PIC16

Na podstawie lego wzoru widać, że układ ma tym lejna własności stabilizacyjne im wartość rezystancji szeregowej U_s jest większa. 2 wartość rezystancji dynamicznej r. diody . mniejsza Wartość rezystancji r, możemy obliczyć na podstawie zmierzonej charakterystyki diody (oznaczenia jak na rys. 2.4);

^r, =

/2-2.9W

Gdy napięcie zasilające wyniesie Uwe + AUwe ^dy P™* płynący przez układ jest maksymalny a wartość rezystancji R» nic może być mniejsza od Rsw:

- prąd obciążenia

/2-2 1(W

U, - nominalne napięcie stabilizacji

Gdy napięcie zasilające wyniesie Uwr - AUn. ^lo wówczas prąd płynący przez układ jest najmniejszy a wartość rezystancji ograniczającej prąd nie może być większa od wartości Ri«i

72-2. IOW

Obliczenia określają dozwolony zakres wartości rezystora R» Dla uzyskania możliwie małych wartości k wybieramy oczywiście wartość rezystora możliwie bliską wartości Rs™,.

Zadanie 1 (do samodzielnego rozwiązania)

Zaprojektować stabilizator przyjmując ustępujące założeniu:

Un-liUt AUwb ^a ±I0%Uwu Izan ^c PmuAh

l_M - na podstawie charakterystyki Ro-l+3kfl.

3. Tranzystor bipolarny

Nazwa tranzystor wywodzi się z języka angielskiego od słów: TRANSfer resISTOR. co po polsku oznacza element transformujący rezystancję. Tak nazwano pierwszy półprzewodnikowy element wzmacniający, będący funkcjonalnym odpowiednikiem lampy próżniowej (triody).

Tak więc tranzystor jest to co najmniej (i przeważnie) trójkońcówkowy element półprzewodnikowy, zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałeso i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem¹.

Realizacja przez tranzystor tego podstawowego zadania jest możliwa w trzech układach: OB. - jj wspólnej bazrc", OE - „o wspólnym emiterze", OC - „0 wspólnym kolektorze". W praktyce największe zastosowanie znalazły jednak dwa układy pracy, a mianowicie:

a) kład OB (o wspólnej bazie)

¹¹ W. Marraafc; op. ni. nudL S,ł240