ptk 1

Układy CMOS

baterii, gdyż już jedna bramka pobiera prąd o natężeniu kilku miliamperów, a w przypadku np. dekodera adresów w wyposażonych w zasilacz sieciowy pojawi się problem odprowadzania dużych ilości ciepła wytwa-rzanego przez prąd

Układy wykonane w technologii TTL są mało przydatne do budowy urządzeń zasilanych z komputerze bramek takich jest dość dużo. Wynika stąd również, że nawet w urządzeniach płynący w układach TTL.

Metal

Tler«k

/

Worstwa ayfuzyjna typu n

Kr/wn

typu p

Oługoić

koralu

Szerokość

kanału

Rys. 14 Budowa tranzystora MOSFET

W technologii CMOS stosuje się dwa komplementarne tranzystory połowę MOS (rys. 14). Jak już wspomniano wcześniej, elektroda sterująca (bramka) jest całkowicie odizolowana od kanału dren-źródło i nie pobiera żadnego prądu. Aby przez kanał również nie płynął prąd, łączy się po prostu szeregowo tranzystor z kanałem typu p z tranzystorem z kanałem typu n. W takim obwodzie tylko jeden z tranzystorów może być w stanie przewodzenia. Na rysunku 15 pokazano schemat zbudowanego właśnie w ten sposób inwertera.

Vdo

Rys. 15

Obwód inwertoro CMOS