Laboratorium Elektroniki cz II 7

to tranzystory typu n-p-n), ponieważ dobranie dwóch identycznych tranzystorów o takim samym typie przewodnictwa jest znacznie łatwiejsze. Tranzystor T3 jest sterowany z emitera tranzystora Ti - obydwa tranzystory są tego samego typu (n-p-n) i razem tworzą układ Darlingtona zachowujący się jak tranzystor typu n-p-n o wzmocnieniu prądowym p = PrPs (rys.3.6). Natomiast tranzystor T₄ (n-p-n) jest sterowany z kolektora tranzystora T₂ typu p-n-p. Jest to układ Darlingtona z tranzystorami przeciwstawnymi (rys.3.6). Wtakim układzie zasadniczą rolę odgrywa tranzystor T₂,

Rys. 3.6. Tranzystory o przeciwnych typach przewodnictwa utworzone za pomocą układów Darlingtona zwykłego (n-p-n) i z tranzystorami przeciwstawnymi (p-n-p)

Rys. 3.7. Mostkowy wzmacniacz mocy klasy B: a) schemat ideowy, b) przebiegi napięć wejściowych (un. U12)

| Mi siol

Który decyduje o tym, że cały układ zachowuje się jak tranzy™ui iypu^—p-n-p u wzmocnieniu prądowym p = p₂ p₄. W ostatecznym efekcie cały układ działa jak wzmacniacz komplementarny.

Istnieje możliwość połączenia dwóch wzmacniaczy komplementarnych poprzez obciążenie Ro w sposób pokazany na rys.3.7a. Układ ten jest sterowany napięciami równymi co do modułu, ale przesuniętymi w fazie o n radianów, tak że jednocześnie przewodzą dwa tranzystory umieszczone po przekątnej mostka, jakim jest taki układ, podczas gdy para umieszczona w drugiej przekątnej znajduje się w stanie odcięcia W takim układzie napięcie na obciążeniu R₀ może osiągnąć dwukrotnie większą maksymalną wartość amplitudy napięcia wyjściowego: ui = 2 • U_Cc, ale tego obciążenia nie można uziemnić. W efekcie taki wzmacniacz noszący nazwę „mostkowego” umożliwia znaczne zwiększenie mocy wyjściowej oddawanej do obciążenia. Łatwiej też w tym przypadku dopasować układ do różnych rezystancji obciążenia.

-o-U_cc

Rys. 3.8. Najprostszy sposób polaryzacji wzmacniacza klasy AB

Jak już wspomniano, wadą układów pracujących w klasie B są duże zniekształcenia skrośne. co można w znacznym stopniu wyeliminować poprzez umożliwienie pracy wzmacniacza w klasie AB. W tym celu trzeba odpowiednio spolaryzować bazy tranzystorów mocy. Najprostszym rozwiązaniem jest zastosowanie dzielnika rezystancyjnego (rys.3.8), które to rozwiązanie ma niestety jedną zasadniczą wadę - jest bardzo niestabilne temperaturowo. W związku z tym stosuje się kilka diod połączonych szeregowo (na rys.3.9a pomiędzy punktami 1 i 2) i spolaryzowanych w kierunku przewodzenia. Mała rezystancja dynamiczna tych diod oraz ujemny współczynnik temperaturowy napicia na złączach znacznie poprawiają stabilność temperaturową całego układu. Rezystory R i R pozwalają na precyzyjne ustawienie punktu pracy. Diody kompensa-°yjne powinny być umieszczone na wspólnym radiatorze z tranzystorami mocy. Na ^3-3.90 pokazano inny układ, zawierający mniej elementów, który umożliwia jeszcze dokładniejszą kompensację wpływu temperatury. Tranzystor T jest objęty pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego, zrealizowaną za pomocą dzielnika napięciowego