1. V=fλ; λ=h/p=h/m*v(1-V^2/c^2)^1/2;f=m*v^2/h2.; Elektron musispelniac warunki fali stojącej ψn=Asin(knx); kn=n*pi/a =>a=D; A=pier(2/a); E=((n*h)^2)/8m*a^2; λ=h/p=h/pier(2m*E) 3. Wiązanie metaliczne – polega na utworzeniu regularnej struktury jąder atomowych (struktura krystaliczna) pomiędzy którymi swobodnie porusza się chmura elektronowa; jest to wiązanie silne, energia wiązania więsksza niż w przypadku van der Waalsa czywodorowych ale mniejsza niż jonowe i kowalencyjne 4. 45 deg, 45 deg, (0,180 deg)? (rownolegla) dla regularnej centrowanej powierzchniowo jądra umieszczone są na środku każdej ściany i w narożnikach sześcianu 5. Energia Fermiego jest to energia odpowiadająca maksymalnemu poziomowi energetycznemu, zajętemu przez elektron w układzie znajdującym się w temperaturze zera bazwzględnego. W półprzewodnikach energia fermiego znajduje się w obszarze przerwy energetycznej pomiedzy obszarami przewodzenia i walencyjnym 6. Dla metali wraz ze wzrostem temperatury przewodnośc spada, co jest konsekwencją spadku ruchliwości elektronów (wskutek samoistnego tarcia). Dla półprzewodnikó przewodnośćrośnie wraz ze wzrostem temperatury (wykładniczo) z powodu wzrostu koncentracji nośników. Występuje też spadek ruchliwości ale jest znacząco mniejszy niż wzrost koncentracji ładunków. 7. Domieszkowanie typu p wprowadza dodatkowe nośniki dziury, Poziom związany z tądomieszką położony jest w pobliżu pasma walencyjnego. Przewodnictwo domieszkowe dominiuje w zakresie niskich temperatur. 8. Przez niespolaryzowane złącze pn płyną dwa niewielkie prądy: prąd dyfuzji i prąd unoszenia. Występują one na skutek dyfuzji elektronów i dziur w złączu pn. W efekcie na styku parstw p i n wytwarza się warstwa zubożona (zaporowa) uniemożliwiająca dalszy przepływ nośników. Prąd dyfuzji powiązany jest z przepływem dominujących nośników, prąd unoszenia powiązany jest z przepływem nośników mniejszościowych. W warunkach równowagi termodynamicznej prądy dyfuzji i unoszenia są sobie równe. 9. BCE jest charakterystyczne dla tranzystora bipolarnego, wejsciemsterujacym jest baza, a duży prąd płynie między emiterem a kolektorem 10. Napięcie w diodzie czerwonejbedzie niższe gdyż długośc fali czerwonej jest wyższa niż dla diody białej ergo energia potrzebna jest mniejsza niż dla diody białej innym wytłumaczeniem może być inna budowa diody kolor biały uzyskuje się przez zastosowanie 3 diod (RGB) 11. Defekt Shotkyego polega na powstaniu luki w trukturze krystalicznej na skutek przeniesiania atomów lub jonów z węzło sieci na powierzchnie kryształu. W ich wyniku gęstośc materiału spada 12. W ogniwie alkaicznym zewnętrzną elektrodą jest katoda (+). Wykonana jest ona z sproszkowanego tlenku manganu(IV) MnO2 . Na katodzie zachodzi reakcja: 2 MnO2 + H2O + 2 e- → Mn2O3 + 2OH

1. Tunelowanie kwantowe – zjawisko przejścia cząstki przez barierę potencjału o wysokości większej niż energia cząstki. W diodach wykorzystujemy je w diodzie Zenera (vhyba podpostacią zjawiska Zenera – w polaryzacji zaporowej górna granica pasma walencyjnego złącza P jest wyższa od dolnej pasma przewodnictwa złącza N. Stąd elektron napotyka barierę potencjału na granicy złącz w postaci pasma zabronionego. Zgodnie z teoriątunelowania kwantowego elektron może przejść tą barierę zapewniając przewodnictwo w kierunku zaporowym przy odpowiednio dużym napięciu) 2. Na energię wiązania jonowego składa się: energia jonizaji, powinactwo elektronowe, siły kulombowskie siły odpychania 3. Pasma energetyczne powstają na skutek rozszczepienia się poziomów elektronowych atomów w cząsteczkach. Gęstość stanów elektronowych można zdefiniować jako funkcjęopisującą na ile sposobów cząstka może posiadać daną energię. W fizyce klasycznej nieskończoność, w kwantowej skończona liczba wynikająca z warunków brzegowych funkcji falowej. 4. Zaliczamy je do metali . Ruchliwość nośników maleje wraz ze wzrostem temperatury 5. Domieszkowanie typu N wprowadza do przewodnika dodatkowe elektrony. Poziom związany z tą domieszką znajduje się w pobliżu pasma przewodnictwa. Przewodnictwo domieszkowe dominuje w zakresie niskich temperatur (lub srednich ale tu nie ma wiec nisk) 6. Fotodiodę działającą jako detektornależe spolaryzować w kierunku zaporowym. Minimalnączęstotliwość potrzebną do wzbudzenia diody można obliczyć ze wzoru hf>Eg ; Eg−szerokość przerwy energetycznej materału. Fotodioda na podczerwieńbędzie ulegać wzbudzeniu przy oświetleniu jej barwą niebieską 7. Układ GSD jest charakterystyczny dlapranzystora polowego. Wejsciemsterujacym jest bramka G, duży prąd może płynąć pomiędzy źródłem S a drenem D 8. Defekt Frenkla – defekt jonowej sieci krystalicznej polegający na tym, że jon znajduje się w teoretycznie zabronionej pozycji międzywęzłowej, zwykle w sąsiedztwie utworzonej luki węzłowej (wakansu) w ich wyniku gęstość materiału nie zmienia się9. kwas siarkowy jest elektrolitem mocnym ponieważ niezależnie od stężenia jest on całkowicie zdysocjowany na jony. Woda pełni rolę produktu w procesie rozładowania isubstratu w procesie ładowania (w czasie ładowania rozpada sie na wodór i tlen). Jony wodorowe są kationami, a siarczanowe anionami. 10. F(T ) = A e^(–b(T−T0 ))Przewodność spada ponieważ spada ruchliwość łańcuchów polimerowych. (wzrasta lepkość) 11. Ogniwa typu Li-ion zapewniajądużą gęstość energii, ponieważ materiały anody(zwykle LICoO2) i katody (zwykle grafit)zapewniają wysoką gęstość energii. Rzadko stosuje się w nich anodę z metalicznego litu, ponieważ dochodziło do zjawiska desegregacji dendrytycznej (degradacji materaiłu anody). Zastąpiono go interkalatem Litu w celu eliminacji tego zjawiska. 12. Prawdopodobnie chodzi o ogniwo MCFC wtedy reakcja na anodzie CO + CO= 3 → 2CO2 + 2ena katodzie 1/2 O2 + H2O + 2e- → 2 (OH)- reakcja w ogniwie CO + 1/2 O2 → CO2 temperatura reakcji 650 C Może też chodzic o SOFC (zastąpiono elektrolit ciekły ceramiczną membraną) wtedy reakcja na anodzie CO + O= → CO2 + 2ena katodzie 1/2 O2 + 2e- → O= reakcja w ogniwie CH4 + 2 O2 → 2H2O + CO2 temperatura reakcji 600-800 C lub 800-1000 C w zależności od wersji nisko lub wysoko tem może nwet to jest bardziej prawdopodobne tu nośnikiem ładunku są jony tlenu,MCFC CO=3

1. V=fλ; λ=h/p=h/m*v(1-V^2/c^2)^1/2;f=m*v^2/h2.; Elektron musispelniac warunki fali stojącej ψn=Asin(knx); kn=n*pi/a =>a=D; A=pier(2/a); E=((n*h)^2)/8m*a^2; λ=h/p=h/pier(2m*E) 3. Wiązanie metaliczne – polega na utworzeniu regularnej struktury jąder atomowych (struktura krystaliczna) pomiędzy którymi swobodnie porusza się chmura elektronowa; jest to wiązanie silne, energia wiązania więsksza niż w przypadku van der Waalsa czywodorowych ale mniejsza niż jonowe i kowalencyjne 4. 45 deg, 45 deg, (0,180 deg)? (rownolegla) dla regularnej centrowanej powierzchniowo jądra umieszczone są na środku każdej ściany i w narożnikach sześcianu 5. Energia Fermiego jest to energia odpowiadająca maksymalnemu poziomowi energetycznemu, zajętemu przez elektron w układzie znajdującym się w temperaturze zera bazwzględnego. W półprzewodnikach energia fermiego znajduje się w obszarze przerwy energetycznej pomiedzy obszarami przewodzenia i walencyjnym 6. Dla metali wraz ze wzrostem temperatury przewodnośc spada, co jest konsekwencją spadku ruchliwości elektronów (wskutek samoistnego tarcia). Dla półprzewodnikó przewodnośćrośnie wraz ze wzrostem temperatury (wykładniczo) z powodu wzrostu koncentracji nośników. Występuje też spadek ruchliwości ale jest znacząco mniejszy niż wzrost koncentracji ładunków. 7. Domieszkowanie typu p wprowadza dodatkowe nośniki dziury, Poziom związany z tądomieszką położony jest w pobliżu pasma walencyjnego. Przewodnictwo domieszkowe dominiuje w zakresie niskich temperatur. 8. Przez niespolaryzowane złącze pn płyną dwa niewielkie prądy: prąd dyfuzji i prąd unoszenia. Występują one na skutek dyfuzji elektronów i dziur w złączu pn. W efekcie na styku parstw p i n wytwarza się warstwa zubożona (zaporowa) uniemożliwiająca dalszy przepływ nośników. Prąd dyfuzji powiązany jest z przepływem dominujących nośników, prąd unoszenia powiązany jest z przepływem nośników mniejszościowych. W warunkach równowagi termodynamicznej prądy dyfuzji i unoszenia są sobie równe. 9. BCE jest charakterystyczne dla tranzystora bipolarnego, wejsciemsterujacym jest baza, a duży prąd płynie między emiterem a kolektorem 10. Napięcie w diodzie czerwonejbedzie niższe gdyż długośc fali czerwonej jest wyższa niż dla diody białej ergo energia potrzebna jest mniejsza niż dla diody białej innym wytłumaczeniem może być inna budowa diody kolor biały uzyskuje się przez zastosowanie 3 diod (RGB) 11. Defekt Shotkyego polega na powstaniu luki w trukturze krystalicznej na skutek przeniesiania atomów lub jonów z węzło sieci na powierzchnie kryształu. W ich wyniku gęstośc materiału spada 12. W ogniwie alkaicznym zewnętrzną elektrodą jest katoda (+). Wykonana jest ona z sproszkowanego tlenku manganu(IV) MnO2 . Na katodzie zachodzi reakcja: 2 MnO2 + H2O + 2 e- → Mn2O3 + 2OH

1. Tunelowanie kwantowe – zjawisko przejścia cząstki przez barierę potencjału o wysokości większej niż energia cząstki. W diodach wykorzystujemy je w diodzie Zenera (vhyba podpostacią zjawiska Zenera – w polaryzacji zaporowej górna granica pasma walencyjnego złącza P jest wyższa od dolnej pasma przewodnictwa złącza N. Stąd elektron napotyka barierę potencjału na granicy złącz w postaci pasma zabronionego. Zgodnie z teoriątunelowania kwantowego elektron może przejść tą barierę zapewniając przewodnictwo w kierunku zaporowym przy odpowiednio dużym napięciu) 2. Na energię wiązania jonowego składa się: energia jonizaji, powinactwo elektronowe, siły kulombowskie siły odpychania 3. Pasma energetyczne powstają na skutek rozszczepienia się poziomów elektronowych atomów w cząsteczkach. Gęstość stanów elektronowych można zdefiniować jako funkcjęopisującą na ile sposobów cząstka może posiadać daną energię. W fizyce klasycznej nieskończoność, w kwantowej skończona liczba wynikająca z warunków brzegowych funkcji falowej. 4. Zaliczamy je do metali . Ruchliwość nośników maleje wraz ze wzrostem temperatury 5. Domieszkowanie typu N wprowadza do przewodnika dodatkowe elektrony. Poziom związany z tą domieszką znajduje się w pobliżu pasma przewodnictwa. Przewodnictwo domieszkowe dominuje w zakresie niskich temperatur (lub srednich ale tu nie ma wiec nisk) 6. Fotodiodę działającą jako detektornależe spolaryzować w kierunku zaporowym. Minimalnączęstotliwość potrzebną do wzbudzenia diody można obliczyć ze wzoru hf>Eg ; Eg−szerokość przerwy energetycznej materału. Fotodioda na podczerwieńbędzie ulegać wzbudzeniu przy oświetleniu jej barwą niebieską 7. Układ GSD jest charakterystyczny dlapranzystora polowego. Wejsciemsterujacym jest bramka G, duży prąd może płynąć pomiędzy źródłem S a drenem D 8. Defekt Frenkla – defekt jonowej sieci krystalicznej polegający na tym, że jon znajduje się w teoretycznie zabronionej pozycji międzywęzłowej, zwykle w sąsiedztwie utworzonej luki węzłowej (wakansu) w ich wyniku gęstość materiału nie zmienia się9. kwas siarkowy jest elektrolitem mocnym ponieważ niezależnie od stężenia jest on całkowicie zdysocjowany na jony. Woda pełni rolę produktu w procesie rozładowania isubstratu w procesie ładowania (w czasie ładowania rozpada sie na wodór i tlen). Jony wodorowe są kationami, a siarczanowe anionami. 10. F(T ) = A e^(–b(T−T0 ))Przewodność spada ponieważ spada ruchliwość łańcuchów polimerowych. (wzrasta lepkość) 11. Ogniwa typu Li-ion zapewniajądużą gęstość energii, ponieważ materiały anody(zwykle LICoO2) i katody (zwykle grafit)zapewniają wysoką gęstość energii. Rzadko stosuje się w nich anodę z metalicznego litu, ponieważ dochodziło do zjawiska desegregacji dendrytycznej (degradacji materaiłu anody). Zastąpiono go interkalatem Litu w celu eliminacji tego zjawiska. 12. Prawdopodobnie chodzi o ogniwo MCFC wtedy reakcja na anodzie CO + CO= 3 → 2CO2 + 2ena katodzie 1/2 O2 + H2O + 2e- → 2 (OH)- reakcja w ogniwie CO + 1/2 O2 → CO2 temperatura reakcji 650 C Może też chodzic o SOFC (zastąpiono elektrolit ciekły ceramiczną membraną) wtedy reakcja na anodzie CO + O= → CO2 + 2ena katodzie 1/2 O2 + 2e- → O= reakcja w ogniwie CH4 + 2 O2 → 2H2O + CO2 temperatura reakcji 600-800 C lub 800-1000 C w zależności od wersji nisko lub wysoko tem może nwet to jest bardziej prawdopodobne tu nośnikiem ładunku są jony tlenu,MCFC CO=3