Scan0021 (8)

53

osiągnięto znacznie wyższe niż w ogniwach Cu_x/OdS napięcie obwodu bez obciążenia -około 0,8 V i zwiększono sprawność do 14%.

•    Ogniwa słoneczne CdTe/CdS wykonuje się obecnie metodą sitodruku. Na szkło borowo-krzemiankowe nakłada się kolejno warstwy następujących materiałów: CdS, CdTe, C, Ag+In i Ag. Otrzymane w ten sposób ogniwa mogą osiągnąć następujące parametry: U_OC=0,754 V, I_sc=28 mA/cm² m=0,6, ry=12,8%.

•    Ogniwa słoneczne CuInSe2/CdZnS. Związek CuInSe2 ma przerwę energetyczną (1,04 eV) zbliżoną do wielkości przerwy energetycznej CU2S, ale jest materiałem stabilnym i dobrze dopasowuje się do sieci krystalicznej CdS lub jeszcze lepiej CdZnS. Na rys.4.3. pokazano strukturę takiego ogniwa słonecznego.

Rys. 4.3. Budowa ogniwa słonecznego CuInSe2/CdZnS Fig.4.3. Structure of CuInSe₂/CdZnS solar celi

Podłoże szklane lub z tlenku glinu metalizuje się warstwą molibdenu o grubości 1,5 pm. Na to podłoże naparowuje się w temperaturze około 680 K warstwę selenku o grubości około 3 pm. Po ochłodzeniu do temperatury 473 K naparowuje się warstwę CdZnS o grubości 2-3 pm. Elektrodę przednią z aluminium o grubości 2 pm naparowuje się metodą nagrzewania elektronowego. Następnie ogniwo jest wygrzewane w atmosferze tlenu w temperaturze 473-498 K przez 30 - 60 minut. Po nałożeniu warstwy przeciwodbiciowej można w takim ogniwie osiągnąć następujące parametry: Uoc⁼0,44 V, Isc⁼38,6 mA/cm² m=0,653, r|=ll% w warunkach AM1.

4.4. Ogniwa na bazie arsenku galu

Arsenek galu o przerwie energetycznej równej 1,43 eV jest półprzewodnikiem o prawie optymalnych własnościach dla fotowoltaicznej konwersji słonecznej. Mając prostą przerwę energetyczną i duży współczynnik absorpcji może w warunkach AM1 pochłaniać 97% użytecznych fotonów w warstwie o grubości 2 pm. Monokrystaliczne ogniwa z arsenku galu budowane sąjako:

-    heterozłączowe p -(AlGa)As/n - GaAs,

-    heterofasetowe p - (AlGa)As/p - GaAs/n - GaAs.

Ogniwa heterofasetowe mają największą sprawność, ponieważ jest w nich zminimalizowana prędkość rekombinacji powierzchniowej przez nałożenie na przednią powierzchnię GaAs cienkiej warstwy trójskładnikowej związku Al_xGai._xAs zwanej warstwą okienną. Sieć krystaliczna tego związku niemal doskonale dopasowuje się do sieci GaAs. Straty optyczne