w Ciąiyński - F.LEKTRONIKA W ZADANIACH
Clfii 3 Anuli/,i m.lojyiiniilowu układów półprzewodnikowych
w Ciąiyński - F.LEKTRONIKA W ZADANIACH
Clfii 3 Anuli/,i m.lojyiiniilowu układów półprzewodnikowych
Zadanie 3.20
Dla wtórnika źródłowego na tranzystorze polowym złączowym (ang. j-n FET) pokazanego na rysunku 3.20.1, pobudzanego przebiegiem sinusoidalnym uKe o częstotliwości 10 kHz należy:
1. dobrać wartości rezystancji R, i R3 takie, aby przy braku obciążenia (tzn. dla RL = co) uzyskać jednocześnie wzmocnienie k„ = um/uw = 0,9 oraz rezystancję wejściową Rwe- 10 MŚ2, jeśli rezystancja R2 określająca punkt pracy na charakterystyce przejściowej tranzystora jest dana, zachowanie tranzystora dla małych przyrostów prądów i napięć w otoczeniu tego punktu pracy opisują parametry małosygnałowe typu y o wartościach:
y,, = OmS; y/2 = 0mS; y2l = gm = 4 mS; y22 = gj, = Q mS; a dla częstotliwości sygnału wejściowego impedancje kondensatorów sprzęgających Cwe i C„T są równe zeru (tzn. kondensatory te można uważać za zwarcie). Następnie należy:
2. oszacować wartość napięcia zasilającego EDD potrzebną do uzyskania bez zniekształceń 5 Vpp napięcia wyjściowego, jeśli w punkcie pracy mamy ID = 4 mA, a tranzystor pozostaje w pentodowym obszarze charakterystyk wyjściowych dla napięć Uds > 3 V.
Rozwiązanie 1
Aby otrzymać schemat zastępczy analizowanego układu dla składowej zmiennej o postaci jak na rysunku 3.20.2. musieliśmy tym razem tylko podłączony do stałego napięcia zasilającego Eod dren tranzystora potowego zewrzeć z masą, oraz zewrzeć kondensatory sprzęgające Cwr i C„,,. Z rysunku wynika, że napięcia wejściowe i wyjściowe są odniesione do potencjału masy, do którego jest podłączony dren tranzystora. Okazuje się więc, że tranzystor pracuje w konfiguracji WD.
Wrysowanie pomiędzy wyprowadzenia tranzystora jego schematu zastępczego dla podanych w temacie parametrów maiosygnałowych y doprowadza nas do schematu jak na rysunku 3.20.3. Schemat ten zawierający 2 źródła wymuszające («„e oraz g„ ugs) może być dla małych sygnałów uważany za liniowy, a więc może być rozwiązany dzięki zastosowaniu zasady superpozycji i podstawowych twierdzeń elektrotechniki.
Ad 1. Pierwsza składowa prądu i», obciążającego źródło sygnału (wynikająca z działania SEM równej u„ przy rozwartej SPM) wynosi:
powered by
<ur -
(.WP
pierwsza składowa napięcia wyjściowego wynosi zatem:
Jak wynika z rysunku 3.20.2 napięcie ugs od którego zależy prąd SPM (drugiego źródła) jest różnicą napięcia wejściowego i wyjściowego. Druga składowa prądu iwe (obliczona dla działającej SPM równej gm przy zwartej SEM) wynika z rozpływu prądu na dwie gałęzie równoległe o rezystancjach Rt i Rj, czyli R R
Kr = + ~uv ^ + ^ (3.20.3)
Tej sytuacji odpowiada druga składowa napięcia wyjściowego równa spadkowi napięcia na R? i szeregowo z nią połączonej rezystancji Rt ||/?,. Rezystancja R, przez którą płynie stały prąd h będzie miała (podobnie jak R2) wartość rzędu kil a (ponieważ dążymy do uzyskania rezy stancji wejściowej rzędu Mii) należy oczekiwać że Ri (przez który płynie tylko znikomy prąd stały /c) okaże się znacznie większe, a więc rezystancja ich równoległego połączenia hędzie miała wartość bardzo bliską R,.
R R
U„ = '7) = 8JU,r -ff„,.)(«2 +R})
A, + A,
Łącząc ze sobą równania (3.20.2) i (3.20.4) mamy: ffiw =«„ +«iw • „ +g„,(«ut -un)(R2 +R})
(3.20.4)
(.3.20.5)
R1 + R-
-+gJR,+Ry)
(.3.20.6)
Z omówionych powyżej powodów pierwszy składnik w nawiasie po prawej stronic równania jest znacznie mniejszy od drugiego, czyli może być pominięty, a więc wyrażenie określające wzmocnienie napięciowe przyjmuje postać:
1 -+gm(R 2+^3)
k - - R' + ^
(3.20.7)
“ur l+S,„(^2 + ^3) 1 + S.,(^2+^3)
z której możemy już wyznaczyć spełniającą warunek wzmocnienia k„ = 0.9 wartość rezystancji R3. Mamy kolejno: gm(Rz +*,) = *.[! + *,„(/?,+/?,)]
g«(/fi+/fJ)a-jfe.)=Jt. (i.20.8)
Ł _ 0,9
(l-0.9)4);i5
-un = i,25m
R, + R, “r Skąd uwzględniając u,w otrzymujemy:
czyli rezystancję wejściową określoną jako:
(3.20.9)
(3.20.10)
- 107-