POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

LABORATORIUM ENERGOELEKTRONIKI

Ćwiczenie nr

Temat: Badanie tranzystora bipolarnego Darlingtona, oraz tranzystora typu Mosfet.

sem. IV gr.VI Wykonali:

Marcin Socha Marcin Zwoliński Darek Pośpiech Jacek Wawrzyniak Andrzej Żak Wojciech Buczek

I. Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się zbadanie charakterystyk tranzystorów

bipolarnego Darlington oraz tranzystora polowego Mosfet.

II. Schematy połączeń.

1) Wyznaczanie charakterystyki wejściowej tranzystora bipolarnego.

2) Wyznaczanie charakterystyki przejściowej tranzystora bipolarnego.

3) Wyznaczanie napięcia nasycenia.

III. Tabele pomiarowe.

1) Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego.

JB	[mA]	0,5	1	1,5	2	2,5	3
UBE	[V]	0,59	0,64	0,67	0,69	0,71	0,74

3,5	4	4,5	5	5,5	6	6,5	6,7
0,76	0,78	0,8	0,82	0,84	0,86	0,88	0,89

2) Charakterystyka przejściowa tranzystora bipolarnego.

UCE = 2V =const.				UCE = 3V = const.
JB	JC	UBE		JB	JC	UBE
[mA]	[A]	[V]		[mA]	[A]	[V]
0,1	0	0,61		0,1	0	0,58
0,2	1,85	1,43		0,2	2,5	1,46
0,3	4	1,63		0,3	4,5	1,62
0,4	5	1,73		0,4	5,9	1,77
0,5	5	1,73		0,5	6,5	1,84
0,7	5,1	1,77		0,7	7,5	1,96
1	5,2	1,78		1	8,5	1,98
1,2	5,5	1,83		1,2	8,6	2,1
1,5	5,5	1,83		1,5	9	2,16

3) Napięcie nasycenia tranzystora bipolarnego.

UCEsat	[V]	0,69	0,8	0,96	1,12	1,27	1,44	1,6
JC	[A]	0,3	0,9	2	3	4	5	6

IV. Obliczenia.

Dla tranzystora bipolarnego.

V. Charakterystyki.

VI.WNIOSKI

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