,5 | 0 | 27,48 | 27,48 |
385,5 | 0,29 | 25,22 | 24,51 |
392,3 | 0,84 | 22,30 | 21,18 |
400,2 | 1,27 | 19,08 | 19,53 |
404,1 | 2,11 | 17,56 | 17,37 |
408,6 | 3,16 | 15,86 | 15,64 |
410,5 | 5,17 | 15,16 | 13,62 |
882 | 6,9 | -43,72 | 12,51 |
W tranzystorze bipolarnym przy napięciu bliskim 7V następuje znaczny wzrost częstotliwości i tym samym nagły spadek pojemności pomierzonej, ktorą wyliczamy za pomocą wzoru .
Widać to na ostatnim pomiarze gdzie przyjmuje wartość ujemną. Jest to niezgodne z teorią. Jest tak ponieważ pojemność jest równa bądź większa od zera. Wynika to z nierówności
-Tranzystor MOS:
U[V] | C(u) [pF] pomierzone |
---|---|
0 | 761,1 |
0,64 | 792,7 |
0,97 | 857,9 |
1,12 | 986,6 |
1,24 | 314,1 |
1,39 | 409,3 |
1,64 | 519,7 |
1,99 | 545,3 |
2,69 | 557,6 |
3,31 | 562,1 |
4,06 | 565,1 |
5,62 | 568,1 |
7,94 | 571,2 |
1,4 | 574, |
11,43 | 581,3 |
Niestety nie udało nam się wykreślić poprawnej charakterystyki dla tranzystora MOS. Błędne pomiary mogły wynikać z uszkodzonej aparatury pomiarowej lub naszego błędu podczas przeprowadzania doświadczenia. Charakterystyka która udało nam się uzyskać wygląda następująco:
Wyznaczanie wykładnika potęgowego m dla zmierzonych elementów.
Wartości wykładnika potęgowego m dla badanych elementów wyznaczamy na podstawie wzoru:
Gdzie:
UD=0,7[V]
CJO odpowiada napięciu u=0[V]
u1 ≈ -2 V
-Dioda D01-10-02:
UD=0,7[V]
CJO =166[pF]
u1 = -2,01 V
C (u1)=89,56[pF]
- Tranzystor Bipolarny BC211:
UD=0,7[V]
CJO =27,7[pF]
u1 = -2,11 V
C (u1)=17,5[pF]
Charakterystyki C(u) badanych elementów ,wynikające z pomiarów wyznaczyliśmy na podstawie zależności:
Gdzie:
CS=60[pF]
Charakterystyki C(u) badanych elementów ,wynikające z obliczeń wyznaczyliśmy na podstawie zależności:
Gdzie:
UD=0,7[V]