elektro2

^jOUAD2.ĄCy •. *>VLO- HfcfetPH

Te^T wietoc-eor^ecbo to^&odd. *?>£**■ f></w<rb

3 ts-fcv*>Ą

Pyfcyus z macttialów dcWroncznych EGZAMIN 2012/2013

I)    węglik krzemu

a)    w/iwarząne wera uv

b) pOrSed» ;echno^-c*jr GaN

c) tranzystcr mocy

Zjwytwaraan* óenlicli warstw dwutlenku krzemu ajudenlanie termiczne

b)CVO

c>5»bz3nic CatklrcAlyano 3)metode PVD wykorzystuje sę

3) proces pyrohzy

t>)«a proces* parowar>a cjwyięwjMo łatwo COpłwycfi metali

4) oaohv3 fotowtftanlane materiały a}a-Si

b) SC

c) OS

SJpcłuyoa antyreOtksyjne bo ogniw rotcwoitanc/nych aJCKnfcie warstwy flota

b) Ti02

c) sSI:N:H

GJlcchnika W-ML stosuj ne

a)ittystoryPMKA byczystory termoplastyczne c)warstwy foreczule 7JfMG stosie «

«)potaywan>c Implantów

bJepMcsja i** rie dopasowanych materiałów

c) Światłowody z gradientem zmony

3)poA?w»i

a)    izolatory

b)    materiał optoesettrycznc

c)    optyczne

9> M6€ osadzane prowadzone jest

a)    przy cbftUooym eiśn«Mi

b)    atmosferycznym

c)    Ul IV

lOJszercfca przerwa wzbudzona «)S

b) SC

c) GaN

II)    datfcktryk o najmniejsze przcnka'nck)

a)    S3fM bJSk>2 C3W203

52} bo wytwarzano botcktryfców stosuje się metody aJiAtenJanie termoczne

b) CVO    _#

C) SEM

13) warstwy b>ameotowe wytwarza s* a) palni* plazmowe bj-eakcje ittkrofalowf e) teetoJj porgcci/) włókna H) nanodia.ment

a)    socz/.i rzewodzaca w ukiadoe scaanym

b)    warstwa aktywna przyzabu elektrycznego

c)    pokrycie narzędziowe

15) domieszka akceptacja do d«mcntu stosuje s* a)fosfcr