nych struktur elementów, tym więcej tych elementów może być umieszczonych w płytce o określonych wymiarach i na niej. Z kolei rozmiary powierzchni płytki są ograniczone od góry przez wielkość uzysku produkcyjnego. Ponieważ ze zwiększeniem powierzchni płytki zwiększa się prawdopodobieństwo wadliwości struktury układowej, wywołane obecnością defektu, zatem w każdej technologii istnieje określona maksymalna wielkość powierzchni płytki półprzewodnikowej, która umożliwia otrzymanie określonego uzysku.
Kalendarz niektórych ważnych zdarzeń związanych z rozwojem mikroelektroniki
Rok
1948 — Wynalezienie tranzystora ostrzowego.
1951 — Opracowanie tranzystora stopowego.
1954 — Uruchomienie masowej produkcji tranzystorów krzemowych.
1956 — Opracowanie tranzystora mesa.
1958 — Opracowanie pierwszych układów scalonych.
1960 — Opracowanie technologii planarnej.
1961 — Uruchomienie seryjnej produkcji układów scalonych.
1962 — Opracowanie tranzystora MOS.
1963 — Opracowanie technologii SOS.
1964 — Uruchomienie produkcji układów scalonych TTL.
1968 — Uruchomienie produkcji układów scalonych CMOS.
1970 — Opracowanie 1024-bitowej pamięci dynamicznej RAM MOS/LSI.
— Opracowanie kalkulatorów czterodziałaniowych z jednym układem scalonym.
1971 — Opracowanie 4-bitowego mikroprocesora p-MOS/LSI.
— Opracowanie technologii „Isoplanar”.
1972 — Opracowanie 8-bitowego mikroprocesora p-MOS/LSI.
— Opracowanie techniki I2L.
1974 — Opracowanie 8-bitowego mikroprocesora «-MOS/LSI.
— Opracowanie bipolarnego mikroprocesora modułowego TTLS.
— Uruchomienie produkcji dynamicznych pamięci RAM MOS/LSI o pojemności 4 kbit.
1975 — Opracowanie 8-bitowego mikroprocesora CMOS.
— Opracowanie 4-bitowego mikroprocesora modułowego I2L.
1976 — Uruchomienie produkcji dynamicznych pamięci RAM MOS/LSI o pojemności
16 kbit.
1976 — Uruchomienie produkcji 16-bitowego mikroprocesora.
1977 — Uruchomienie produkcji 8-bitowego mikrokomputera jednoukładowego.
1978 — Uruchomienie produkcji 16-bitowego mikrokomputera jednoukładowego.
— Uruchomienie produkcji pamięci ROM/MOS o pojemności 65 kbitów.
— Uruchomienie produkcji pamięci REPROM o pojemności 32 kbity.
— Uruchomienie produkcji pamięci statycznych RAM/MOS o pojemności 8 kbitów.
Literatura
[1] Altman L.: Advances in designs and new processes yield surprising performance. Electronics, Apr. 1, 1976
[2] Ambroziak A.: Półprzewodnikowe układy scalone. Warszawa, PWN 1966
[3] Badźmirowski K.: Układy scalone LSI. Informacje, studia, przyczynki. Wyd. PIE Warszawa kwiecień 1978
[4] Blakeslee T. R.: Digital Design with Standard MSI and LSI. New York, Wiley 1974
[5] Boyle W. S., Smith G.E.: Charge-coupled semiconductor devices. Bell Syst. Techn. J., vol. 12, Aprił 1970, pp. 587 ~ 593