4413, Studia, EiUE


  • Ćwiczenie 4: Elementy stabilizacyjne.Dioda Zenera.

    1. Mechanizmy przebicia w złączu p-n spolaryzowanym w kierunku zaporowym.

    2. Zakres pracy ( polaryzacja) diody prostowniczej oraz diody stabilizacyjnej.

    3. Charakterystyka I-U diody stabilizacyjnej. Parametry dopuszczalne i charakterystyczne.

    4. Wpływ temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n, w zakresie przebicia.Zdefiniować odpowiedni współczynnik temperaturowy.

    5. Układ pracy stabilizatora w ćwiczeniu, zastosowane przyrządy pomiarowe.

    6. Stabilizator napięcia z diodą Zenera. Zasada działania.

    7. Współczynnik stabilizacji napięcia badanego stabilizatora. Jak mierzymy?

    8. Przebiegi czasowe napięcia na wejściu i wyjściu stabilizatora.

    9. Zasada doboru rezystora szeregowego w układzie stabilizatora.

    10. Rola filtra (kondensatora) w układzie stabilizatora.

    11. Ćwiczenie 5: Wpływ temperatury na półprzewodnik (termistory) oraz na złącze p-n

      1. Podać ogólną zależność koncentracji ni w półprzewodniku samoistnym od temperatury oraz rodzaju półprzewodnika.

      2. Półprzewodnik domieszkowany o koncentracji akceptorów Na. Model pasmowy. Jak wyznaczyć koncentrację dziur i elektronów ?

      3. Półprzewodnik domieszkowany o koncentracji donorów Nd. Model pasmowy.Jak wyznaczyć koncentrację elektronów i dziur?

      4. Wykres konduktywności od temperatury dla półprzewodnika typu-n. Objaśnić zależność.

      5. Podać i objaśnić wzór na konduktywność półprzewodnika samoistnego.

      6. Podać i objaśnić wzór na konduktywność półprzewodnika domieszkowanego w temperaturze pokojowej.

      7. Objaśnić zależność konduktywności półprzewodnika samoistnego od temperatury.

      8. Wpływ temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n, dla kierunku zaporowego, przed wystąpieniem przebicia. Podać wartość odpowiedniego współczynnika temperaturowego.

      9. Wpływ temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n, dla kierunku przewodzenia.Podać wartość odpowiedniego współczynnika temperaturowego

      10. Omówić zależność zmian rezystancji termistora z temperaturą.

  • Ćwiczenie 7: Elementy optoelektroniczne (LED+transoptory)

    1. Co to jest detekcja?

    2. Rodzaje fotodetektorów półprzewodnikowych;budowa,klasyfikacja.

    3. Podstawowe parametry fotodetektora.

    4. Omówić różnice pomiędzy diodą p-n i p-i-n.

    5. Fotogeneracja i rekombinacja w przyrządach półprzewodnikowym i w złączu p-n.

    6. Parametry diod LED, diod laserowych i fotodetektorów.

    7. Półprzewodnikowe źródła promieniowania optycznego; budowa, klasyfikacja.

    8. Transoptory; budowa i zasada działania.

    9. Parametry i zastosowanie transoptorów.

    10. Pomiary oscyloskopowe przebiegu impulsowego.

    11. Ćwiczenie 8: Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego

      1. Model pasmowy tranzystora bipolarnego npn (pnp) bez polaryzacji.

      2. Polaryzacja na WE i WY tranzystora npn (pnp) dla pracy aktywnej w układzie WEmiter.

      3. Polaryzacja na WE i WY tranzystora npn (pnp) dla pracy aktywnej w układzie WBaza.

      4. Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora. Definicja, wyznaczanie.

      5. Definicje parametrów {h} dla układów WEmiter i WBaza.

      6. Przepływ nośników w tranzystorze npn (pnp) spolaryzowanym dla pracy aktywnej.

      7. Polaryzacja i funkcja złącz tranzystora dla różnych zakresów pracy tranzystora.

      8. Charakterystyki WEJ. i WYJ. tranzystora w układzie OE. Zaznaczyć zakres pracy aktywnej.

      9. Charakterystyki WEJ. i WYJ. tranzystora w układzie OB. Zaznaczyć zakres pracy aktywnej.

      10. Wyznaczanie parametrów małosygnałowych {h} z charakterystyk I-U tranzystora.

  • Ćwiczenie 10,11: Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET, MOSFET

    1. Charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora JFET; parametry stałoprądowe.

    2. Budowa struktury i polaryzacja tranzystora JFET z kanałem -n (z kanałem-p).

    3. Model zastępczy tranzystora JFET dla małych sygnałów małych częstotliwości.

    4. Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET norm. załączony, kanał-p (kanał-n).

    5. Charakterystyka przejściowa tranzystora MOSFET norm. wyłączony kanał-p (kanał-n).

    6. Budowa struktury i polaryzacja tranzystora MOSFET norm. załączony, kanał-p (kanał-n).

    7. Budowa struktury i polaryzacja tranzystora MOSFET norm. wyłączony, kanał-p (kanał-n).

    8. Układ do pomiaru charakterystyk I-U tranzystora polowego.

    9. Definicje parametrów małosygnałowych tranzystora JFET.

    10. Podstawowy układ polaryzacji tranzystora JFET we wzmacniaczu WS z rezystorem w źródle.

    11. Ćwiczenie 12: Praca impulsowa tranzystora bipolarnego

      1. Analiza położenia punktu pracy tranzystora w układzie OE podczas pracy impulsowej.

      2. Zjawiska związane z gromadzeniem nośników mniejszościowych podczas pracy impulsowej tranzystora.

      3. Definicje i sens fizyczny czasów charakterystycznych dla pracy impulsowej tranzystora.

      4. Zdefiniować czasy przełączania tranzystora bipolarnego.

      5. Od czego zależy czas przełączania w tranzystorze bipolarnym?

      6. Wpływ sposobu sterowania tranzystora na czasy przełączania.

      7. Jak wpływa wielkość prądu tranzystora na szybkość przełączania tranzystora?

      8. Współczynnik przesterowania tranzystora - definicja.

      9. Jakimi właściwościami powinien charakteryzować się tranzystor impulsowy (budowa)?

      10. Jak można zmniejszyć czas życia nośników nadmiarowych w bazie tranzystora?

      11. Polaryzacja złącz tranzystora podczas przełączania.

      12. Ćwiczenie 13: Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych

        1. Rodzaje izolacji pomiędzy elementami w układzie scalonym monolitycznie.

        2. Objaśnij elementy schematu zastępczego izolacji złączowej w układzie monolitycznym.

        3. Systematyka układów scalonych.

        4. Budowa i typy rezystorów w krzemowym układzie scalonym.

        5. Budowa tranzystora bipolarnego npn w krzemowym układzie scalonym.

        6. Rodzaje tranzystorów pnp w układach monolitycznych.

        7. Wyznaczanie rezystancji szeregowej rzeczywistego złącza p-n.

        8. Obliczanie pojemności złącza p-n.

        9. Zasada pomiaru temperatury za pomocą złącza p-n.

        10. Maksymalna moc rozpraszania elementów półprzewodnikowych.

        11. Ćwiczenie 14: Badanie właściwości układów cyfrowych TTL, CMOS

          1. Podstawowe bramki logiczne. Wyjaśnić ich funkcje logiczne.

          2. Tabela stanów logicznych bramki NOR i NAND.

          3. Budowa i zasada działania inwertera i bramki NOR CMOS.

          4. Zasada zasilania i podstawowe parametry statyczne i dynamiczne układów TTL,CMOS.

          5. Sprawdzanie poprawności działania układu TTL, CMOS.

          6. Podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie zasilania, stany logiczne, charakterystyka przejściowa, moc tracona, czasy propagacji) układów TTL i CMOS.

          7. Charakterystyka przejściowa bramki TTL. Podać oczekiwane wartości napięć.

          8. Układ pomiarowy i charakterystyka wyjściowa w stanie "0" na wyjściu.

          9. Układ pomiarowy i charakterystyka wyjściowa w stanie "1" na wyjściu.

          10. Co to jest obciążalność bramki? Jak ją wyznaczyć eksperymentalnie?

          11. Wyznaczanie maksymalnego prądu wyjściowego w stanie "0" i "1" na wyjściu.

          12. Metoda wyznaczenia rezystancji wyjściowej bramki w stanach "0" i "1" na wyjściu.

          13. Podstawowe parametry rodziny układów TTL standard.

          14. Porównanie układów cyfrowych wytwarzanych w technologii TTL i CMOS

          15. Na czym polega modyfikacja wprowadzona w układach TTL-S (Schottky)

          16. Wyjaśnij skróty i symbole: 74S..., 74L..., 74LS..., 74AS..., 74ALS....

          17. Podaj typowe wartości parametrów charakterystycznych układów TTL standard oraz TTL-S.

          18. Narysować przekrój struktury wejściowego tranzystora 2-wejściowej bramki NAND TTL.

          19. Narysować przekrój tranzystora npn z układu TTL-Schottky.



        Wyszukiwarka

        Podobne podstrony:
        2885, Studia, EiUE
        2658, Studia, EiUE
        3173, Studia, EiUE
        182, Studia, EiUE
        szreter, Studia, EiUE
        3282, Studia, EiUE
        świętach, Studia, EiUE
        2312, Studia, EiUE
        8919, Studia, EiUE
        6892, Studia, EiUE
        lisowski, Studia, EiUE
        4468, Studia, EiUE
        2280, Studia, EiUE
        Gronczyński, Studia, EiUE
        wymysłowski, Studia, EiUE
        2132, Studia, EiUE
        2483, Studia, EiUE
        2885, Studia, EiUE

        więcej podobnych podstron