w Clążyaiki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cięli 3 Analiza malojygnalowa układów półprzewodnikowych
prądy ia i i'*, rozwiązanie ogólne (patrz równanie W3.42) przybiera postać dwu równań:
(W3.43)
(W3.44)
Te dwa równania, uzupełnione o dwie zależności dla obwodów zewnętrznych: u. =e-i.R, (W3.45)
u„~~hRL czyli ib = -ubYL (W3.46)
pozwalają na obliczenie czterech niewiadomych, tzn. napięć u„ i ub oraz prądów i„ i i*,, a dzięki temu także wiążących te zmienne podstawowych wielkości charakterystycznych układu. Wzory te zostały poniżej zestawione w tabeli W3.7.
Tabela W3.7
Wielkości charakterystyczne liniowego n-bicgunnika z rysunku W3.16 _opisanego macierzą admitancyjną |V|_
L.p. |
Wielkość |
Definicja |
Zależność | ||
1 |
Transmitancja napięciowa |
* ua |
ZA* Z 1.^01 +^aa.bb | ||
2 |
Transmitancja napięciowa w stanie biegu jałowego (bez obciążenia) |
bab A. | |||
3 |
Transmitancja prądowa |
*,.A=A |
A,,/, Z/.A +Ay, | ||
4 |
Transmitancja prądowa w stanie zwarcia wyjścia |
*/ = |
Al |
z,=0 |
A A i* |
5 |
Impedancja wejściowa |
_ Un Z = — |
ZtAoa + A^ w, ZłA + Am | ||
6 |
Impedancja wejściowa w stanie biegu jałowego |
z° = |
z,=“ |
A A | |
7 |
Impedancja wejściowa w stanie zwarcia wyjścia |
Z’ = we |
(V . Z° |
zt=o |
A00. w, A,* |
8 |
Impedancja wyjściowa |
=f| --u s N |
2,AW + A„jJk) Z,A + Aoa | ||
9 |
Transmitancja napięciowo-prądowa |
M=^- |
ZrA^ ZłA + Aw, | ||
10 |
Transmitancja prądowo-napięciowo |
N = ± = -±-«. «« |
A* ^no | ||
II |
Napięcie wyjściowe w stanie biegu jałowego (bez obciążenia) |
*0 ~ (WA )zi |
Z,A + A„ |
W charakterze przykładu wyprowadźmy tutaj tylko najważniejszą zależność (podaną w tabeli jako zależność Nr 2) opisującą transmitancję napięciową (wzmocnienie
w CiąryAsk. ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa układów półprzewodnikowych
L
powered by
Mi siol
,,7vii
napięciowe) układu w stanie biegu jałowego, tzn. bez obciążenia (dl Yl = 0). Z zależności W3.43 i W3.44 dla = 0 mamy kolejno:
(W3.47), oraz “*=%»» (W3.48)
A A
Dzieląc dwie ostatnie zależności stronami uzyskujemy:
(W3.49)
Będzie to zależność stosowana w prezentowanych zadaniach najczęściej, nawet wtedy gdy układ jest w rzeczywistości obciążony, gdyż zawsze można rezystancję obciążenia RL (ogólniej: impedancję ZL) włączyć do macierzy układu (co nie powoduje zwiększenia jej stopnia, czyli liczby węzłów) i wykorzystać ten wzór jako prostszy.
Podane w niniejszym wprowadzeniu informacje pozwalają na sformułowanie dwu metod postępowania przy analizie małosygnałowej układów półprzewodnikowych.
W obydwu przypadkach dla analizowanego układu rysujemy najpierw schemat zastępczy dla składowej zmiennej. O złożoności takiego schematu decyduje liczba jego ..węzłów”, tzn. punktów w których napięcie względem zacisku wspólnego (masy układu) może się zmieniać. Na takim schemacie:
• punkty podłączone do stałych napięć zasilających należy połączyć z zaciskiem masy (w punkcie o potencjale stałym składowa zmienna ma wartość zerową, a rezystancja wewnętrzna idealnej SEM odpowiada zwarciu);
• stałe SPM należy rozewrzeć (składowa zmienna prądu dla stałej SPM ma wartość zerową, a rezystancja wewnętrzna jest nieskończona);
• rezystory pojawiają się na schemacie z zachowaniem swoich wartości;
• diody, diody Zenera i diody świecące (LED) pojawiają się jako odpowiednie rezystancje dynamiczne wynikające z nachylenia charakterystyki diody w punkcie pracy. Diody nie przewodzące będziemy najczęściej traktować jako przerwę w obwodzie (lub bardzo dużą rezystancję zaporową);
• kondensatory są często wykorzystywane dla zapewnienia zwarcia pomiędzy dwoma zaciskami dla składowej zmiennej tam. gdzie zwarcie takie jest niepożądane dla prądu stałego. W takich przypadkach w temacie zadania pojawia się stwierdzenie w rodzaju: „pojemność kondensatora jest na tyle dużą że dla częstotliwości sygnału zmiennego można traktować kondensator sprzęgający jako zwarcie”. W pozostałych przypadkach należy uwzględniać ich admitancję symboliczną (/coC) lub operatorową (sC), w zależności od potrzeby, tzn. w zależności od tego czy obliczamy transmitancję symboliczną czy operatorową
• indukcyjności uwzględnia się także w zależności od potrzeb jako admitancję symboliczne (1 IjcoL) lub operatorowe (1/sL).
W każdej z omawianych dwu metod (patrz zadania czwartej części zbioru):
□ podstawiając dla elementów biernych (kondensatorów, cewek) wartości ich admitancji symbolicznych Y(jco) uzyskujemy rozwiązania dla pobudzeń sinusoidalnych, które są przydatne np. do analizy' charakterystyk częstotliwościowych układów;
-27-