Laboratorium Elektroniki - ID 5.3 - Czwartek 15^00
Politechnika Lubelska w Lublinie	Data: 08.11.2007r.	Gr.: #1
Badanie charakterystyk statycznych tranzystora
- Agnieszka Sowa - Piotr Siejczuk	Nr ćwiczenia: #1	Ocena:

Celem ćwiczenia było wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p ADF-665 5L w konfiguracji o wspólnej bazie WB oraz o wspólnym emiterze WE. W badanym tranzystorze nie należy przekraczać następujących wartości: I_Cmax=100mA, U_CEmax=10V, U_CBmax=10V.

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

1.1.1 Charakterystyka wejściowa Ie = f/Ueb/ Ucb=const Charakterystyka przejściowa Ic=f/Ie/ przy Ucb=const

I_e do 100 [mA] U_cb do 10 [V]

UCB=1,5 [V]			UCB=3 [V]			UCB=4,5 [V]
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]
0,04	3	1	0,05	2	1	0,04	1	0,5
0,5	5	1	0,3	2	1	0,5	1	1
0,55	5	4	0,5	4	1	0,56	4	5
0,57	8	7	0,54	5	3	0,6	15	18
0,59	12	13	0,56	6	5	0,61	32	31
0,6	20	17	0,58	9	9	0,62	33	34
0,62	32	30	0,59	12	14	0,64	50	54
0,65	55	54	0,65	54	57	0,65	68	72
0,66	75	77	0,66	75	80	0,66	80	85
0,68	95	96	0,67	95	94	0,67	92	96

Charakterystyka wejściowa Ie = f/Ueb/ Ucb=const:

Charakterystyka przejściowa I_c=f/I_e/ przy U_cb=const

1.1.2 Charakterystyka wyjściowa Ic = f/Ucb/ Ie=const Charakterystyka oddziaływania wstecznego Ueb=f/Ucb/ przy Ic=const

I_e do 100 [mA] | U_cb do 10 [V]

IE=50 [mA]			IE=70 [mA]			IE=80 [mA]
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0	48	0,63	0	72	0,65	0	90	0,67
0,5	48	0,63	0,1	73	0,65	0,5	91	0,67
1	50	0,63	0,6	73	0,65	1	91	0,67
2	50	0,63	1	73	0,65	2	92	0,67
3	50	0,63	2	74	0,65	3	93	0,67
5	51	0,63	3	74	0,65	4	94	0,67
6	52	0,63	4	76	0,65	5,5	96	0,67
7,8	54	0,63	6	78	0,65	5,7	97	0,67
9	56	0,63	8	80	0,65	5,8	98	0,67
9,5	58	0,63	9,5	83	0,65	6,5	99	0,67

Charakterystyka wyjściowa I_c = f/U_cb/ I_e=const

Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_eb=f/U_cb/ przy I_c=const

Obliczenia - Układ WB:

Impedancja wejściowa:

Współczynnik wzmocnienia prądowego:

Admitancja wejściowa:

Współczynnik oddziaływania wstecznego:

2. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE.

2.1.1 Wyznaczanie charakterystyk wejściowych Ib = f/Ube/ Uce=const Wyznaczanie charakterystyki przejściowej Ic=f/Ib/ przy Uce=const

UCE=2 [V]			UCE=4 [V]			UCE=6 [V]			UCE=8 [V]
UBE	IB	IC	UBE	IB	IC	UBE	IB	IC	UBE	IB	IC
[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]	[V]	[mA]	[mA]
0,1	0,05	1	0,1	0,02	0,5	0,1	0,02	0,5	0,1	0,02	0,5
0,5	0,05	1	0,3	0,02	0,5	0,5	0,03	1	0,5	0,03	1
0,55	0,1	3	0,5	0,05	1	0,55	0,1	4	0,55	0,1	3
0,6	0,35	14	0,55	0,1	4	0,58	0,23	9	0,58	0,23	10
0,61	0,55	23	0,57	0,2	7	0,59	0,3	12	0,6	0,36	16
0,62	0,7	28	0,6	0,45	19	0,6	0,43	18	0,61	0,58	26
0,63	0,9	38	0,62	0,65	28	0,62	0,75	32	0,62	0,75	34
0,65	1,35	57	0,64	0,98	42	0,63	0,85	36	0,64	1	44
0,67	1,7	74	0,66	1,45	65	0,64	1	44	0,65	1,4	68
0,68	2,05	91	0,68	1,85	84	0,66	1,4	62	0,67	1,75	84

Charakterystyka wejściowa I_b = f/U_be/ U_ce=const

Charakterystyka przejściowa I_c=f/I_b/ przy U_ce=const

2.1.2 Wyznaczanie charakterystyk wyjściowych Ic = f/Uce/ Ib=const Wyznaczanie charakterystyki oddziaływania wstecznego Ube=f/Uce/ przy Ib=const

U_ce do 6 [V]

IB=0,3 [mA]			IB=0,6 [mA]			IB=0,9 [mA]			IB=1,2 [mA]
UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE	UCE	IC	UBE
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0	1	0,51	0,015	1	0,54	0	1	0,56	0,012	0,5	0,58
0,1	2	0,57	0,1	11	0,6	0,1	16	0,61	0,1	18	0,62
0,2	6	0,59	0,2	22	0,61	0,2	32	0,63	0,2	44	0,65
0,4	12	0,59	0,4	25	0,62	0,4	36	0,63	0,4	50	0,65
0,6	12	0,59	0,6	25	0,62	0,6	36	0,63	0,6	51	0,65
1,2	12	0,59	1,2	26	0,62	1,2	36	0,63	1,2	52	0,65
2	12	0,59	2	26	0,62	2	37	0,63	2	52	0,65
4	12	0,59	4	26	0,62	4	38	0,63	4	54	0,65
5	12	0,59	5	27	0,62	5	39	0,63	5	56	0,65
5,5	12	0,59	5,5	28	0,62	5,5	40	0,63	5,5	57	0,65

Charakterystyka wyjściowa I_c = f/U_ce/ I_b=const

Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_be=f/U_ce/ przy I_b=const

Obliczenia - Układ WE:

Impedancja wejściowa:

Współczynnik wzmocnienia prądowego:

Admitancja wejściowa:

Współczynnik oddziaływania wstecznego:

Wnioski:

Wykresy charakterystyk przejściowych przy różnym napięciu kolektor-emiter pokrywają się zarówno dla układu WB jak i dla układu WE.

Wykresy charakterystyk wejściowych dla WB niewiele różnią się od siebie. Im mniejsze napięcie kolektor-baza tym nieco większe napięcie emiter-baza dla tego samego prądu płynącego przez emiter. Dla WE wykresy niemalże pokrywają się dla badanego przez nas tranzystora.

Wykresy charakterystyk oddziaływania wstecznego dla układu WB mają charakter zbliżony do poziomych linii prostych przy czym dla większych wartości prądu emiterowego mamy większe napięcie emiter-baza przy tym samym napięciu kolektor-baza. Dla układu WE wykresy wyglądają podobnie, z tym, że przy wzroście natężenia prądu płynącego przez bazę mamy większe napięcie emiter-baza przy tym samym napięciu emiter-kolektor.

Wykresy charakterystyk wyjściowych dla WB przybierają kształt linii prostych, gdzie im większy prąd emiterowy tym większa „stała” wartość prądu kolektorowego dla tego samego napięcia kolektor-baza. W układzie WE nie można już mówić o kształcie zbliżonym do linii prostych. Dla zadanego prądu bazowego, wraz ze wzrostem napięcia kolektor-emiter, wartość prądu kolektorowego nieznacznie wzrasta; przy czym im większy prąd bazowy tym większy prąd kolektorowy.

+

-

V₂

mA₂

mA₁

V₁

-

+

+

-

V₂

mA

μA

V₁

+

-

---