Img00167

171

>a V

2    3

-

Rys. 3.25-1. Schemat warstwowej diody germanowej: i — katoda (stop FeNiCo), 2 — anoda (In), 3 — german typu p, 4 — german typu n, 5 — spoiwo PbSn

3.26. Najlepszymi parametrami charakteryzują się warstwowe diody krzemowe, ale technologia ich wykonania jest najtrudniejsza.

Si*Al Si *Sb

W najprostszym wykonaniu diodę krzemową stanowi płytka z monokryształu czystego krzemu, stopiona z jednej strony z płytką aluminiową, a z drugiej strony pokryta warstwą antymonu (rys. 3.26-1). Na pograniczu z aluminium powstaje w krzemie warstwa półprzewodnika typu p, a na pograniczu z antymonem warstwa półprzewodnika typu n. Dopuszczalna temperatura pracy diody krzemowej wynosi ok. 200°C, a dopuszczalna gęstość prądu (przy chłodzeniu naturalnym) 800-10³A/m². Przy