Image158

ną i muszą startować z tych samych stanów początkowych. Częstotliwość podawania informacji powinna być znacznie mniejsza od częstotliwości taktowania rejestru.

Rys. 4.113. Układ służący do kodowania i dekodowania informacji przesyłanej w systemie „modulowania" jej ciągiem pseudolosowym

4.3.3. Pamięci 4.3.3.1. Wprowadzenie

W punkcie 4.3.1.6 przedstawiono układy pamięciowe zbudowane z rejestrów. Tutaj będą krótko opisane pamięci scalone z wybieraniem adresowym o dostępie swobodnym. Pojęcie „swobodny dostęp” oznacza, że czas dostępu do komórek pamięci jest niezależny od adresu, a więc od ich miejsca w matrycy.

Z punktu widzenia wykonywanej funkcji, pamięci TTL o dostępie swobodnym można podzielić na dwie klasy:

—    pamięci z zapisem i odczytem RWM (ang. Read-Write Memory). Pamięci te są wykorzystywane do ciągłego zapisu i odczytu informacji. Pamięci RWM są nazywane w wielu publikacjach książkowych i katalogowych pamięciami o dostępie swobodnym RAM (ang. Random Access Memory). Nazwa RAM, jako bardziej rozpowszechniona, została przyjęta w książce, chociaż nie jest w pełni właściwa, gdyż cechą swobodnego dostępu charakteryzują się także pamięci stałe;

—    pamięci stałe ROM (ang. Read Only Memory). Są to pamięci, jak już wspomniano, o dostępie swobodnym z tym jednak, że podczas działania systemu cyfrowego realizują tylko operację odczytu. Zapis informacji, określany w tym przypadku jako „programowanie”, jest dokonywany jednokrotnie u producenta. Odmiana tych pamięci — PROM — umożliwia jednokrotne programowanie ich zawartości u użytkownika.

Specjalną odmianę pamięci stałych stanowią programowane zespoły logiczne PLA (ang. Programmed Logic Arrays). Od pamięci stałych różnią się one głównie tym, że mają dodatkowo programowane wejścia adresowe. Pojemność układów PLA jest zazwyczaj znacznie mniejsza niż ta, która wynika z długości słowa adresowego, np. pojemność układu PLA mającego 14 wejść i 8 wyjść może wynosić tylko 768 bitów (pamięć stała ROM miałaby pojemność wynoszącą 2¹⁴X8 = 131 072 bitów).

4.3.3.2.

Pamięci o dostępie swobodnym RAM

Pamięci RAM umożliwiają zapis informacji i jej odczyt bez niszczenia zapisanej uprzednio informacji. Podstawową komórkę pamięci RAM stanowi prze-rzutnik RS (rys. 4.114) sterowany linią słowa oraz liniami bitowymi D i D.

168