3282, Studia, EiUE


0x01 graphic

Wydział Elektroniki Politechniki Wrocławskiej

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych

Wykonał

Grupa

-

Ćw. nr

8

Prowadzący

Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i IGFET

Data wykonania

Data oddania

Ocena

WYKAZ PRZYRZĄDÓW :

UGDmax (UGSmax) = 30 V

UDSmax = ± 30 V

IGmax = 10 mA

Pmax = 360 mW

UP = 0,5 - 8 V przy UDS = 10V i ID = 10 nA

UGSmax = 40 V

UDSmax = 100 V

IDSmax = 8 A

Pmax = 1 W

PRZEBIEG ĆWICZENIA :

1. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego złączowego BF 245

0x01 graphic

R1 = 1 k

R2 = 10 

Rys. 1. Schemat do wyznaczania charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego PNFET

Charakterystyka wyjściowa określa zależność 0x01 graphic
. Wartości napięć UGS, przy których wyznaczano charakterystyki wyjściowe, zamieszczono w tabeli:

Lp.

1

2

3

4

5

6

-UGS [ V ]

0,000

0,527

1,398

1,708

2,152

3,050

Charakterystykę wyjściową tranzystora BF 245 zamieszczono na wykresie 1. Napięcie UDS jest określone czułością 1V/cm, natomiast prąd drenu jest mierzony pośrednio jako spadek napięcia na rezystorze 10 . Ponieważ napięcie na tym rezystorze jest określone czułością 5 mV/cm, to prąd drenu będzie określony czułością 5/10 mV/cm = 0,5 mA/cm.

Na podstawie rodziny charakterystyk wyjściowych można określić wartość konduktancji wyjściowej gds., z prostoliniowego odcinka charakterystyki (dla małych UDS) wartość konduktancji otwartego kanału GKO oraz transkonduktancję gm (wyznacza się ją głównie z charakterystyki przejściowej).

0x01 graphic

Rys. 2. Sposób wyznaczania parametrów gm, gds, GKO.

Konduktancja wyjściowa gds wyznaczona na podstawie charakterystyki wyjściowej z zakresu nasycenia (patrz rys. 2):

0x01 graphic

Konduktancja kanału otwartego wyznaczona na podstawie charakterystyki wyjściowej z zakresu liniowego dla małych napięć UDS:

0x01 graphic
.

Transkonduktancja gm wyznaczona na podstawie charakterystyki wyjściowej:

0x01 graphic

Obliczenia:

W celu wyznaczenia konduktancji otwartego kanału przyjmujemy: ID2 = 4,0mA; ID1 = 1,5mA; UDS2 = 1,3V; UDS1 = 0,5V; UGS = 0Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie GKO = 3,12510-3 S przy UGS = 0V.

W celu wyznaczenia konduktancji wyjściowej gds przyjmujemy: ID2` = 7,3 mA; ID1` = 7,2 mA; UDS2` = 10 V; UDS1` = 7 V; UGS = 0Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gds = 3,33310-5 S przy UGS = 0V.

W celu wyznaczenia transkonduktancji gm przyjmujemy: ID2” = 3,75mA; ID1” =1,8 mA; UGS2” =-1,398 V; UGS1” =-2,152 V; UDS = 5Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gm = 2,58610-3 S przy UDS = 5V.

Na podstawie charakterystyki wyjściowej wyznaczyć charakterystykę przejściową 0x01 graphic
. Wyznaczoną w ten sposób charakterystykę przejściową zamieszczono na wykresie 5. Punkty pomiarowe są wyznaczone z wykresu 1 opisującego zależność ID = f(UDS), lecz nie są one na nim zaznaczane ze względu na przejrzystość i czytelność charakterystyki wyjściowej, zamieszczono je w poniższej tabeli:

UDS = 4V

UDS = 6V

UDS = 8V

UGS

ID

ID

ID

[mV]

[mA]

[mA]

[mA]

0

6,800

7,130

7,225

-0,527

6,450

6,720

6,820

-1,398

3,650

3,760

3,850

-1,708

2,850

2,950

3,020

-2,152

1,780

1,820

1,850

-3,050

0,250

0,252

0,255

2. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego złączowego BF 245

0x01 graphic

R1 = 1 k

R2 = 10 

Rys. 3. Schemat do wyznaczania charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego PNFET

Charakterystyka przejściowa określa zależność 0x01 graphic
. Wartości napięć UDS, przy których wyznaczano charakterystyki przejściowe, zamieszczono w tabeli:

Lp.

1

2

3

4

5

6

UDS [ V ]

0,268

0,587

1,154

1,934

3,070

4,280

Charakterystykę przejściową tranzystora BF 245 zamieszczono na wykresie 2. Napięcie UGS jest określone czułością 0,5V/cm, natomiast prąd drenu jest mierzony pośrednio jako spadek napięcia na rezystorze 10 . Ponieważ napięcie na tym rezystorze jest określone czułością 10 mV/cm, to prąd drenu będzie określony czułością 10/10 mV/cm = 1 mA/cm.

Na podstawie rodziny charakterystyk przejściowych można określić wartość transkonduktancji gm, napięcie odcięcia kanału UP (wartość napięcia UGS, przy której jest zamykany kanał, ID = 0) oraz prąd nasycenia IDSS (dla UGS = 0).

0x01 graphic

Rys. 4. Sposób wyznaczania parametrów gm oraz UP z charakterystyki przejściowej.

W celu wyznaczenia transkonduktancji gm przyjmujemy: ID2 = 5 mA; ID1 = 4 mA; UGS2 = -1,06 V; UGS1 = -1,3 V; UDS = 4,28Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gm = 4,16710-3 S przy UDS = 4,28V.

Wartość napięcia odcięcia UP odczytana z wykresu dla ID = 0 wynosi UP = - 3,9 V i nie zależy od napięcia UDS.

Wartość prądu nasycenia IDSS prz UGS = 0 odczytana z wykresu wynosi w zależności od napięcia UDS:

UDS

IDSS

[ V ]

[ mA ]

0,268

1,40

0,587

2,65

1,154

4,85

1,934

6,65

3,070

7,90

4,280

8,15

3. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką IRF 520

0x01 graphic

R = 10 

Rys. 5. Schemat do wyznaczania charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego IGFET

Wartości napięć UGS, przy których wyznaczano charakterystyki wyjściowe 0x01 graphic
, zamieszczono w tabeli:

Lp.

1

2

3

4

5

UGS [ V ]

2,90

3,01

3,06

3,09

3,13

Charakterystykę wyjściową tranzystora IRF 520 zamieszczono na wykresie 3. Napięcie UDS jest określone czułością 0,5V/cm, natomiast prąd drenu jest mierzony pośrednio jako spadek napięcia na rezystorze 10 . Ponieważ napięcie na tym rezystorze jest określone czułością 5 mV/cm, to prąd drenu będzie określony czułością 5/10 mV/cm = 0,5 mA/cm.

Na podstawie rodziny charakterystyk wyjściowych można określić wartość konduktancji wyjściowej gds., z prostoliniowego odcinka charakterystyki (dla małych UDS) wartość konduktancji otwartego kanału GKO oraz transkonduktancję gm (wyznacza się ją głównie z charakterystyki przejściowej) - tak samo jak dla tranzystora JFET.

Obliczenia:

W celu wyznaczenia konduktancji otwartego kanału przyjmujemy: ID2 = 4,3mA; ID1 = 1,0mA; UDS2 = 0,30V; UDS1 = 0,05V; UGS =3,13Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie GKO = 0,013 S przy UGS = 3,13V.

W celu wyznaczenia konduktancji wyjściowej gds przyjmujemy: ID2` = 4,85mA; ID1` = 4,80mA; UDS2` = 10V; UDS1` = 4V; UGS = 3,09Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gds = 8,33310-6 S przy UGS = 3,09V.

W celu wyznaczenia transkonduktancji gm przyjmujemy: ID2” = 4,80mA; ID1” = 2,35 mA; UGS2” = 3,09V; UGS1” = 3,01V; UDS = 4Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gm = 0,031 S przy UDS = 4V.

Na podstawie charakterystyki wyjściowej wyznaczyć charakterystykę przejściową 0x01 graphic
. Wyznaczoną w ten sposób charakterystykę przejściową zamieszczono na wykresie 6. Punkty pomiarowe są wyznaczone z wykresu 3 opisującego zależność ID = f(UDS), lecz nie są one na nim zaznaczane ze względu na przejrzystość i czytelność charakterystyki wyjściowej, zamieszczono je w poniższej tabeli:

UDS = 1V

UDS = 4V

UDS = 7V

UGS

ID

ID

ID

[mV]

[mA]

[mA]

[mA]

3,13

6,45

6,60

6,63

3,09

4,70

4,82

4,85

3,06

3,90

3,95

3,97

3,01

2,33

2,37

2,39

2,90

0,85

0,88

0,90

4. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką IRF 520

0x01 graphic

R = 10 

Rys. 6. Schemat do wyznaczania charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego IGFET

Wartości napięć UDS, przy których wyznaczano charakterystyki przejściowe 0x01 graphic
, zamieszczono w tabeli:

Lp.

1

2

3

4

5

6

UDS [ V ]

0,268

0,587

1,154

1,934

3,070

4,280

Charakterystykę przejściową tranzystora IRF 520 zamieszczono na wykresie 4. Napięcie UGS jest określone czułością 200mV/cm, natomiast prąd drenu jest mierzony pośrednio jako spadek napięcia na rezystorze 10 . Ponieważ napięcie na tym rezystorze jest określone czułością 10 mV/cm, to prąd drenu będzie określony czułością 10/10 mV/cm = 1 mA/cm.

Na podstawie rodziny charakterystyk przejściowych można określić wartość transkonduktancji gm oraz napięcia progowego UT (UGS przy którym powstaje kanał).

W celu wyznaczenia transkonduktancji gm przyjmujemy: ID2 = 9 mA; ID1 = 4 mA; UGS2 = 2,6 V; UGS1 = 3,1 V; UDS = 4,51Vi podstawiając do wzoru otrzymujemy:

0x01 graphic

0x01 graphic

Czyli ostatecznie gm = 0,001 S przy UDS = 4,51V.

Wartość napięcia progowego UT odczytana z wykresu dla ID = 0 wynosi UT = 2,5 V i nie zależy od napięcia UDS.

WNIOSKI I UWAGI:

W pkt. 1 ćwiczenia wyznaczaliśmy charakterystyki wyjściowe tranzystora unipolarnego złączowego z kanałem n BF 245 przy stałym napięciu bramka - źródło. Z charakterystyk tych możemy zauważyć, że przy małych wartościach napięcia UDE prąd ID jest liniowo zależny od tego napięcia (spełnione prawo Ohma), a współczynnikiem proporcjonalności jest konduktancja kanału GK. Z charakterystyk tych widać, że konduktancja ta jest zależna od napięcia bramka - źródło, co obrazują różne nachylenia charakterystyk wyjściowych dla różnych napięć UGS. Im większa jest ujemna wartość napięcia UGS, tym konduktancja kanału jest mniejsza. Konduktancja wyjściowa wyznaczona z wykresu dla napięcia UGS = 0 wynosi 3,333⋅10-5 S, a więc jest bardzo mała, porównywalna z wartościami katalogowymi. W idealnym modelu tranzystora gds=0. Wartość transkonduktancji gm określa się z charakterystyki przejściowej, ale można wyznaczyć także z charakterystyki wyjściowej, podobnie jak wzmocnienie prądowe h21E w tranzystorze bipolarnym. Wyznaczona przez nas wartość transkonduktancji wynosi 2,586⋅10-3 S przy UDS = 5V. Konduktancję wyjściową można także wyznaczyć znając wartość konduktancji kanału otwartego i napięcie odcięcia (patrz char. przejściowa) ze wzoru gm = GKO(1 - UGS/UP).

Charakterystyka przejściowa wyznaczona na podstawie charakterystyki wyjściowej (wykres 5) ma podobny kształt do charakterystyki rzeczywistej (pkt. 2 ćwiczenia), a wartości prądu nasycenia są porównywalne (na wyznaczonej charakterystyce IDSS ≈ 7 mA, zaś na charakterystyce rzeczywistej IDSS ≈ 8 mA przy odpowiednich napięciach UDS)

W pkt. 2 ćwiczenia wyznaczaliśmy charakterystyki przejściowe tranzystora BF 245 przy stałym napięciu dren - źródło. Z charakterystyk tych widzimy, że prąd w tranzystorze płynie tylko przy napięciach UGS mniejszych od napięcia odcięcia UP, czyli wtedy, gdy kanał jest otwarty. Znak napięcia UGS jest zależny od typu kanału, ponieważ ma ono polaryzować złącze bramka - kanał w kierunku zaporowym. Mniejszej wartości napięcia UDS odpowiada mniejsza wartość prądu ID (również prądu nasycenia IDSS), ponieważ zmienia się szerokość kanału. Wartość napięcia odcięcia UP odczytana z wykresu wynosi -3,9V (wartość katalogowa mieści się w przedziale |0,5 - 8| V), zaś transkonduktancja jest rzędu 0,004 S i zależy silnie od punktu pracy, co widać porównując transkonduktancję wyznaczoną z charakterystyki wyjściowej z wartością wyznaczoną z charakterystyki przejściowej (różne napięcia UDS).

W pkt. 3 ćwiczenia wyznaczaliśmy charakterystyki wyjściowe tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką z kanałem n normalnie wyłączonym IRF 520 przy stałym napięciu bramka - źródło. Podobnie jak to było w tranzystorze złączowym dla małych napięć UDE prąd ID proporcjonalny do tego napięcia poprzez konduktancję kanału GK. Konduktancja wyjściowa wyznaczona z wykresu dla napięcia UGS = 3,09 wynosi 8,333⋅10-6 S, a więc jest bardzo mała, porównywalna z wartościami katalogowymi. Wartość transkonduktancji gm wyznaczona przez nas wynosi 0,031 S przy UDS = 4V. Na podstawie charakterystyki wyjściowej wyznaczyliśmy charakterystykę przejściową (wykres 6). Na jej podstawie oraz na podstawie charakterystyki wyznaczonej w pkt. 4 ćwiczenia możemy stwierdzić, że wartość napięcia UDS nie wpływa na kształt charakterystyki.

W pkt. 4 ćwiczenia wyznaczaliśmy charakterystyki przejściowe tranzystora IRF 520 przy stałym napięciu dren - źródło. Tranzystor z kanałem wzbogacanym polaryzuje się podając na bramkę napięcie o znaku przeciwnym do ładunku nośników tworzących prąd w kanale, czyli dla kanału typu n UGS > 0. Z charakterystyk przejściowych (wykres 3) widzimy, że prąd w tranzystorze płynie tylko przy napięciach UGS większych niż wartość napięcia progowego UT, przy którym kanał jest otwierany. W naszym przypadku UT = 2,5 V (wartość katalogowa jest rzędu 3V). Wyznaczona transkonduktancja wynosi 0,001 S dla UDS = 4,51V i zależy od punktu pracy. Widoczne załamanie charakterystyki przejściowej dla UGS rzędu 4V jest spowodowane włączeniem się ogranicznika prądowego na zasilaczu.

- 1 -



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
2885, Studia, EiUE
4413, Studia, EiUE
2658, Studia, EiUE
3173, Studia, EiUE
182, Studia, EiUE
szreter, Studia, EiUE
świętach, Studia, EiUE
2312, Studia, EiUE
8919, Studia, EiUE
6892, Studia, EiUE
lisowski, Studia, EiUE
4468, Studia, EiUE
2280, Studia, EiUE
Gronczyński, Studia, EiUE
wymysłowski, Studia, EiUE
2132, Studia, EiUE
2483, Studia, EiUE
2885, Studia, EiUE

więcej podobnych podstron