Prosta sieciowa – każda prosta łącząca środki dowolnych dwóch atomów w krysztale.
Parametr sieci (podstawowy period identyczności) - najbliższa odległość atomów na prostej sieciowej w sieci prymitywnej.
Translacja (przesunięcie) prostej sieciowej o period identyczności w kierunku różnym od kierunku prostej powoduje znalezienie płaszczyzny sieciowej.
Płaszczyzna sieciowa poddana translacjom w kierunku do niej nierównoległym tworzy sieć przestrzenną.
Elementarna komórka sieciowa- podstawowa jednostka sieci krystalograficznej- tworzona przez trzy rodziny równoległych płaszczyzn sieciowych dzielących sieć przestrzenną na identyczne równoległościany o parametrach a,b, c stanowiących podstawowe parametry sieci.
Komórka sieciowa jest opisywana przez kąty zawarte między parametrami
Kryształ charakteryzuje się symetrycznym ułożeniem elementów sieci przestrzennej.
Układy krystalograficzne:
Układ tryb sieci symbol parametry
Trójskośny prymitywna P a!=b!=c, alfa!=beta!=gamma!=90*
Jednoskośny Prymitywna p
Centrowana na podstawach C alfa=beta=90*!=gamma
Rombowy Prymitywna P
Przestrzennie centrowana I
Ściennie centrowana F
Centrowana na podstawach C
Romboedryczny
Heksagonalny
Tetragonalny
Regularny
14 typów sieci przestrzennej:
Komórki prymitywne
-atomy wyłącznie w węzłach sieci
Komórki złożone
-Atomy mogą być poza węzłami- wewnątrz struktury, lub na ścianach bocznych
Wskaźniki elementów sieci przestrzennych:
-wskaźniki węzłów
-wskaźniki kierunków
-wskaźniki płaszczyzny
Współrzędne węzła sieciowego- określają liczby periodów które oddzielają określony węzeł od początku układu współrzędnych.
Wskaźniki kierunków sieciowych- kierunek krystalograficzny opisują współrzędne węzła najbliższego od początku układu, przez który przechodzi prosta równoległa do analizowanego kierunku, przesunięta do początku układu [uvw]
X y z
2 3 4 liczba periodów
½ 1/3 ¼ odwrotność
6/12 4/12 3/12 wspólny mianownik
(6 4 3)
Wskaźnik Millera –Bravais’go – układ współrzędnych składa się z:
-Trzech osi x,y,u usytuowanych względem siebie pod kątem 120* w płaszczyźnie podstawy
-Osi z prostopadłej do pozostałych:
Otrzymujemy wskaźnik: (hkil)
I=-(h+k)
Można też zapisać jako: (hk.l)
Krystalizują jedynie w układach:
-regularnym,
-heksagonalnym,
-tetragonalnym
-rombowym,
-romboetrycznym
Układ regularnie ściennie centrowany: sześcian, atomy w narożnikach+ na środkach ścian. 14 rdzeni atomowych.
LUKI oktaedryczne- na środkach podstaw i płaszczyzny środkowej
tetraedryczne-na środkach przekątnych sześcianu.
Układ regularny przestrzennie centrowany: sześcian, dodatkowy atom w środku (na przecięciu przekątnych).
Luki oktaedryczne- na środkach ścian i krawędzi
Luki tetraedryczne- jakoś tak dziko.
Najgęściej upakowane płaszczyzny są w układzie ściennie centrowanym.
Układ heksagonalny o gęstym ułożeniu atomów: graniastosłup o podstawie z sześciokąta foremnego, atomy w narożnikach i środkach podstaw, plus trzy w środku.
Wady struktury krystalograficznej:
*wakanse(kontrakcja sieci krystalicznej) – wolne węzły sieci krystalograficznej; pozostałe schodzą się do środka
*atomy międzywęzłowe (ekspansja sieci krystalicznej) – zajmują pozycje w lukach, opuszczając węzły na skutek drgań cieplnych; pozostałe odsuwają się
#spowodowane opuszczaniem przez atomy swoich miejsc -> procesy aktywowane cieplnie.
#defekt Schottky’ego- jest wakans, inny atom go zapełnia, potem kolejny wchodzi na jego miejsce, etc.
#defekt Frenkla – jeden atom sobie wchodzi w lukę (powstanie atom międzywęzłowy i wakans), wakans jest zapełniany przez inny atom, jak w defekcie Schottky’ego.
-liniowe
-Dyslokacje krawędziowe- dodatkowa krawędź/półpłaszczyzna wchodzi pomiędzy dwie inne, rozpycha je.
*dyslokacja jest charakteryzowana przez wektor Burgersa, który określa wielkość dyslokacji i wywołane nią odkształcenie. (robi się tzw. Kontur Burgersa – obwodzi się prawidłowy fragment prostokątem, potem fragment z dyslokacją, odcinkiem o takim samym obwodzie- jeśli jest dyslokacja, będzie brakowało czegoś- to jest wektor Burgesa).
-Dyslokacje śrubowe- obrót całych płaszczyzn wokół pewnej osi. (prawoskrętne i lewoskrętne)
-Dyslokacje mieszane- o dowolnej orientacji wektora Burgersa względem linii dyslokacji- najczęściej nałożone na siebie dyslokacje krawędziowe i śrubowe.
-Gęstość: całkowita długość linii dyslokacji przypadająca na jednostkę objętości kryształu
-Dyslokacje, w zależności od tego, jak są ułożone, mogą się odpychać- jeśli na tej samej płaszczyźnie poślizgu.
-Jeżeli mają przeciwnie skierowany wektor Burgersa- przyciągają się- mogą się anihilować
Powierzchowne
Granice ziaren: (podział zależy od kąta dezorientacji krystalicznej, tj. kąta utworzonego między głównymi kierunkami orientacji krystalicznej dwóch sąsiadujących elementów krystaliczncyhc, np. ziaren.
Szeroko kątowe
Duży kąt dezorientacji krystalicznej ziarn, na styku których powstają
Na granicach ziarn powstaje strefa miejsc koincydentnych, tj. jednoczesnych, tworzących supersieć przestrzenną, nakładającą się na sieć przestrzenną sąsiadujących ze sobą ziarn.
Granica nie jest płaska, ma liczne dyslokacje, i protuzje (występy, zagłębienia)
Wąsko kątowe
Powstają w miejscu zetknięcia podziarn
Charakteryzują się niewielkim kątem dezorientacji krystalicznej
Mają budowę dyslokacyjną
Metale mogą występować jako:
Monokryształy-
w całej objętości mają jednakowo zorientowane wszystkie komórki sieciowe
anizotropowe- silna zależność właściwości od kierunku pomiaru lub pobrania próbki
Polikryształy
Składają się z ziaren, każde z nich ma prawidłową strukturę, ale nie są do siebie równoległe
Materiały quasi-anizotropowe – przypadkowa struktura powoduje, że mają niemal jednakowe właściwości w różnych kierunkach.
Granice międzyfazowe i koherencja
Koherentne,
Całkowite dopasowanie sieci sąsiadujących faz- sieci mogą się dopełniać, pokrywać, etc.
Niekoherentne
Całkowity brak dopasowania faz, następują znaczne odkształcenia
Półkoherentne
Częściowe dopasowanie się sąsiednich faz – dyslokacje na granicy.
Wpływ wad budowy krystalograficznych na własności metali
Teoretycznie- największa wytrzymałość- wiskery- monokryształy o bardzo małym stężeniu defektów, ich wytrzymałość jest kilka(naście) razy większa niż inne materiały.
W metalach i stopach technicznych- wraz ze wzrostem gęstości wad budowy krystalicznej wytrzymałość rośnie: celowe zwiększenie gęstości wad budowy krystalicznej przez zastosowanie odpowiednich procesów technologicznych, np. obróbki cieplnej, plastycznej.