Równania czwórmkowe można przedstawić za pomocą równoważnej sieci elektrycznej
Równania czwórmkowe można przedstawić za pomocą równoważnej sieci elektrycznej
Indeks przy symbolu h oznacza:
b- układ WB e- układ WE c - układ WC
Rys. 7. Sieć elektryczna równoważna równaniom hybrydowym dla układu WE. Wartości parametrów zależą od układu włączenia tranzystora. rodzaj układu włączenia oznaczany jest dodatkowym trzecim indeksem literowym. Wartości parametrów w poszczególnych układach włączenia można wzajemnie przeliczać na podstawie zależności dostępnych w literaturze
Dysponując zmierzonymi charakterystykami statycznymi tranzystora można łatwo tc parametry wyznaczyć (Rys. 2) Jest to duża zaleta modelu hybrydowego.
Przykładowe wartości przyjmowane przez parametry czwórmkowe typu h, oraz przybliżone relacje pomiędzy parametrami typu h i parametrami innego popularnego modelu - modelu typu hybryd tc podają tabelki:
hUe = lk£2 |
h| lc Tbb' D>’c w lVe | |
hi2e=10J,V/V |
h|2e=P(Rb'c/Rn) | |
h2ic =50-500A/A |
h2lc ® P | |
tl22c = KT* - 10'5 S |
h22c » Rce |
Te i inne. równoważne modele znajdują zastosowanie podczas analizy układów pracy z tranzystorami bipolarnymi, na przykład układu wzmacniacza małych sygnałów:
+ 15V
Ro = lOOk
lys. 8 Tranzystor bipolarny npn w układzie wzmacniacza WE. a) układ inwertera do pomiaru charakterystyki przejściowej, ■) wzmacniacz jednotranzystorowy.
C) POMIARY
1 Pomiary wykonać dla jednego tranzystora i układu pracy wskazanego przez prowadzącego.
2. Podczas pomiarów zwracać uwagę na utrzymywanie stałej wartości parametrów.
3. Pomiary przeprowadzić w możliwie szerokim zakresie dopuszczalnych prądów i napięć, w razie wątpliwości wartości te należy uzgadniać z prowadzącym zajęcia.
4. Na każdą krzywą powinno przypadać nie mniej niż 15 punktów pomiarowych.
1. Określić typ (npn - pnp) oraz rozkład wyprowadzeń końcówek tranzystora przy pomocy testera złącz
Układ wspólnego emitera
2. Zestawić układ pomiarowy do zbadania charakterystyk statycznych tranzystora pracującego w układzie WE.
3. Zmierzyć charakterystyki: wejściową Ube flB)\ vcew > przejściową 1q flB)\ (/(%=*»» Charakterystyki te
można wyznaczyć jednocześnie, zmieniając prąd wejściowy łg i mierząc równocześnie napięcie wejściowe Ube oraz prąd wyjściowy Iq. Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru U CE. Zmierzyć charakterystyki: wyjściową lc(UCE) I /«-«»,.<. oddziaływania zwrotnego USEflJCE) I Charakterystyki te można
wyznaczyć jednocześnie, zmieniając napięcie wyjściowe UqE i mierząc równocześnie prąd wyjściowy lę. oraz napięcie wejściowe U BE Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru Ig Ze szczególną uwagą należy wykonać pomiary w zakresie nasycenia.
Układ wspólnej bazy
4. Zestawić układ pomiarowy do zbadania charakterystyk statycznych tranzystora pracującego w układzie WB.
5. Zmierzyć charakterystyki: wejściową UbeOE) I uca=»«u- oraz przejściową IcOe) I uCB Charakterystyki te można wyznaczyć jednocześnie, zmieniając prąd wejściowy /g i mierząc równocześnie napięcie wejściowe Ube oraz Prad wyjściowy lę. Pomiary wykonać dla trzech wartości parametru UcB.
6. Zmierzyć charakterystyki: wyjściową łc(UcB) I oraz oddziaływania zwrotnego UgEfUCB) I ;/;-««» w zakresie aktywnym. Można je wyznaczyć jednocześnie, zmieniając napięcie wyjściowe UqB ' mierząc równocześnie prąd wyjściowy lc oraz napięcie wejściowe UgE Po wyznaczeniu charakterystyk wyjściowych w obszarze pracy aktywnej zmierzyć tc charakterystyki w zakresie nasycenia (po zmianie polaryzacji złącza kolektorowego).
Charaktery styki prądów zerowych, wyznaczenie napięcia przebicia złącz
7. Zmierzyć charakterystyki prądowo-napięciowe złącz BE i BC w obu kierunkach Odpowiednio dokładne pomiary powinny umożliwić wyznaczenie charakterystyk prądów ICj«(Uce) oraz IkUo(Ube), a także co najmniej jednego z napięć przebicia złącz W trakcie pomiarów należy pamiętać o zabezpieczeniu układów badanych za pomocą odpowiednio dobranego rezystora dekadowego.
8. Zmierzyć charakterystyki Icer(Ucb) dla przypadków R=0, 0<R<oo oraz R=°o dla wybranego typu tranzystora.
Wyznaczenie charakterystyki częstotliwościowej i częstotliwości granicznych wzmacniacza tranzystorowego w układzie WE
9. W oparciu o dostępne w laboratorium podstawki zestawić układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki przejściowej = t(U„) wzmacniacza w układzie wspólnego emitera (rys. 8a). Pomiary przeprowadzić zasilając wejście i wyjście układu z zasilaczy stabilizowanych metodą „punkt po punkcie”.
10, W oparciu o schemat przedstawiony na rys. 8b) zestawić układ pomiarowy do pomiaru charakterystyki amplitudowej k„ = f(f) wzmacniacza w układzie wspólnego emitera. Pomiary wykonać dla wartości pojemności C2 i rezystancji Rc podanych przez prowadzącego. Pomiary ponowić przy podwojonej wartości C2 i rezystancji Rc o połowę mniejszej niż podane poprzednio. Pomiary częstotliwości wykonywać należy częstościomierzem a amplitudy sygnałów wejściowego i wyjściowego za pomocą oscyloskopu.
4