6 (240)

Szerokość pasma zabronionego - energia, jaką musi uzyskać elektron z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa. Si = 1.12eV, Ge = 0,67ev

Po przejściu elektronu do pasma przewodnictwa w pasie walencyjnym powstają wolne stany energetyczne - puste miejsca w wiązaniu - dziura. Dziury mogą przemieszczać się w paśmie. Puste miejsce po elektronie w paśmie (dziura) ma ładunek dodatni.

W półprzewodnikach prąd elektryczny jest wywoływany ruchem elektronów swobodnych i dziur. Diody półprzewodnikowe

>    złącze - ścisły’ atomowy styk kryształów ciała stałego

>    złącze półprzewodnikowskie - półprzewodnik (zwykle w różnym typie przewodnictwa)

>    złącze p-n - warstwa przejściowa miedzy obszarami

W wyniku rekombinacji w obszarze typu N powstaje nadmiar ładunku jonów dodatnich (donorów), a w obszarze typu P nadmiar ładunku jonów ujemnych (akceptorów). W obszarze przystającym powstaje obszar ładunku przestrzennego - warstwa zaporowa.

Powstaje pole elektryczne - bariera potencjału.

Rodzaje i parametry diod Podział ze względu na wykonanie

•    ostrzowe - złącze metal-półprzewodnik; mała powierzchnia złączy

•    warstwowe (stopy dyfuzyjne) - półprzewodnik-półprzewodnik

•    prostownicze - zasilacze, prostowanie

•    uniwersalne - radiotechnika, układy elektroniczne

•    pojemnościowe (warakoty) - wykorzystuje się zmianę pojemności złącza pod wpływem napięcia c=f(u) (wykorzystuje się przy U < 0).

•    stabilizacyjne (zemera)

•    impulsowe - klucze elektroniczne

•    tunelowe - obydwa obszary' złącza są bardzo silnie domieszkowane.

•    świecące

•    złączowe

Dioda pojemnościowa		Dioda tunelowa
Cfflaz
--	^cmin		Obszar ujemnej rezystancji
	u		dynamicznej
		p^+n -> silnie domieszkowany obszar P
		pn^+ —> silnie domieszkowany obszar N