Srpawozdanie opór półprzewodnika

Laboratorium fizyki CMF PŁ

dzień _ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ godzina _ _ _ _ _ _ _ _ _ grupa _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

wydział _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

semestr _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ rok akademicki _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

kod ćwiczenia tytuł ćwiczenia

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

ocena _____

  1. Wstęp teoretyczny:

Metale wykazują w przybliżeniu liniową zależność oporności właściwej od temperatury:

ρ = ρo (1+α∆T) = ρo [1+α (T-To)]

gdzie: ρ - oporność właściwa w temperaturze T

ρ0 - oporność właściwa w temperaturze To=273K

α – temperaturowy współczynnik oporności właściwej.

W przedziale temperatur 273K-373K można z dobrym przybliżeniem powyższą zależność

przenieść bezpośrednio na rezystancję i zapisać:

Rm= Ro [1+α t ]

Ro - rezystancja w temperaturze 0 0C,

Rm- rezystancja w temperaturze t ,

α - temperaturowy współczynnik rezystancji w zakresie od 0 do t 0C.

Co oznacza, że opór elektryczny metali rośnie liniowo wraz z temperaturą.

Pierwsze prawo Ohma

Prawo to mówi, że natężenie prądu stałego I płynącego przez opornik jest proporcjonalne do przyłożonego napięcia U (różnicy potencjałów pomiędzy końcami przewodnika), a współczynnikiem proporcjonalności jest odwrotność oporu R (jednostka Ω = V/A).
Możemy to zapisać w postaci:

R = U/I

Drugie prawo Ohma

Opór danego przewodnika zależy od jego wymiarów geometrycznych, czyli od długości przewodnika l, pola powierzchni jego przekroju poprzecznego S oraz własności fizycznych materiału z jakiego jest wykonany. Matematycznie przedstawia to następujące równanie

R = ρ l/S

gdzie współczynnikiem proporcjonalności jest opór właściwy ρ, który jest stałą materiałową charakteryzującą dany materiał. Dla metali w temperaturze zera stopni Celsjusza ρ jest rzędu 10−8Ωm.

  1. Cele ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest:

  1. Pomiary

Wszystkie pomiary zostały przeprowadzone przy napięciu Uo = 0,7 [V]

3.1 Wyznaczenie temperaturowego współczynnika oporności metalu.

Tabela 1. Pomiary.

T [°C] Rm [Ω] I [mA]
22 97,2 9,01
27 98,1 9,27
32 100 10,21
37 102 10,53
42 104,2 10,59
47 106,1 11,86
52 108,1 12,8
57 110,1 13,4
62 111,9 13,31
67 114 13,93
72 115,8 14,37
77 117,7 14,6
82 119,7 14,64
87 121,7 14,7
92 123,7 14,75

a = 0,3877

Δa = 0,0031

a = Ro * α

b = 87,92

Δb = 0,188

b = Ro

Wykres 1. Wykres Rm w funkcji temperatury.

Obliczenie współczynnika oporu metalu

α = a/Ro

α = 0,3877 / 87,92 = 0,00441

Δα = α(Δa/a + Δb/b)

Δα = 0,00005

3.2 Wyznaczanie energii aktywacji dla półprzewodnika

T [K] Rp [Ω] = Uo/I lnRp 1/T
295 77,692 4,3528 0,00339
300 75,512 4,3243 0,003333
305 68,56 4,2277 0,003279
310 66,477 4,1969 0,003226
315 66,1 4,1912 0,003175
320 59,022 4,0779 0,003125
325 54,688 4,0016 0,003077
330 52,239 3,9558 0,00303
335 52,592 3,9626 0,002985
340 50,251 3,917 0,002941
345 48,713 3,8859 0,002899
350 47,945 3,8701 0,002857
355 47,814 3,8673 0,002817
360 47,619 3,8632 0,002778
365 47,458 3,8598 0,00274

Tabela 2. Pomiary

a = 817,459

Δa = 58,0378

Wykres 2. Wykres lnRp w funkcji 1/T

Obliczanie energii aktywacji dla półprzewodnika

EA = a * k

ΔEA = EA * Δa / a

k = 8,62 * 10-5 - Stała Boltzmana

EA = 817,459 * 8,62 * 10-5 = 0,0705

ΔEA = 0,0705 * 58,0378/ 817,459 = 0,005

4. Wyniki pomiarów

Współczynnik oporu metalu

α = 0,00441 ± 0,00005

Energia aktywacji dla półprzewodnika

EA = 0,0705 ± 0,005 [eV]

5. Wnioski


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Sprawozdanie opór półprzewodnika
44, opór metali i półprzewodników
F5 opór przew i półprzew
3b Właściwości optyczne półprzewodników
Opor jako reakcja na wplyw spoleczny
3 Podstawy fizyki polprzewodnik Nieznany (2)
F 11 Półprzewodnik akceptorowy
otrzymywanie polprzewodnikow
Korbutowicz,optoelektronika,Technologia wytwarzania półprzewodnikowych struktur optoelektronicznych
2 Materiały półprzewodnikowe
cw8?danie właściwości optycznych półprzewodników
pamieci polprzew
opor wewnetrzny
3 Materiały półprzewodnikowe, własności, wytwarzanie i ich obróbka mechaniczna [tryb zgodności]
3 Diody półprzewodnikowe +
Opór elektryczny właściwy(1)
opor elektryczny

więcej podobnych podstron