Image014

ciach. Przewiduje się, że w najbliższych latach technika I*L będzie w stanie rywalizować z techniką MOS z kanałem n w zastosowaniu do mikroprocesorów i pamięci.

Struktura podstawowej bramki PL wywodzi się z podstawowej bramki techniki DCTL. Ewolucja układu DCTL w kierunku PL jest przedstawiona na rys. 1.11.

Porównanie parametrów układów PL i TTL umożliwia zestawienie przedstawione w tablicy 1.2.

Zestawienie podstawowych parametrów układów l²L i TTL    Tablica 1.2

Parametr	l^2L	TTL
Gęstość integracji [bramek/mm^2]	1004-400	20
Współczynnik dobroci pojedynczej bramki [pJ]	0,14-1	100
Czas propagacji bramki tp [ns]	254-250	10
Moc pobierana	6nW4*70[jLW	10m>
Napięcie zasilania [V]	14-15	5
Amplituda logiczna [V]	0,64-0,7	5
Liczba masek	44-5	6
Liczba dyfuzji	24-3	4

Na szczególną uwagę zasługują pierwsze dwa parametry, które są najlepsze spośród wszystkich innych powszechnie znanych układów cyfrowych, włącznie z układami MOS. Osiągane w układach PL wartości współczynnika dobroci dochodzą do 0,1 pJ, to jest są około 1000 razy mniejsze niż w układach TTL.

Układy CTD

Układy z transmisją ładunku (CTD — ang. Charge Transfer Devices) stanowią klasę przyrządów półprzewodnikowych, których zasada działania opiera się na zjawisku magazynowania i transportu ładunku, reprezentującego informację. Koncepcja tych układów powstała niedawno. Pierwsza publikacja na ten temat pojawiła się w 1970 r. [5]. Pomysł z uwagi na prostotę i możliwość szerokiego zastosowania spotkał się z dużym zainteresowaniem wielu najpoważniejszych firm przemysłu elektronicznego na świecie. W chwili obecnej trwają intensywne prace nad udoskonaleniem tych układów. Pojawiły się również pierwsze układy CTD wytwarzane na skalę przemysłową.

Technika wytwarzania układów CTD jest oparta na technologii MOS. Podstawowym elementem takiego przyrządu jest kondensator MOS. Magazynowanie i transport ładunku odbywa się między studniami potencjału przy powierzchni krzemu. Studnie potencjału są wytwarzane przez blisko siebie położone (około 1 ^m) kondensatory MOS, które są wprowadzane w stan głębokiego zubożenia napięciami zegarowymi. Ogólnie, przyrząd CTD można traktować jako rejestr przesuwający, w którym ładunek jest magazynowany i transportowany pod szeregiem blisko siebie położonych elektrod za pomocą ciągów impulsów zegarowych.