1. Sieć krystalograficzna A3 jest oparta na układzie krystalograficznym:heksagonalnym,
Sześcian foremny
2.Wymiana elektronów jest podstawą wiązania:jonowego
3.W strukturach krystalicznych metali występują luki międzywęzłowe:czterościenne ośmiościenne
4.Stopy metaliczne mogą być roztworami stałymi:różnowęzłowymi międzywęzłowymi
6.Materiał magnetyczny twardy powinien mieć dużą wartość: indukcji remanencji należenia koercji
7Stal krzemowa zimnowalcowana jest ferromagnetykiem
8.Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest:dodatni
9.Napylanie katodowe stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych: hybrydowych cienkowarstwowych
1O. Materiały na rezystory precyzyjne powinny mieć małą wartość: TWR siły termoelektrycznej0
11.Elektrony są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym: donorowo
l2. Do metod domieszkowania materiałów półprzewodnikowych zalicza się:implantację, transmutacje, dod. Domieszki w stanie ciekłym, dyfuzja z fazy gazowej.
13.Epitaksję z fazy gazowej oznacza się w skrócie: VPE
14.Złącze p-n jest podstawowym elementem: diody półprzewodnikowej
15.Przewodność elektryczna dielektryków ma przede wszystkim charakter:jonowy
16.Rezonansowa i bezstratna jest polaryzacja: elektronowa atomowa
1.Sieci krystalograficzne Al i A2 są oparte na układzie krystalograficznym: sześcianu foremnego
4.Dyslokacja krawędziowa w materiałach krystalicznych jest defektem:liniowym
5.0bwody magnetyczne i magnesy trwale wykonuje się z: ferromagnetyków paramagnetyków
6.Material na magnesy trwale metaliczne to:
stal hartowana, stal wolframowa, żelazo z aluminium niklem i kobaltem
7.Koniecznym składnikiem materiałów magnetycznych ferrytowych jest:Fe203
8Temperaturowy współczynnik rezystancji metali jest dodatni
9.Technologię sitodruku stosuje się przy wytwarzaniu układów scalonych:hybrydowych grubowarstwowych
1OKanthal i superkanth to materiały na rezystory grzejne
12. Podstawową metodą oczyszczania materiałów półprzewodnikowych jest:topienie strefowe
13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:MOCVD
16. Na straty w dielektrykach przy napięciu przemiennym ma wpływ ich:przewodność polaryzacja
2. Wiązania międzyatomowe metaliczne polegają na:wymianie elektronów
6. Materiał magnetycznie miękki powinien mieć małą wartość:stratności natężenia koercji
8Przewodnoś elektryczna met ma charakter elektronowy
9. Na połączenia przewodzące w układach elektronicznych scalonych stosuje się:cyne, miedź
10Kanthal i superkanth to materiały na rezystory grzejne
11. Dziury są większościowymi nośnikami ładunku w półprzewodniku domieszkowanym: akceptorowo
12. Topnienie strefowe materiałów półprzewodnikowych wiąże się z ich:oczyszczaniem
13. Epitaksję z zastosowaniem związków metaloorganicznych oznacza się w skrócie:MOCVD
14. Temperaturowy współczynnik rezystancji materiałów półprzewodnikowych jest:ujemny
15. W dielektrykach mogą występować następujące rodzaje polaryzacji:elektronowa, atomowa, jonowa, makroskopowa
a1.Wjakich punktach komórki elementarnej sieci krystalograficznej A1 znajdują się środki atomów. NA ROGACH I PRZECIECIU PRZEKATNYCH SCIAN I PODSTAW
2.Jakiego rodzaju defekty występują w strukturach krystalicznych. POWIERZCHNIOWE, PUNKTOWE, LINIOWE
3.Jaka jest różnica między roztworami stałymi różno węzłowymi i międzywęzłowymi. Różnowęzłowe- zamiana atomów w węzłach, a międywęzłowe wciśnięcie atomu domieszki w luki
4.Jakie składniki tworzą podstawową strukturę materiałów ceramicznych i szkieł. Tlenki(SiO2, N2O3, CaO, Al2O3 )
5.Jaki wpływ na własności polimerów organicznych mają elementy boczne ich łańcuchów węglowych ZMIANA PLASTYCZNOŚCI(TWARDOŚĆ)
1.Które właściwości miedzi decydują o jej szerokim zastosowaniu w elektrotechnice i elektronice. WYTRZYMAŁOŚĆ, KONDUKTYWNOŚĆ,przewodność,
2.Jaką własność materiałów metalicznych wykorzystuje się w elementach termobimetalowych. RÓŻNICA ROZSZERZALNOŚCI
3.Na jakiego rodzaju przewody i połączenia przewodzące stosuje się miedź. ELEKTROENERGETYCZNE IZOLOWANE, DRUTY NAWOJOWE
4.Z jakich materiałów wykonuje się rezystory precyzyjne. GŁÓWNIE STOPY MIEDZI (min MANGANIN, IZABELIN, INMET, KONSTANTAN)
5.Jakie kryteria stosuje się przy wyborze materiałów na rezystory grzejne. MOŻLIWIE WYSOKA DOPUSZCZALNA TEMPERATURA PRACY CIĄGŁEJ, wytrzymałość mechaniczna, Duża rezystywność
1.Jaki jest związek przenikalności magnetycznej z indukcją magnetyczną i natężeniem pola magnetycznego. PRZENIKALNOŚĆ MAGNETYCZNA JEST TO WIELKOŚĆ OKREŚLAJĄCA ZDOLNOŚĆ DANEGO MATERIAŁU DO ZMIANY INDUKCJI MAGNETYCZNEJ POD WPŁYWEM NATĘŻENIA POLA MAGNETYCZNEGO
2.Jakiego rodzaju starty występują w materiałach magnetycznych. HISTERYZOWE, WIROPRĄDOWE
3.Jakie materiały magnetycznie miękkie metaliczne stosuje się na obwody magnetyczne urządzeń elektrycznych. ŻELAZO, STAL KRZEMOWA, STAL BEZKRZEMOWA, STOPY ŻELAZO-NIKLOWE, STOPY ŻELAZO-KOBALTOWE
5.Jakie kryteria stosuje się przy wyborze materiałów magnetycznych do pracy przy wielkich częstotliwościach. DUŻA REZYSTYWNOŚĆ, NISKA CENA, ŁATWOŚĆ OBRÓBKI CIEPLNEJ I MECHANICZNEJ, MASA WŁAŚCIWA, WYTRZYMAŁOŚĆ MECHANICZNA, ODPORNOŚĆ NA UDERZENIA I WSTRZĄSY
2.Jakie metody stosuje się do domieszkowania materiałów półprzewodnikowych. TRANSMUTACJA, IMPLANTACJA, DODAWANIE DOMIESZKI W STANIE CIEKŁYM, DYFUZJA W FAZIE GAZOWEJ
3.Jakie materiały półprzewodnikowe stosuje się najczęściej w technologii MBE. GAL , ARSEN, KRZEM, GERMAN
4.Jakie technologie umożliwiły rozwój nanoelektroniki. Dyfuzyjno-planarna (jarek),epitaksja ze strumienia cząstek (MBE) i pokrewne (CVD), mikroskop skaningowy tunelowy, litografia z zastosowaniem strumienia elektronów
5.Jakie kryteria stosuje się przy wyborze materiałów na przyrządy półprzewodnikowe. Szerokość pasma zabronionego<1,5 eV; zależność rezyst. Od temp, intensywności promieniowania, natężenia pola; zanieczyszczenia
1.Jakie cząstki obdarzone ładunkiem tworzą prąd w materiałach izolacyjnych stałych i ciekłych. JONY DODATNIE I UJEMNE
2.Czym różnią się polaryzacje elektryczne dielektryków elektronowa i atomowa od dipolowej. ELEKTRONOWA I ATOMOWA SĄ POLARYZACJAMI REZONANSOWO BEZSTRATNYMI, A DIPOLOWA RELAKSACYJNO STRATNA
3.Jakie zjawiska w dielektrykach są powodem strat energii elektrycznej. ZJAWISKO ZMIANY ENERGII POLA ELEKTROSTATYCZNEGO NA CIEPŁO, Polaryzacja i przewodniość
4.Na jakie podstawowe grupy dzielą się materiały izolacyjne stałe. NIEORGANICZNE(mat. Stapiane, wypalane, mika) ORGANICZNE(mat. Łatwo topliwe, woski, termoplasty, duroplasty, plastomery, elastomery)
5.Jakie kryteria stosuje się przy wyborze materiałów na izolację w urządzeniach elektrycznych.
Duża rezystywność, wysoka temp pracy.
1 jakie kryteria na rezystory
rezystory techniczne nikielina konstantan zeliwo stopowe
1 rezystory w układach elektronicznych scalonych chrominikielina cr ta w
1 jak zmienia sie rezystywność półprzewodników wraz ze wzrostem tem MALEJE
1 na czym polega technologia MBE NANOSZENIE WARST ZE STRUMIENIA CZASTECZEK
1 do wykonania jakich urządzeń może mieć zastosowanie kropka kwantowa TRANZYSTORY MIKROPROCESORY
1 jakie najmniejsze elementy sa widoczne z mikroskopu tunelowego ATOMY
1 jaka własność określa twr STRATNOSC
1 najczęściej używane pierwiastki na półprzewodniki elementarne i złożone EL=KRZEM GERMAN ZL=GAL KANTHAL AZOT
jak nazywa sie proces krystalizacji ktory zaczyna sie od pojedynczego zarodka MONOKRYSTALIZACJA, Metoda Czochlarskiego, Bridgmana
1 poniżej jakiej wartości w nanometrach ma zastosowanie nanotechnologia 100-50
pod wplywem jakich czasteczek ma zastosowanie....fotografii wykorzystywanej... ELEKTRONY
1 jak zmienia sie rezystywność materiałów izolacyjnych pod wpływem temperatury MALEJE
1 jakie zjawiska w dielektrykach powodują straty zmiany energii pola na ciepło POLARYZACJA PRZEWODNOSC
jakimi metodami uzyskuje sie krzem SiO2 METODA REDUKCJI WEGLEM ,Amelinium, magnezem
jakie zjawiska lub elementy stosuje sie do produkcji nanotranzystorow KROPKA KWANTOWA, JAKES ZJAWISKO FENOLOWE
1 jaki mikroskop stosuje sie do obserwacji Atomów o wymiarach nm. MIKROSKOP SKANINGOWY
1 z jaka wlasnoscia dielektykow wiaze sie ich polaryzacja elektryczna PRZENIKALNOSCIA
wymienić rodzaje polaryzacji elektrycznej dioptrii MAKROSKOPOWA I DIPOLOWA
1 jakie wymiary ma kropka kwantowa DZIESIATKI NANOMETROW