DSC01573

DODATEK D2

Wartości ruchliwości i koncentracji nośników zmierzone przy wykorzystaniu zjawiska Hfll-a.

Rodzaj półprz.		a	u	n , Ji	'cmpcratura ^Jomiaru
■	cm^3 C'	Q'' cm*^1	cn? V^1 a‘*	cm"^3	.
Sc-amorf.	1 x 10*'	10*^Tł	0.1	6x tO^7	T =23 °C 0
Se-taystal.	lx 10^5	10°	1.0	6x15”“	T =23 °C ;jjj
CdTc	7 x 10^	10*^v	7 x I0^a	9x 10^H	T *23 °C -1
toSb	2x 10^2	3 x 10^2	6 x 10^4	3 x	T =23 °e ś j
BbTe,	2 x 10'*	1 x 10^3	2x 10^2	3 x 10^19H	T *20 ®c ..
Sj- samoist	1x10*	2x 10°	1.3 x 10*(e) 3 x 10^2 (h)	-	T *20 °C 11
Ge - samoist.	1 x 10^5	2x 10"^2	3.6    x 10*(e) 1.7    x 10^3(h)	-	T =20°C , i
HgSe	-	-	1.5 x 10*	-	T=20°C
HgTc	-		2.5 x 10^4 (e) 1 x 10? (h)	-	T *20 °C
l&As	1 x 10*	4	3 x 10^4 (e) 2 x 10^2 (h)	■	T =20°G .

(e) - dotyczy elektronów,

(h) - dotyczy dziur.

LITERATURA

L Kucis E.V., Metody iss!edovanija cffekta Holla, Izd. Sov. Radio, Moskva, 1974.

1 Świt A., Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa 1968 lub wydania późniejsze.

3. Giriat W, Rauhiszkiewicz J, Hallotrony - zastosowanie zjawiska Hałla w technice, PWN, Warszawa 1961.

ISzalimowa K. W., Fizyka półprzewodników, PWN, Warszawa 1974.

5. Kowtoniuk N. F., Koncevoj J. A Pomiary parametrów materiałów półprzewodnikowych, PWN, Warszawa 1973.