ENERG. TRANZ, Elektrotechnika-materiały do szkoły, Energoelektronika

POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

Laboratorium Energoelektroniki

Ćw. nr

Temat: Badanie tranzystora bipolarnego Darlingtona, oraz tranzystora typu Mosfet.

Wykonali:

Marcin Tisch Janusz Kempiński

Tomasz Gaworski

Tomasz Kopyt

Marek Michalak

Przemysław Kaczmarek

Grupa III semestr IV

Wydział Elektryczny.

I. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się zbadanie charakterystyk tranzystorów bipolarnego Darlington oraz tranzystora polowego Mosfet.

II. Schematy połączeń.

a) Wyznaczanie charakterystyki wejściowej tranzystora bipolarnego.

b) Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora bipolarnego.

c) Wyznaczanie napięcia nasycenia.

d) Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora polowego.

e) Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego.

III. Tabele pomiarowe.

TRANZYSTOR BIPOLARNY

Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego.

U_zas	1	2	3	4	5	6	7	8	7,5	6,5	5,5	4,5	3,5	2,5	1,5	0,5
U_B	0,57	0,67	0,74	0,78	0,83	0,87	0,92	0,96	0,94	0,9	0,86	0,81	0,76	0,71	0,63	0,4
I_B	0,5	1,5	2,5	3,2	4,1	5,1	6,2	7,2	6,7	5,6	4,7	3,7	2,8	1,9	0,9	0,1

Charakterystyka przejściowa tranzystora bipolarnego.

U_CE = 2V =const.			U_CE = 3V = const.
J_B	J_C	U_BE	J_B	J_C	U_BE
[mA]	[A]	[V]	[mA]	[A]	[V]
0,1	0,1	0,28	0,1	0,28	0,36
0,2	0,15	0,83	0,2	0,28	0,71
0,3	1,35	1,35	0,3	1,5	1,38
0,4	2,8	1,53	0,4	3,5	1,56
0,5	4,1	1,64	0,5	6,3	1,7
0,6	4,4	1,67	0,6	6,2	1,77
0,7	4,45	1,65	0,7	7,4	1,87
0,8	4,5	1,68	0,8	8	1,93
0,9	4,55	1,69	0,9	8,2	1,94
1,0	4,6	1,69	1,0	8,2	1,94
1,1	4,6	1,69	1,1	8,2	1,95
1,2	4,6	1,69	1,2	8,25	1,93
1,3	4,6	1,69	1,3	8,25	1,95
1,4	4,6	1,7	1,4	8,25	1,96
1,5	4,6	1,7	1,5	8,25	1,95

Napięcie nasycenia tranzystora bipolarnego.

U_zas	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9
U_CE	0,17	0,61	0,69	0,73	0,77	0,8	0,84	0,87	0,9	0,93
I_C	0	0,07	0,26	0,45	0,65	0,85	1,08	1,24	1,45	1,65

10	11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
0,95	0,98	1,01	1,04	1,06	1,11	1,14	1,16	1,2	1,22	1,25
1,85	2,05	2,25	2,45	2,7	2,8	3,1	3,2	3,4	3,68	3,9

TRANZYSTOR MOSFET

Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego.

U_zas	[V]	1	2	3	4	5	6	7	8	9
U_D	[V]	0,59	1,15	1,68	2,19	3,09	3,25	3,49	3,81	4,13
I_D	[A]	0,08	0,17	0,26	0,37	0,6	0,7	0,78	0,82	0,96

10	11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
4,42	4,76	5,04	5,25	5,51	5,08	6,1	6,43	6,67	6,86	7,07
1,1	1,3	1,45	1,62	1,78	1,93	2,08	2,24	2,39	2,55	2,85

21	22	23	24	25	26
7,27	7,5	7,66	7,96	8,21	8,38
2,9	2,93	3,18	3,3	3,42	3,6

Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora polowego.

U_gs	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
U_D	0,36	0,368	0,383	0,396	0,404	0,421	0,43	0,45	0,465	0,47
I_D	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18

11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
0,482	0,485	0,499	0,512	0,523	0,536	0,543	0,56	0,566	0,582
0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18	0,18

U_gs	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
U_D	0,718	0,728	0,742	0,749	0,764	0,776	0,785	0,795	0,807	0,816
I_D	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38

11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
0,83	0,84	0,85	0,862	0,87	0,882	0,89	0,9	0,91	0,929
0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38	0,38

IV. Wykresy i charakterystyki.

Tranzystor bipolarny.

0x08 graphic

Tranzystor MOSFET.

Charakterystyki przejściowe dla U_DS=1V

Charakterystyki przejściowe dla U_DS=2V 0x08 graphic

0x08 graphic

V. Wnioski.

.................................................................................................................

0x01 graphic