22
(zgodnie z regułą przekory) przeciwnie skierowane do pola B0. Powstaje w ten sposób ekranowanie diamagnetyczne, którego stała:
(312)
zależy od średniej odwrotności odległości elektronu I od jądra w stanie podstawowym atomu.
Jądra I3C, l9F i 31P z elektronami typu 2p mogą być przykładem takich układów. Elektrony p wywołują silne odekranowanie jądra A opisane stałą:
B
gdzie AE jest średnią energią wzbudzenia elektronu i, Q jest kombinacją elementów macierzy gęstości ładunków atomu A (QAA) oraz rzędów wiązań między atomami A i B (QAB) w przybliżeniu MO dla cząsteczki nie zaburzonej działaniami pola magnetycznego.
Jak widać, stała ekranowania paramagnetycznego zależy nie tylko od stanu podstawowego molekuły. Wpływają na nią wszystkie przejścia elektronowe: a -* a*, a -+ n*, n -*■ <r*, /i -* a*, n n*. Im większa energia wzbudzenia i-tego elektronu, tym mniejsze jest odekranowanie jądra. Z tego powodu dla protonów (rj,ol[ (wzór (3.1.1)) jest do pominięcia. Dla cięższych jąder (l3C, 19F, SIP,., .) ten rodzaj ekranowania często dominuje.
Duże znaczenie ma zależność op od <rt-3> ze względu na związek między r, i gęstością elektronową. Wzrost tej gęstości powoduje bowiem zwiększanie r, i znaczy wzrost ekranowania (spadek wartości ap).
Następna wielkość we wzorze (3.1.3) (QAB) tłumaczy różnice w ekranowaniu jąder atomów, gdy zmienia się krotność wiązań.
Dla wielu grup strukturalnie podobnych związków często stwierdza się proste zależności między całkowitą gęstością elektronową (albo np. tylko elektronów a lub u) atomu, a przesunięciem chemicznym jądra tego atomu lub też atomu sąsiedniego. Zwykle jest to spowodowane dominującym udziałem czynnika (r-i> w zmianach ekranowania jakiegoś jądra w serii podobnych molekuł. Przykładem mogą być jednopodstawione pochodne benzenu, dla których zmiany przesunięć chemicznych jąder i3C w pozycji para z dużą
\
dokładnością można określić wzorem:
AaC^. = —290AQp„t. (3.1.4)
Również dla innych klas związków oraz dla innych jąder znaleziono podobne < zależności.
Duży wpływ na ekranowanie protonów (i innych jąder) mogą wywierać momenty magnetyczne wytwarzane przez pole S0 w sąsiednich atomach lub wiązaniach chemicznych. Na rysunku 3.1.2 przedstawiono schematycznie wielkość i charakter tego ekranowania dla molekuły H—X, w różny sposób ustawionej względem kierunku pola E0.
Rys. 3.1.2. Efekt anizotropowy dla cząsteczki X—H: a) — efekt paramagnetyczny, b) — efekt dia magnetyczny.
kienriek pola kierunek poła
Wielkość dodatkowego pola magnetycznego działającego na jądro H zależy od podatności magnetycznej w miejscu X (y) i może się zmieniać z ustawieniem eząsteczki względem kierunku pola S0. Mówimy wtedy o anizotropii magnetycznej tego miejsca (atomu, atomów, wiązania), która objawia się zmianą ekranowania jądra H:
Aa = (I -3 cos1 9J/12ji/Ij, (3.1.5)
a
gdzie a oznacza współrzędne x, y, z; y* jest podatnością magnetyczną w miejscu X dla różnych ustawień molekuły względem pola 50; 9 jest kątem między momentem magnetycznym wytwarzanym w miejscu X a prostą łączącą H z X; R jest odległością między H i X,
Zjawisko anizotropii występuje też dla układów ze sprzężonymi wiązaniami k. Cząsteczka benzenu jest dobrym przykładem molekuły, w której zewnętrzne